一种存储器的制作方法

本公开涉及集成电路，具体而言，涉及一种存储器。

背景技术：

1、相关技术中，由于存储器中的金属-氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，mosfet)在开启状态下，其导通电阻ron的大小会影响存储器中电容上存储的电荷的分享速度，进而影响存储器的读写速度。而mosfet的导通电阻ron的大小会受到mosfet的阈值电压的影响，mosfet的阈值电压又受环境温度的影响，因此，环境温度影响存储器的读写速度。

2、进一步地，mosfet在环境温度为低温条件时的阈值电压，和常温条件下的阈值电压相比会增加，从而导致其导通电阻ron在低温条件下也有所增加，导致存储在低温条件下的读写速度也变慢，如此，如何抵消环境温度减小所导致的mosfet的电压增加是亟待解决的技术问题。

3、需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现思路

1、本公开的目的在于提供一种存储器，能够生成负温度系数的字线开启电源电压，并在驱动字线时向被驱动的字线提供负温度系数的字线开启电源电压，减小环境温度变化对存储器的读写速度的影响。

2、本公开实施例提供了一种存储器，包括：第一电压跟随支路，用于生成具有负温度系数的第一电压信号；第一电流生成支路，用于根据具有负温度系数的所述第一电压信号生成具有负温度系数的第一电流信号；电压生成支路，用于根据具有负温度系数的所述第一电流信号生成具有负温度系数的参考电源电压信号；电荷泵电路，用于根据所述参考电源电压信号生成具有负温度系数的字线开启电源电压；字线驱动电路，接收所述字线开启电源电压，用于在驱动字线时向被驱动的所述字线提供所述字线开启电源电压。

3、在本公开的一些示例性实施例中，所述第一电压跟随支路包括：恒流源，所述恒流源的输入端用于接收第一电源电压；第一晶体管，所述第一晶体管的控制极和第一极均耦接接地电源电压，所述第一晶体管的第二极耦接所述恒流源的输出端以生成具有负温度系数的所述第一电压信号；第一运算放大器，所述第一运算放大器的正向输入端分别耦接所述恒流源的输出端和所述第一晶体管的第二极，所述第一运算放大器的负向输入端耦接所述第一电流生成支路以向所述第一电流生成支路提供具有负温度系数的所述第一电压信号。

4、在本公开的一些示例性实施例中，所述第一晶体管包括pnp型三极管，所述第一晶体管的控制极、第一极和第二极分别为所述pnp型三极管的基极、集电极和发射极。

5、在本公开的一些示例性实施例中，所述第一电压跟随支路包括：恒流源，所述恒流源的输入端用于接收第一电源电压；第一晶体管，所述第一晶体管的控制极和第一极均耦接所述恒流源的输出端，所述第一晶体管的第二极耦接接地电源电压，以生成具有负温度系数的所述第一电压信号；第一运算放大器，所述第一运算放大器的正向输入端分别耦接所述恒流源的输出端和所述第一晶体管的第一极，所述第一运算放大器的负向输入端均耦接所述第一电流生成支路以向所述第一电流生成支路提供具有负温度系数的所述第一电压信号。

6、在本公开的一些示例性实施例中，所述第一晶体管包括npn型三极管，所述第一晶体管的控制极、第一极和第二极分别为所述npn型三极管的基极、集电极和发射极。

7、在本公开的一些示例性实施例中，所述第一电流生成支路包括：第二晶体管，所述第二晶体管的控制端耦接所述第一运算放大器的输出端；第一电阻，所述第一电阻的第一端分别耦接所述第二晶体管的第二端和所述第一运算放大器的负向输入端，所述第一电阻的第二端耦接接地电源电压，以根据具有负温度系数的所述第一电压信号和所述第一电阻在所述第一电阻生成具有负温度系数的所述第一电流信号；第三晶体管，所述第三晶体管的控制端和第一端均与所述第二晶体管的第一端耦接；所述第三晶体管的第二端与所述第一电源电压耦接；第四晶体管，所述第四晶体管的控制端耦接所述第二晶体管的第一端，所述第四晶体管的第一端与所述电压生成支路耦接，所述第四晶体管的第二端与所述第一电源电压耦接，以将具有负温度系数的所述第一电流信号镜像输出至所述电压生成支路。

