管理刷新操作的存储控制器及其操作方法与流程

各种示例实施例涉及存储器件和/或其操作方法，并且更具体地，涉及管理刷新操作的存储控制器及其操作方法。

背景技术：

1、高性能电子系统中广泛使用的存储器件的密度和/或速度正在增加。当在诸如动态随机存取存储器(dram)之类的存储器件中特定存储单元的存取频率增加时，相邻存储单元受到应力，并且相邻存储单元的数据保持特性相应地劣化，导致数据可靠性劣化。例如，当特定行或特定字线集中活动时，连接到与特定字线相邻的一条或多条字线的存储单元的数据保持特性可能恶化，并且因此，可以对与特定字线相邻的字线执行目标刷新以确保数据可靠性。存储器件可以包括用于对多条字线的活动或访问次数进行计数以控制目标刷新性能的元件。

2、然而，当仅通过对字线的活动次数进行计数来执行诸如维护刷新之类的维护操作时，可能在没有确定实际数据丢失的可能性的情况下执行维护操作，因此，可能降低存储器件资源的有效利用。例如，特定字线的活动次数增加的情况不仅可以在正常存储操作期间发生，而且还可能由于来自外部的恶意攻击而发生。

技术实现思路

1、各种示例实施例提供了一种能够基于存储器件的行锤信息来管理存储器件的刷新操作的存储控制器、和/或存储控制器的操作方法。

2、根据一些示例实施例，提供了一种存储控制器，该存储控制器被配置为与包括存储单元阵列的存储器件通信，该存储单元阵列包括多条字线，该存储控制器包括：调度器，被配置为控制向多条字线提供的命令；纠错码(ecc)引擎，具有包括n个条目的寄存器，并且被配置为基于对多条字线的活动次数进行计数，将第一参数存储在寄存器中，第一参数包括多条字线中的n条字线的地址信息和活动次数信息；比较器，被配置为将第一参数与阈值参数进行比较；以及刷新管理(rfm)决策电路，被配置为基于从比较器输出的结果来确定多条字线的刷新频率，并生成rfm命令。

3、备选地或附加地，根据一些示例实施例，提供了一种操作存储控制器的方法，该存储控制器与包括存储单元阵列的存储器件通信，该存储单元阵列包括多条字线，该方法包括：基于对多条字线的活动次数进行计数来存储第一参数，该第一参数包括多条字线中的n条字线的地址信息和活动次数信息；将第一参数与阈值参数进行比较；基于比较的结果来确定多条字线的刷新频率；以及基于刷新频率来生成rfm命令。

4、备选地或附加地，提供了一种存储控制器，该存储控制器被配置为与多个存储器件通信，该存储控制器包括：调度器，被配置为控制向多个存储器件提供的命令；ecc引擎，具有包括n个条目的寄存器，并且被配置为基于对多个存储器件的活动次数进行计数，将第一参数存储在寄存器中，该第一参数包括多个存储器件中的n个存储器件的地址信息和活动次数信息；比较器，被配置为将第一参数与阈值参数进行比较；以及rfm决策电路，被配置为基于从比较器输出的结果来确定多个存储器件的刷新频率，并生成rfm命令。

技术特征：

1.一种存储控制器，被配置为与包括存储单元阵列的存储器件通信，所述存储单元阵列包括多条字线，所述存储控制器包括：

2.根据权利要求1所述的存储控制器，其中，

3.根据权利要求1所述的存储控制器，其中，

4.根据权利要求3所述的存储控制器，其中，

5.根据权利要求4所述的存储控制器，其中，

6.根据权利要求1所述的存储控制器，其中，

7.根据权利要求1所述的存储控制器，其中，

8.根据权利要求1所述的存储控制器，其中，

9.一种操作存储控制器的方法，所述存储控制器与包括存储单元阵列的存储器件通信，所述存储单元阵列包括多条字线，所述方法包括：

10.根据权利要求9所述的方法，其中，存储所述第一参数包括：

11.根据权利要求9所述的方法，其中，生成所述rfm命令包括：

12.根据权利要求11所述的方法，还包括：

13.根据权利要求12所述的方法，其中，

14.根据权利要求9所述的方法，还包括：

15.根据权利要求9所述的方法，还包括：

16.根据权利要求9所述的方法，还包括：

17.一种存储控制器，被配置为与多个存储器件通信，所述存储控制器包括：

18.根据权利要求17所述的存储控制器，

19.根据权利要求17所述的存储控制器，

20.根据权利要求17所述的存储控制器，

技术总结一种存储控制器管理刷新。该存储控制器被配置为与包括存储单元阵列的存储器件通信，该存储单元阵列包括多条字线，该存储控制器可以包括：调度器，被配置为控制向多条字线提供的命令；纠错码引擎，具有包括N个条目的寄存器，并且被配置为基于对多条字线的活动次数进行计数，将第一参数存储在寄存器中，第一参数包括多条字线中的N条字线的地址信息和活动次数信息；比较器，被配置为将第一参数与阈值参数进行比较；以及刷新管理(RFM)决策电路，被配置为基于从比较器输出的结果确定多条字线的刷新频率，并生成RFM命令。技术研发人员：柳廷旻,李恩爱,赵诚慧,李起准,李明奎,孙敎民受保护的技术使用者：三星电子株式会社技术研发日：技术公布日：2024/7/23