内建自测试方法、内建自测试装置及半导体存储器与流程

本公开涉及半导体存储器，尤其涉及一种内建自测试方法、内建自测试装置及半导体存储器。

背景技术：

1、目前，动态随机存取存储器技术发展迅速，为保证动态随机存取存储器准确存储数据，需要对半导体存储器进行测试。

2、存储器内建自测试(memory built in self-test，简称：mbist)作为一种测试方法，测试向量是由内建的存储器测试逻辑自动产生。在测试时需要访问所有的存储单元，因此，在测试过程中需要不断刷新所有存储单元中数据，数据刷新频率对测试过程影响比较大。

技术实现思路

1、本公开一实施例提供一种内建自测试方法，方法应用于控制器，方法包括：

2、获取存储单元的温度数据，根据温度数据调节存储单元的数据刷新频率；

3、根据调节后的数据刷新频率生成刷新指令，刷新指令用于以调节后的数据刷新频率刷新存储单元中存入的预设数据；

4、从存储单元中读出数据；将读出的数据与预设数据进行比较，获得测试结果。

5、在一些实施例中，根据温度数据调节存储单元的数据刷新频率，具体包括：

6、当温度数据位于第一温度范围时，调节存储单元的数据刷新频率位于第一频率范围；

7、当温度数据位于第二温度范围时，调节存储单元的数据刷新频率位于第二频率范围；

8、当温度数据位于第三温度范围时，调节存储单元的数据刷新频率位于第三频率范围；

9、其中，第一温度范围的上限值小于或等于第二温度范围的下限值，第二温度范围的上限值小于或等于第三温度范围的下限值；第一频率范围的上限值小于或等于第二频率范围的下限值，第二频率范围的上限值小于或等于第三频率范围的下限值。

10、在一些实施例中，在同一控制模式下第二温度范围内的数据刷新频率的变化速率大于第一温度范围内的数据刷新频率的变化速率；在同一控制模式下第二温度范围内的数据刷新频率的变化速率大于第三温度范围内的数据刷新频率的变化速率。

11、在一些实施例中，在不同控制模式下同一温度范围内的数据刷新频率的变化速率不同。

12、在一些实施例中，根据调节后的数据刷新频率生成刷新指令，刷新指令用于以调节后的数据刷新频率刷新存储单元中存入的预设数据，具体包括：

13、在向所有存储单元中写入预设数据后，根据调节后的维持阶段的数据刷新频率生成第一刷新指令，第一刷新指令用于以调节后的维持阶段的数据刷新频率刷新存储单元中的数据。

14、在一些实施例中，根据调节后的数据刷新频率生成刷新指令，刷新指令用于以调节后的数据刷新频率刷新存储单元中存入的预设数据，具体包括：

15、每向一连续读写区域写入预设数据后，根据调节后的写入阶段的数据刷新频率生成第二刷新指令和更新下一连续读写区域的地址，直至向所有存储单元中写入预设数据；第二刷新指令用于以调节后的写入阶段的数据刷新频率刷新所有存储单元中存入的数据。

16、在一些实施例中，写入阶段的数据刷新频率，大于维持阶段的数据刷新频率。

17、本公开一实施例提供一种内建自测试装置，装置包括：

18、获取模块，用于获取存储单元的温度数据，根据温度数据调节存储单元的数据刷新频率；

19、处理模块，用于根据调节后的数据刷新频率生成刷新指令，刷新指令用于以调节后的数据刷新频率刷新存储单元中存入的预设数据；

20、处理模块，还用于从存储单元中读出数据；将读出的数据与预设数据进行比较，获得测试结果。

21、在一些实施例中，获取模块具体用于：

22、当温度数据位于第一温度范围时，调节存储单元的数据刷新频率位于第一频率范围；

23、当温度数据位于第二温度范围时，调节存储单元的数据刷新频率位于第二频率范围；

24、当温度数据位于第三温度范围时，调节存储单元的数据刷新频率位于第三频率范围；

25、其中，第一温度范围的上限值小于或等于第二温度范围的下限值，第二温度范围的上限值小于或等于第三温度范围的下限值；第一频率范围的上限值小于或等于第二频率范围的下限值，第二频率范围的上限值小于或等于第三频率范围的下限值。

26、在一些实施例中，在同一控制模式下第二温度范围内的数据刷新频率的变化速率大于第一温度范围内的数据刷新频率的变化速率；在同一控制模式下第二温度范围内的数据刷新频率的变化速率大于第三温度范围内的数据刷新频率的变化速率。

