存储器件、其操作方法以及存储器系统与流程

本公开的实施例涉及支持刷新(refresh)操作的存储器件以及操作存储器件的方法。

背景技术：

1、非易失性存储器件是一种即使当电源被切断时也不会丢失所存储数据的存储器件。例如，典型的非易失性存储器件可以包括nand闪存、垂直nand闪存、nor闪存、电阻式随机存取存储器(电阻式ram)、相变存储器和磁阻式(magnetoresistive)随机存取存储器。

2、相比之下，易失性存储器件是一种当电源被切断时会丢失所存储数据的存储器件。例如，典型的易失性存储器件可以包括静态随机存取存储器(sram)、动态随机存取存储器(dram)、锁存器、触发器和寄存器。

3、诸如dram的易失性存储器件基于存储在电容器中的电荷来确定数据。然而，由于在电容器中存储的电荷可能随着时间流逝而泄漏，所以易失性存储器件周期性地执行存储器刷新操作。由于制造存储器件的制造工艺被按比例缩小且导致相邻字线(word lines)之间的间隔变窄，一条字线上的重复电压分布可能导致连接到另一条相邻字线的存储单元中的电荷受到不利影响。例如，当一条字线被重复访问时，可能会发生被称为行锤击(rowhammer)现象的问题。如本领域技术人员将了解的，响应于与被重复访问的字线相关联的行锤击现象，与一条或更多条相邻字线连接的存储单元中所存储的数据可能被损坏(例如，丢失)。

技术实现思路

1、本公开提供了一种在刷新操作期间具有提高的可靠性的存储器件。

2、本公开提供了一种在刷新操作中具有提高的可靠性的存储器件的操作方法。

3、本公开提供了一种在刷新操作期间具有提高的可靠性的存储器系统的操作方法。

4、本公开不限于上述内容，本领域技术人员将从本公开的以下说明中清楚地理解本公开未提及的其他方面。

5、根据本公开的一些方面，提供了一种存储器件，所述存储器件包括其中具有构成行的多条字线和多条列选择线的存储单元阵列以及用于所述存储单元阵列执行刷新操作的刷新管理器。所述刷新管理器还被配置为：(i)初始化所述存储单元阵列的行的计数；(ii)向所述存储单元阵列发送刷新命令；(iii)当对所述存储单元阵列的刷新操作是正常刷新操作时，将第一数据写入所述行；以及(iv)当对所述存储单元阵列的刷新操作不是正常刷新操作时，将第二数据写入多条字线当中与发生行锤击的字线相邻的字线。

6、根据本公开的一些方面，提供了一种操作存储器件的方法，所述方法包括：(i)初始化包括构成行的多条字线和多条列选择线的存储单元阵列的行的计数；(ii)向所述存储单元阵列发送刷新命令；(iii)当对所述存储单元阵列的刷新操作是正常刷新操作时，将先前指定的第一数据写入所述行；以及(iv)当对所述存储单元阵列的刷新操作不是正常刷新操作时，将第二数据写入多条字线当中与发生行锤击的字线相邻的字线。

7、根据本公开的一些方面，提供了一种存储器系统，包括存储器控制器和被配置为从存储器控制器接收操作命令的存储器件。存储器件可以包括具有构成行的多条字线和多条列选择线的存储单元阵列和被配置为对存储单元阵列执行刷新操作的刷新管理器。所述刷新管理器被配置为：初始化所述存储单元阵列的行的计数；向所述存储单元阵列发送刷新命令；当对所述存储单元阵列的刷新操作是正常刷新操作时，将先前指定的第一数据写入所述行；以及当对所述存储单元阵列的刷新操作不是正常刷新操作时，将第二数据写入多条字线当中与发生行锤击的行的字线相邻的字线。

8、应注意的是，本公开的效果不限于上面描述的那些，本公开的其他效果将因以下描述变得明了。

技术特征：

1.一种存储器件，所述存储器件包括：

2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述刷新管理器还被配置为在所述存储单元阵列的所述行的计数被初始化之前激活测试模式。

3.根据权利要求2所述的存储器件，其中，所述测试模式是由符合jedec规范的mrs指示的，jedec即联合电子器件工程委员会，mrs即模式寄存器组。

4.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述第一数据被写入到所述多条字线当中的所述行的字线。

5.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述第一数据被写入与多条csl中的至少一部分相关联的字线，csl即列选择线。

6.根据权利要求1所述的存储器件，其中，当所述第一数据被写入之后所述计数达到最大阈值时，多条csl当中的第一csl的计数增加2，csl即列选择线。

7.根据权利要求6所述的存储器件，其中，所述刷新管理器还被配置为：在所述第一csl的计数增加2之后，确定所述刷新命令是否正常地起作用。

8.一种存储器件的操作方法，所述操作方法包括：

9.根据权利要求8所述的操作方法，所述操作方法还包括在初始化所述存储单元阵列的所述行的计数之前激活测试模式。

10.根据权利要求9所述的操作方法，其中，所述测试模式是由符合jedec规范的mrs指示的，jedec即联合电子器件工程委员会，mrs即模式寄存器组。

11.根据权利要求8所述的操作方法，其中，所述第一数据被写入所述多条字线当中的所述行的字线。

12.根据权利要求8所述的操作方法，其中，所述第一数据被写入与多条csl中的至少一部分相关联的字线,csl即列选择线。

13.根据权利要求8所述的操作方法，其中，当所述第一数据被写入之后所述计数达到最大阈值时，多条csl当中的第一csl的计数增加2，csl即列选择线。

14.根据权利要求13所述的操作方法，所述操作方法还包括在所述第一csl的计数增加2之后，确定所述刷新命令是否正常地起作用。

15.一种存储器系统，所述存储器系统包括：

16.根据权利要求15所述的存储器系统，其中，所述刷新管理器还被配置为在所述存储单元阵列的所述行的计数被初始化之前激活测试模式。

17.根据权利要求16所述的存储器系统，其中，所述测试模式是由符合jedec规范的mrs指示的，jedec即联合电子器件工程委员会，mrs即模式寄存器组。

18.根据权利要求16所述的存储器系统，其中，所述第一数据被写入所述多条字线中的所述行的字线。

19.根据权利要求16所述的存储器系统，其中，所述第一数据被写入与多条csl中的至少一部分相关联的字线，csl即列选择线。

20.根据权利要求19所述的存储器系统，其中，当所述第一数据被写入之后所述计数达到最大阈值时，所述多条csl当中的第一csl的计数增加2。

技术总结提供了一种存储器件、其操作方法以及存储器系统。所述存储器件包括其中具有构成行的多条字线和多条列选择线的存储单元阵列。提供了刷新管理器，刷新管理器被配置为对所述存储单元阵列执行刷新操作。所述刷新管理器还被配置为：(i)初始化存储单元阵列的行的计数；(ii)向存储单元阵列发送刷新命令；(iii)当对存储单元阵列的刷新操作是正常刷新操作时，将第一数据写入所述行；以及(iv)当对存储单元阵列的刷新操作不是正常刷新操作时，将第二数据写入与发生行锤击的字线相邻的字线相关联的行。技术研发人员：李教佶受保护的技术使用者：三星电子株式会社技术研发日：技术公布日：2024/4/22