温度传感器线性化技术的制作方法

涉及温度传感器线性化技术。

背景技术：

1、存储器装置广泛用于在例如计算机、用户装置、无线通信装置、相机、数字显示器及其它的装置中存储信息。通过将存储器装置内的存储器单元编程为各种状态来存储信息。举例来说，二进制存储器单元可被编程为两个支持的状态中的一者，其通常由逻辑1或逻辑0表示。在一些实例中，单个存储器单元可支持两个以上状态，可存储其中的任一者。为了存取所存储信息，存储器装置可从存储器单元读取(例如，感测、检测、检索、确定)状态。为了存储信息，存储器装置可将状态写入(例如，编程、设置、指派)到存储器单元。

2、存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态ram(dram)、同步动态ram(sdram)、静态ram(sram)、铁电ram(feram)、磁性ram(mram)、电阻性ram(rram)、快闪存储器、相变存储器(pcm)、自选择存储器、硫属化物存储器技术、或非(nor)及与非(nand)存储器装置及其它。可按照易失性配置或非易失性配置来描述存储器单元。配置成非易失性配置的存储器单元即使在不存在外部电源的情况下也可维持所存储逻辑状态达延长时间段。配置成易失性配置的存储器单元在与外部电源断开连接时可能丢失所存储状态。

技术实现思路

1、描述一种方法。所述方法可包含：在与半导体装置相关联的温度传感器的电路处接收指示与所述半导体装置相关联的第一温度的一或多个第一位；确定由所述一或多个第一位指示的所述第一温度在多个温度范围中的第一温度范围内，所述多个温度范围各自跨越可由所述温度传感器测量的总温度范围的相应部分；至少部分基于所述第一温度在所述第一温度范围内，将对应于所述第一温度范围的一阶运算应用于所述一或多个第一位以确定指示与所述半导体装置相关联的第二温度的一或多个第二位；及从所述温度传感器的所述电路输出指示所述第二温度的所述一或多个第二位。

2、描述一种设备。所述设备可包含：与半导体装置相关联的温度传感器的第一电路，所述第一电路经配置以产生并输出指示与所述半导体装置相关联的第一温度的一或多个第一位；及所述温度传感器的第二电路，所述第二电路经配置以：确定由所述一或多个第一位指示的所述第一温度在多个温度范围中的第一温度范围内，所述多个温度范围各自跨越可由所述温度传感器测量的总温度范围的相应部分；且至少部分基于所述第一温度在所述第一温度范围内，输出指示与所述半导体装置相关联的第二温度的一或多个第二位，所述一或多个第二位至少部分基于所述一或多个第一位及对应于所述第一温度范围的一阶运算。

3、描述另一种设备。所述设备可包含：控制器，其与半导体装置相关联，其中所述控制器经配置以致使所述设备：在与所述半导体装置相关联的温度传感器的电路处接收指示与所述半导体装置相关联的第一温度的一或多个第一位；确定由所述一或多个第一位指示的所述第一温度在多个温度范围中的第一温度范围内，所述多个温度范围各自跨越可由所述温度传感器测量的总温度范围的相应部分；至少部分基于所述第一温度在所述第一温度范围内，将对应于所述第一温度范围的一阶运算应用于所述一或多个第一位以确定指示与所述半导体装置相关联的第二温度的一或多个第二位；且从所述温度传感器的所述电路输出指示所述第二温度的所述一或多个第二位。

技术特征：

1.一种方法，其包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其中对应于所述第二温度范围的所述第二一阶运算不同于对应于所述第一温度范围的所述一阶运算。

4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

5.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述二阶误差是至少部分基于与所述半导体装置相关联的衬底的一或多个特性。

7.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

8.根据权利要求1所述的方法，其中至少部分基于将所述一阶运算应用于所述一或多个第一位，所述半导体装置的所述第一温度与实际温度之间的差大于所述第二温度与所述实际温度之间的差。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述总温度范围的每一相应部分跨越相应数量的温度。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述相应数量的温度中的一或多者是不同的。

11.根据权利要求9所述的方法，其中每一相应数量的温度包括相同数量。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述一或多个第一位的第一数量大于7位，或所述一或多个第二位的第二数量大于7位，或其组合。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体装置包括包括一或多个存储器单元的存储器装置。

14.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体装置包括互补金属氧化物半导体cmos装置。

15.一种设备，其包括：

16.根据权利要求15所述的设备，其中所述第一电路进一步经配置以在输出所述一或多个第一位之后输出指示与所述半导体装置相关联的第三温度的一或多个第三位，且其中所述第二电路进一步经配置以：

17.根据权利要求15所述的设备，其中所述设备进一步包括：

18.根据权利要求17所述的设备，其中所述第三电路包括带隙电路，且其中所述第四电路包括经配置以至少部分基于所述第一电流来输出与所述第一频率相关联的所述第一信号的第一振荡器及经配置以至少部分基于所述第二电流来输出与所述第二频率相关联的所述第二信号的第二振荡器。

19.根据权利要求15所述的设备，其中所述第二电路的多个段中的每一段与相应温度范围及相应一阶运算相关联，其中所述第二电路经配置以：

20.一种设备，其包括：

技术总结本申请案涉及温度传感器线性化技术。与半导体装置相关联的温度传感器可包含第一电路及第二电路。所述第二电路可经配置以确定与所述半导体装置相关联且由通过所述第一电路产生的一或多个第一位指示的第一温度在可由所述温度传感器测量的总温度范围的第一温度范围内。所述第二电路可经配置以基于所述第一温度在所述第一温度范围内来产生并输出指示与所述半导体装置相关联的第二温度的一或多个第二位。所述第二电路可通过将对应于所述第一温度范围且与校正所述第一温度的误差相关联的一阶运算应用于所述一或多个第一位来产生所述一或多个第二位。技术研发人员：L·索萨·科雷亚,J·洛克曼,E·卡夫雷拉·贝尔纳尔,M·布罗克斯,J·谭受保护的技术使用者：美光科技公司技术研发日：技术公布日：2024/7/23