8、在本公开的一些示例性实施例中，所述第二晶体管为nmos管；所述第三晶体管和所述第四晶体管均为pmos管；所述二晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管的第一端均为漏极，第二端均为源极。

9、在本公开的一些示例性实施例中，所述存储器还包括：第二电压跟随支路，用于获取具有零温度系数的第二电压信号；第二电流生成支路，用于根据具有零温度系数的所述第二电压信号生成具有零温度系数的第二电流信号；所述电压生成支路还用于根据具有负温度系数的所述第一电流信号和具有零温度系数的所述第二电流信号生成具有负温度系数的所述参考电源电压信号。

10、在本公开的一些示例性实施例中，所述第二电压跟随支路包括：第二运算放大器，所述第二运算放大器的正向输入端用于接收具有零温度系数的第二电源电压；所述第二运算放大器的负向输入端均耦接所述第二电流生成支路以向所述第二电流生成支路提供具有零温度系数的所述第二电源电压。

11、在本公开的一些示例性实施例中，所述第二电流生成支路包括：第五晶体管，所述第五晶体管的控制端耦接所述第二运算放大器的输出端，所述第五晶体管的第二端耦接所述第二运算放大器的负向输入端，以在所述第五晶体管的第二端具有零温度系数的所述第二电源电压；第二电阻，所述第二电阻的第一端分别耦接所述第五晶体管的第二端和所述第二运算放大器的负向输入端，所述第二电阻的第二端耦接接地电源电压，以根据具有零温度系数的所述第二电源电压和所述第二电阻在所述第二电阻生成具有零温度系数的所述第二电流信号；第六晶体管，所述第六晶体管的控制端和第一端均与所述第五晶体管的第一端耦接；所述第六晶体管的第二端与所述第一电源电压耦接；第七晶体管，所述第七晶体管的控制端耦接所述第五晶体管的第一端，所述第七晶体管的第一端与所述电压生成支路耦接，所述第七晶体管的第二端与所述第一电源电压耦接，以将具有零温度系数的所述第二电流信号镜像输出至所述电压生成支路。

12、在本公开的一些示例性实施例中，所述第五晶体管为nmos管；所述第六晶体管和所述第七晶体管均为pmos管；所述第五晶体管、所述第六晶体管和所述第七晶体管的第一端均为漏极，第二端均为源极。

13、在本公开的一些示例性实施例中，所述电压生成支路包括：第三电阻，所述第三电阻的第一端分别与所述第一电流生成支路的输出端和所述第二电流生成支路的输出端耦接，第二端耦接接地电源电压，以用于接收并根据具有负温度系数的所述第一电流信号、具有零温度系数的所述第二电流信号和所述第三电阻生成具有负温度系数的所述参考电源电压信号。

14、在本公开的一些示例性实施例中，所述电荷泵电路包括：上拉电阻，所述上拉电阻的第一端耦接所述电荷泵电路的输出端，所述电荷泵电路的输出端用于输出具有负温度系数的所述字线开启电源电压；下拉电阻，所述下拉电阻的第一端耦接所述上拉电阻的第二端，所述下拉电阻的第二端藕接接地电源电压；比较器，所述比较器的负向输入端分别耦接所述上拉电阻的第二端和所述下拉电阻的第一端，所述比较器的正向输入端用于接收具有负温度系数的所述参考电源电压信号，所述比较器的输出端输出振荡使能信号；晶体振荡器，用于接收并根据所述振荡使能信号生成时钟信号；电荷泵，接收所述时钟信号，用于根据所述时钟信号生成并输出所述字线开启电源电压。

15、本公开实施例中的存储器，通过第一电压跟随支路生成具有负温度系数的第一电压信号，通过第一电流生成支路根据具有负温度系数的第一电压信号生成具有负温度系数的第一电流信号，然后通过电压生成支路根据具有负温度系数的第一电流信号生成负温度系数的参考电源电压信号，得到具有负温度系数的参考电源电压信号，最后通过电荷泵电路根据具有负温度系数的参考电源电压信号生成具有负温度系数的字线开启电源电压，并在驱动字线时通过字线驱动电路向被驱动的字线提供负温度系数的字线开启电源电压，使得随着环境温度的降低，字线开启电源电压也随之增大，从而保证存储器的读写速度不受环境温度的影响。

16、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。