MBIST操作期间的基于温度的错误屏蔽的制作方法

本公开涉及装置，且特定来说，涉及在存储器内置自测试(mbist)操作期间具有基于温度的错误屏蔽的半导体存储器装置。

背景技术：

1、设备(例如，处理器、存储器系统及/或其它电子设备)可包含经配置以存储及/或处理信息的一或多个半导体电路。例如，所述设备可包含存储器装置，例如易失性存储器装置、非易失性存储器装置或组合装置。存储器装置(例如动态随机存取存储器(dram))可利用电能来存储及存取数据。

技术实现思路

1、一方面，本申请案提供一种设备，其包括：功能电路，其经配置以提供一组功能；数据存储装置，其能够进行配置以存储自测试结果；内置自测试(bist)电路，其耦合到所述功能电路及所述数据存储装置，所述bist电路经配置以使用所述功能电路实施自测试且产生所述自测试结果；及错误屏蔽电路，其耦合到所述数据存储装置，所述错误屏蔽电路经配置以：接收特性化所述功能电路的温度的温度数据，确定所述温度数据是否超过温度阈值，及基于所述温度数据是否超过所述温度阈值，将所述自测试结果存储在所述数据存储装置中。

2、另一方面，本申请案提供一种操作设备的方法，所述设备包含经配置以提供一组功能的功能电路，所述方法包括：使用耦合到所述功能电路的内置自测试(bist)电路启动所述功能电路的自测试，其中所述自测试对应于根据预定序列及预定输入集执行所述一组功能；在数据存储装置处，接收由所述自测试且在所述自测试期间产生的一组结果；接收特性化所述功能电路的温度的温度数据；及基于所述温度数据，在所述自测试的一或多个部分期间去激活所述数据存储装置，以防止由所述数据存储装置在所述一或多个部分期间保存所述一组结果。

3、另一方面，本申请案提供一种设备，其包括：功能电路；错误存储电路；及内置自测试(bist)电路，其经配置以：使用所述功能电路执行自测试以产生自测试结果；及基于温度数据而控制所述错误存储电路是否存储所述自测试结果。

技术特征：

1.一种设备，其包括：

2.根据权利要求1所述的设备，其中

3.根据权利要求1所述的设备，其中所述设备进一步包括裸片上温度传感器，所述裸片上温度传感器经配置以产生所述温度数据。

4.根据权利要求1所述的设备，其中所述错误屏蔽电路进一步经配置以在所述温度数据超过所述温度阈值时去激活所述数据存储装置。

5.根据权利要求4所述的设备，其中去激活所述数据存储装置包括断言耦合到所述数据存储装置的复位信号，且其中断言所述复位信号清除所述数据存储装置。

6.根据权利要求4所述的设备，其中所述错误屏蔽电路进一步经配置以：

7.根据权利要求1所述的设备，所述设备进一步包括耦合到所述数据存储装置及所述功能电路的修复资源，其中所述修复资源经配置以基于存储在所述数据存储装置中的所述自测试结果而修复所述功能电路。

8.根据权利要求1所述的设备，其中所述温度数据与第一时钟域相关联，所述数据存储装置与第二时钟域相关联，且所述错误屏蔽电路进一步经配置以使所述温度数据与所述第二时钟域同步。

9.根据权利要求8所述的设备，其中所述错误屏蔽电路进一步经配置以：

10.根据权利要求9所述的设备，其中所述同步信号特性化在所述第二时钟域中的两个时钟循环内所述温度数据是否已稳定。

11.根据权利要求1所述的设备，其中所述阈值温度特性化所述设备的最高操作温度。

12.根据权利要求1所述的设备，其中所述设备进一步包括状态寄存器，所述状态寄存器经配置以存储指示所述设备已超过温度极限的旗标，且其中所述错误屏蔽电路进一步经配置以基于所述温度数据是否超过所述温度阈值的所述确定而产生所述旗标。

13.根据权利要求12所述的设备，其中所述状态寄存器能够由所述设备的用户存取。

14.一种操作设备的方法，所述设备包含经配置以提供一组功能的功能电路，所述方法包括：

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述方法进一步包括接收温度阈值，且其中所述数据存储装置的所述去激活是进一步基于所述温度阈值。

16.根据权利要求15所述的方法，其中去激活所述数据存储装置包括：

17.根据权利要求14所述的方法，其中所述温度数据与第一时钟域相关联，所述数据存储装置与第二时钟域相关联，且所述方法进一步包括使所述温度数据与所述第二时钟域同步。

18.根据权利要求14所述的方法，所述方法进一步包括：

19.一种设备，其包括：

20.根据权利要求19所述的设备，其中所述功能电路是由动态随机存取存储器dram组成的存储器阵列。

技术总结本申请案涉及mBIST操作期间的基于温度的错误屏蔽。描述与自测试结果的屏蔽相关的方法、设备及系统。存储器装置可包含自测试电路，所述自测试电路经配置以在所述存储器装置的温度超过温度阈值时选择性地暂停从自测试的一或多个部分收集测试结果。技术研发人员：D·S·米勒,藤原敬典受保护的技术使用者：美光科技公司技术研发日：技术公布日：2024/4/22