27、在一些实施例中，在不同控制模式下同一温度范围内的数据刷新频率的变化速率不同。

28、在一些实施例中，处理模块，具体用于：

29、在向所有存储单元中写入预设数据后，根据调节后的维持阶段的数据刷新频率生成第一刷新指令，第一刷新指令用于以调节后的维持阶段的数据刷新频率刷新存储单元中的数据。

30、在一些实施例中，处理模块，具体用于：

31、每向一连续读写区域写入预设数据后，根据调节后的写入阶段的数据刷新频率生成第二刷新指令和更新下一连续读写区域的地址，直至向所有存储单元中写入预设数据；第二刷新指令用于以调节后的写入阶段的数据刷新频率刷新所有存储单元中存入的数据。

32、在一些实施例中，写入阶段的数据刷新频率，大于维持阶段的数据刷新频率。

33、本公开一实施例提供一种半导体存储器，包括控制器、用于检测温度的温度传感器以及存储区域，存储区域包括多个存储单元；控制器与存储区域连接，控制器与温度传感器连接；控制器用于实现上述实施例中所涉及的方法。

34、本公开一实施例提供一种内建自测试方法、内建自测试装置及半导体存储器，根据存储单元的温度数据调节存储单元的数据刷新频率，并根据调节后的数据刷新频率生成刷新指令，以补偿存储单元的漏电速率随着温度变化而变化的情况，刷新指令用于以调节后的数据刷新频率刷新存储单元中写入的预设数据，并从存储单元中读出数据，将读出的数据与预设数据进行比较获得测试结果，即实现维持存储单元中存储数据，又提高数据写入或读出效率，提升测试运行效率。

技术特征：

1.一种内建自测试方法，其特征在于，所述方法应用于控制器，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述温度数据调节所述存储单元的数据刷新频率，具体包括：

3.根据权利要求2所述方法，其特征在于，在同一控制模式下所述第二温度范围内的数据刷新频率的变化速率大于所述第一温度范围内的数据刷新频率的变化速率；在同一控制模式下所述第二温度范围内的数据刷新频率的变化速率大于所述第三温度范围内的数据刷新频率的变化速率。

4.根据权利要求2所述方法，其特征在于，在不同控制模式下同一温度范围内的数据刷新频率的变化速率不同。

5.根据权利要求1至4中任意一项所述的方法，其特征在于，根据调节后的数据刷新频率生成刷新指令，所述刷新指令用于以调节后的数据刷新频率刷新所述存储单元中存入的预设数据，具体包括：

6.根据权利要求1至4中任意一项所述的方法，其特征在于，根据调节后的数据刷新频率生成刷新指令，所述刷新指令用于以调节后的数据刷新频率刷新所述存储单元中存入的预设数据，具体包括：

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述写入阶段的数据刷新频率，大于维持阶段的数据刷新频率。

8.一种内建自测试装置，其特征在于，所述装置包括：

9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述获取模块具体用于：

10.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，在同一控制模式下所述第二温度范围内的数据刷新频率的变化速率大于所述第一温度范围内的数据刷新频率的变化速率；在同一控制模式下所述第二温度范围内的数据刷新频率的变化速率大于所述第三温度范围内的数据刷新频率的变化速率。

11.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，在不同控制模式下同一温度范围内的数据刷新频率的变化速率不同。

12.根据权利要求8至11中任意一项所述的装置，其特征在于，所述处理模块，具体用于：

13.根据权利要求8至11中任意一项所述的装置，其特征在于，所述处理模块，具体用于：

14.根据权利要求13所述的装置，其特征在于，所述写入阶段的数据刷新频率，大于维持阶段的数据刷新频率。

15.一种半导体存储器，其特征在于，包括控制器、用于检测温度的温度传感器以及存储区域，所述存储区域包括多个存储单元；所述控制器与所述存储区域连接，所述控制器与所述温度传感器连接；所述控制器用于实现如权利要求1至7中任一项所述的方法。

技术总结本公开提供一种内建自测试方法、内建自测试装置及半导体存储器，包括获取存储单元的温度数据，根据温度数据调节存储单元的数据刷新频率，根据调节后的数据刷新频率生成刷新指令，刷新指令用于以调节后的数据刷新频率刷新存储单元中存入的预设数据，并从存储单元中读出数据，将读出的数据与预设数据进行比较获得测试结果，以补偿存储单元的漏电速率随着温度变化而变化的情况，即维持存储单元中存储数据，又提高数据写入或读出效率，提升测试运行效率。技术研发人员：孙圆圆,王佳,陈继兴受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司技术研发日：技术公布日：2024/3/27