数据读取电路及存储装置的制作方法

本发明涉及存储器，特别涉及一种数据读取电路及存储装置。

背景技术：

1、efuse存储器是一次性可编程存储器，在芯片出厂之前会被写入信息，在dram等存储装置内用来存放修调数据(trim bit)等。在efuse存储器中写入信息通过熔断(blown)相应的存储单元(cell)来实现，典型的efuse存储器中所有cell均是未熔断的cell(即“unblown cell”)，初始值均为“0”，熔断某个熔丝位(blowning the fuses)，使该熔丝位所在cell变为已熔断的cell(即“blown cell”)，此时其值被读取为“1”，且在该efuse存储器被制造后，这种通过熔断保险丝(blowing the fuses)进行一次性编程的过程，是不可逆的。

2、如何可靠地读取efuse存储器中存储的信息，一直是本领域技术人员所关注的热点问题之一。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种数据读取电路及存储装置，能够提高对efuse存储器中存储信息读取的可靠性。

2、为实现上述目的，本发明提供一种数据读取电路，其包括：

3、灵敏放大器，第一输入端耦接第一基准电压，第二输入端耦接efuse存储阵列的公共输出线，且用于根据所述第一基准电压对所述公共输出线(vc)上的放电程度进行感测；

4、预充模块，输出端耦接所述公共输出线和所述灵敏放大器的第二输入端，且用于在所述灵敏放大器对所述公共输出线上的放电程度进行感测之前，将所述公共输出线的电位预充到预设值；

5、触发模块，第一输入端耦接所述灵敏放大器的输出端，第二输入端耦接相应的时钟信号，且用于根据所述时钟信号和所述灵敏放大器的输出来输出所述efuse存储阵列中被选中的存储单元所存储的数据。

6、可选地，所述灵敏放大器用于在读操作下，根据所述第一基准电压感测所述公共输出线上的电压，以对所述公共输出线上的放电程度进行感测。

7、可选地，所述预充模块根据脉冲信号将所述公共输出线的电位预充到所述预设值。

8、可选地，所述预充模块包括第一mos管，所述第一mos管的栅极耦接所述脉冲信号，所述第一mos管的源极耦接相应的电源电压，所述第一mos管的漏极作为所述预充模块的输出端。

9、可选地，所述触发模块包括d触发器，所述d触发器的数据输入端直接耦接或者通过一反相器间接耦接所述灵敏放大器的输出端。

10、可选地，所述的数据读取电路还包括电流补偿模块，耦接所述公共输出线，用于向所述公共输出线提供补偿电流。

11、可选地，所述补偿电流是预设的恒定值，或者，所述补偿电流与温度相关。

12、可选地，所述电流补偿模块包括电阻器及其耦接的增益放大器，所述增益放大器根据所述电阻器的输出电压提供所述补偿电流；

13、其中，当所述补偿电流是预设的恒定值时，所述电阻器提供的电阻值是恒定的；当所述补偿电流与温度相关时，所述电阻器为电阻值可调的电阻器，其控制端耦接与温度相关的控制信号，所述电阻器根据所述控制信号调节电阻值，以改变输出电压。

14、可选地，所述增益放大器包括第二mos管和第三mos管，所述第二mos管的栅极耦接所述电阻器的一端，所述第二mos管的漏极耦接所述第三mos管的漏极、所述第三mos管的栅极以及所述公共输出线，所述第二mos管的源极接地，所述第三mos管的源极和所述电阻器的另一端均耦接电源电压。

15、可选地，所述电流补偿模块包括：

16、控制码产生电路，用于产生至少两个控制码；

17、补偿电流调整电路，耦接所述控制码产生电路，用于根据所述控制码的组合提供相应的补偿电流；

18、其中，当所述补偿电流是预设的恒定值时，所述控制码的组合结果是固定的；当所述补偿电流与温度相关时，所述控制码的组合结果与温度相关。

19、可选地，所述控制码产生电路用于产生k+1个所述控制码，且所述控制码产生电路包括：

20、恒压输出电路，用于产生恒定电压；

21、分压电路，用于基于第二基准电压产生k+1个电压值；

22、k+1个比较器，每个所述比较器的第一输入端均耦接所述恒压输出电路的输出端，第二输入端耦接所述分压电路的相应输出端，所述比较器用于比较所述恒定电压和所述分压电路的相应电压值的大小，以产生相应的所述控制码。

23、可选地，所述恒压输出电路包括恒流源、开关管和跟随器，所述开关管的第一端耦接所述恒流源的输出端和所述跟随器的第一输入端，所述开关管的控制端耦接所述开关管的第二端，所述跟随器的第二输入端耦接所述跟随器的输出端，所述跟随器的输出端输出所述恒定电压。

24、可选地，所述补偿电流调整电路包括：

25、恒定电流输出电路，用于提供恒定电流；

26、k+1路电流支路，各路所述电流支路的第一端均耦接所述恒定电流输出电路，各路所述电流支路的第二端均耦接所述公共输出线，且各路所述电流支路的控制端分别耦接所述控制码产生电路的相应输出端，各路所述电流支路用于根据相应的所述控制码导通或截止，以提供相应的电流；

27、其中，所述k+1路电流支路中所有导通的电流支路所提供的电流的总和为所述补偿电流。

28、可选地，所述恒定电流输出电路包括偏置mos管、下mos管、第一控制mos管和上mos管，所述偏置mos管的漏极耦接偏置电流，所述偏置mos管的栅极耦接所述下mos管的栅极，所述下mos管的源极和所述偏置mos管的源极接地，所述下mos管的漏极耦接所述第一控制mos管的漏极，所述第一控制mos管的栅极耦接使能信号，所述第一控制mos管的源极耦接所述上mos管的漏极和所述上mos管的栅极，以形成所述恒定电流输出电路的输出端，所述上mos管的的源极耦接电源电压。

29、可选地，所述电流支路包括镜像mos管和第二控制mos管，所述镜像mos管的栅极耦接所述恒定电流输出电路，所述镜像mos管的源极耦接电源电压，所述镜像mos管的漏极耦接所述第二控制mos管的源极，所述第二控制mos管的栅极作为所述电流支路的控制端并耦接所述控制码产生电路的相应输出端，所述第二控制mos管的漏极耦接所述公共输出线，以提供相应的电流。

30、可选地，温度越高，所述补偿电流越大。

31、基于同一发明构思，本发明还提供一种存储装置，其包括efuse存储阵列及其耦接的如本发明所述的数据读取电路。

32、与现有技术相比，本发明的技术方案至少具有以下有益效果之一:

33、1、设置预充模块，能在灵敏放大器对公共输出线上的放电程度进行感测之前，将公共输出线的电位预充到预设值，由此在灵敏放大器感测时，能够可靠地感测公共输出线上的放电程度，进而判断出efuse存储阵列中相应的存储单元是熔断的还是未熔断的，进而使得触发模块能够可靠地输出所需要从efuse存储阵列中读取的相应数据。

34、2、通过增加电流补偿电路，来向公共输出线提供补偿电流，进而补偿efuse存储阵列中的漏电流总和ioff，从而提高电路的感测容限(sense margin)，提高数据读取可靠性。

35、3、电流补偿电路提供的补偿电流与温度相关，可以针对efuse存储阵列在不同温度下的漏电流总和ioff提供不同的补偿电流，实现温度补偿功能，进而提高不同温度下的数据读取的准确率。