半导体装置的制作方法

本发明的一个方式涉及一种半导体装置、计算机及电子设备。注意，本发明的一个方式不局限于上述。作为本说明书等所公开的本发明的一个方式的的例子，可以举出半导体装置、摄像装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、显示模块、显示系统、检查系统、电子设备、照明装置、输入装置、输入输出装置、其驱动方法或者其制造方法。此外，在本说明书等中，半导体装置是指能够通过利用半导体特性而工作的所有装置。晶体管、半导体电路、运算装置及存储装置等都是半导体装置的一个方式。另外，显示装置、摄像装置、电光装置、发电装置(包括薄膜太阳能电池、有机薄膜太阳能电池等)以及电子设备有时包括半导体装置。

背景技术：

1、dram(dynamic random access memory：动态随机存取存储器)广泛地用作内置于各种电子设备中的存储器。dram与其他的半导体集成电路同样按照比例定律(scalinglaw)进行微型化。专利文献1公开了一种适合dram的微型化的晶体管的制造方法。

2、另外，专利文献2公开一种将使用氧化物半导体的晶体管用于dram的例子。由于使用氧化物半导体的晶体管在关闭状态下的泄漏电流(关态电流：off-state current)非常小，由此可以制造刷新间隔长功耗少的存储器。

3、[先行技术文献]

4、[专利文献]

5、[专利文献1]日本专利申请公开第2016-127193号公报

6、[专利文献2]日本专利申请公开第2017-28237号公报

技术实现思路

1、发明所要解决的技术问题

2、本发明的一个方式的目的是提供一种新颖的半导体装置。另外，本发明的一个方式的目的是提供一种电路面积小的半导体装置。另外，本发明的一个方式的目的是提供一种低功耗的半导体装置。本发明的一个方式的目的是提供一种能够高速工作的半导体装置。

3、注意，本发明的一个方式并不需要实现所有上述目的，只要可以实现至少一个目的即可。另外，上述目的的记载不妨碍其他目的的存在。可以从说明书、权利要求书、附图等的记载显而易见地看出并抽出上述以外的目的。

4、解决技术问题的手段

5、根据本发明的一个方式的半导体装置包括多个单元阵列以及多个外围电路。单元阵列包括多个存储单元。外围电路包括第一驱动电路、第二驱动电路、第一放大电路、第二放大电路、第三放大电路及第四放大电路。第一驱动电路及第二驱动电路具有对单元阵列提供选择信号的功能。第一放大电路及第二放大电路具有放大从单元阵列输入的电位的功能。第三放大电路及第四放大电路具有放大从第一放大电路或第二放大电路输入的电位的功能。第一驱动电路、第二驱动电路、第一放大电路、第二放大电路、第三放大电路及第四放大电路包括与单元阵列重叠的区域。存储单元的沟道形成区含有金属氧化物。

6、另外，在根据本发明的一个方式的半导体装置中，第一驱动电路可以与第二驱动电路、第二放大电路及第三放大电路邻接，第二驱动电路可以与第一驱动电路、第一放大电路及第四放大电路邻接，第一放大电路可以与第二驱动电路、第二放大电路、第三放大电路及第四放大电路邻接，第二放大电路可以与第一驱动电路、第一放大电路、第三放大电路及第四放大电路邻接。

7、另外，在根据本发明的一个方式的半导体装置中，第一驱动电路及第二驱动电路可以通过多个第一布线与单元阵列电连接，第一放大电路及第二放大电路可以通过多个第二布线与单元阵列电连接，第三放大电路及第四放大电路可以与第三布线电连接，第三布线可以以横跨多个外围电路的方式设置，第三布线可以不与多个第一布线及多个第二布线接触。

8、另外，在根据本发明的一个方式的半导体装置中，单元阵列可以包括第一至第四子阵列，第一驱动电路可以具有对第一子阵列及第二子阵列提供选择信号的功能，第二驱动电路可以具有对第三子阵列及第四子阵列提供选择信号的功能，第一放大电路及第二放大电路可以具有放大从第一子阵列及第三子阵列输入的电位或者从第二子阵列及第四子阵列输入的电位的功能。

9、另外，根据本发明的一个方式的计算机包括上述半导体装置，该半导体装置用作高速缓冲存储器或主存储装置。

10、另外，根据本发明的一个方式的电子设备内置有上述半导体装置或计算机。

11、发明效果

12、根据本发明的一个方式，可以提供一种新颖的半导体装置。根据本发明的一个方式，可以提供一种电路面积小的半导体装置。另外，根据本发明的一个方式，可以提供一种低功耗的半导体装置。根据本发明的一个方式可以提供一种能够高速工作的半导体装置。

13、注意，这些效果的记载不妨碍其他效果的存在。此外，本发明的一个方式并不需要具有所有上述效果。此外，本发明的一个方式并不需要具有所有上述效果。可以从说明书、权利要求书、附图等的记载显而易见地看出并抽出上述以外的效果。

技术特征：

1.一种半导体装置，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括控制电路，

3.根据权利要求1所述的半导体装置，

4.根据权利要求3所述的半导体装置，

5.根据权利要求3所述的半导体装置，

6.根据权利要求5所述的半导体装置，还包括：

7.一种半导体装置，包括：

8.根据权利要求7所述的半导体装置，

9.根据权利要求8所述的半导体装置，

10.根据权利要求8所述的半导体装置，

11.根据权利要求10所述的半导体装置，还包括：

12.一种半导体装置，包括：

13.根据权利要求12所述的半导体装置，

14.根据权利要求13所述的半导体装置，

15.根据权利要求13所述的半导体装置，

16.根据权利要求15所述的半导体装置，还包括：

技术总结本发明提供一种新颖的半导体装置。该半导体装置包括多个单元阵列以及多个外围电路。单元阵列包括多个存储单元。外围电路包括第一驱动电路、第二驱动电路、第一放大电路、第二放大电路、第三放大电路及第四放大电路。第一驱动电路及第二驱动电路具有对单元阵列提供选择信号的功能。第一放大电路及第二放大电路具有放大从单元阵列输入的电位的功能。第三放大电路及第四放大电路具有放大从第一放大电路或第二放大电路输入的电位的功能。第一驱动电路、第二驱动电路、第一放大电路、第二放大电路、第三放大电路及第四放大电路包括与单元阵列重叠的区域。存储单元的沟道形成区含有金属氧化物。技术研发人员：大贯达也,松嵜隆德,加藤清,山崎舜平受保护的技术使用者：株式会社半导体能源研究所技术研发日：技术公布日：2024/4/22