存储器内建自测试方法及其装置与流程

本公开实施例涉及半导体，尤其涉及存储器内建自测试方法及其装置。

背景技术：

1、目前，普遍通过在芯片内部设置存储器内建自测试(memory bulid-in-selftest，mbist)结构，以增加芯片测试的可控制性和可观测性。其中，存储器内建自测试方法指的是针对被测试芯片加载测试向量，通过收集响应结果与预期结果对比，来测试芯片是否能够正常工作。在测试过程中，需要对存储器内的所有存储单元均进行读写操作，即，遍历到存储器内的所有地址对应的存储单元，访问所有存储单元的读写功能，最终判断存储器内的存储单元是否能够正常工作，并记录失效存储单元的地址。

2、然而，随着超大规模半导体集成电路包含的存储单元的数量越来越多，由此带来测试时间和测试成本的增加。

技术实现思路

1、有鉴于此，本公开实施例为解决现有技术中存在的至少一个技术问题而提供存储器内建自测试方法及其装置。

2、为达到上述目的，本公开的技术方案是这样实现的：

3、第一方面，本公开实施例提供一种存储器内建自测试方法，所述测试方法包括：将待测存储器的行地址划分为多个行地址集，以及将每个所述行地址集划分为多个行地址子集；对多个所述行地址集并行进行第一测试数据的写入，针对每个所述行地址集，所述第一测试数据的写入包括：将所述第一测试数据依次写入多个所述行地址子集中的每个所述行地址子集对应的存储单元中；在将所述第一测试数据写入每个所述行地址子集后，对所述待测存储器执行第一刷新操作；等待预设时长后，依次从各个所述行地址集对应的存储单元中读取第一输出数据；根据所述第一测试数据以及所述第一输出数据，得到所述待测存储器的第一测试结果。

4、在一些实施例中，所述将所述第一测试数据依次写入多个所述行地址子集中的每个所述行地址子集对应的存储单元中，包括：打开同一所述行地址子集的所有行地址，以及顺序开启所有列地址，在开启下一所述列地址之前，对连接于开启的列地址的所有行地址，依次进行所述第一测试数据的写入，直至完成对当前所述行地址子集的写入。

5、在一些实施例中，所述将所述第一测试数据依次写入多个所述行地址子集中的每个所述行地址子集对应的存储单元中，包括：打开所有列地址，以及顺序开启同一所述行地址子集的所有行地址，在开启下一所述行地址之前，对连接于开启的行地址的所有列地址，依次进行所述第一测试数据的写入，直至完成对当前所述行地址子集的写入。

6、在一些实施例中，所述依次从各个所述行地址集对应的存储单元中读取第一输出数据，包括：依次从当前所述行地址集中的每个所述行地址子集对应的存储单元中读取第一子数据，直至完成对当前所述行地址集中的所有行地址子集的读取，得到当前所述行地址集的所述第一输出数据；从下一所述行地址集对应的存储单元中读取第一输出数据，直至完成对所有行地址集的读取。

7、在一些实施例中，所述依次从各个所述行地址集对应的存储单元中读取第一输出数据，包括：针对每个所述行地址子集：打开所有列地址，以及顺序开启同一所述行地址子集的所有行地址，在开启下一所述行地址之前，对连接于开启的行地址的所有列地址，依次进行读取操作，直至完成对当前所述行地址子集的读取，得到当前所述行地址子集的第一子数据；从下一所述行地址子集对应的存储单元中读取第一子数据，直至完成对所有行地址子集的读取；其中，当前所述行地址集中的所有所述行地址子集的所述第一子数据构成当前所述行地址集的所述第一输出数据。

8、在一些实施例中，所述测试方法还包括：从每个所述行地址子集对应的存储单元中读取第一子数据后，对所述待测存储器执行第二刷新操作。

9、在一些实施例中，所述待测存储器包括多个待测存储体，所述测试方法还包括：将所述待测存储器的多个所述待测存储体划分为至少一个待测存储体集；同时将所述第一测试数据写入同一所述待测存储体集对应的行地址中。

10、在一些实施例中，所述将每个所述行地址集划分为多个行地址子集，包括：根据多个划分规则，将所述待测存储器的行地址集划分为不同的多个行地址子集；所述测试方法还包括：获取所述第一测试数据的写入方式、各个所述划分规则对应的测试总时长以及任意相邻两次第一刷新操作之间的时间间隔；根据所述第一测试数据的写入方式、多个所述测试总时长、任意相邻两次第一刷新操作之间的时间间隔中的至少之一，确定最佳划分规则。

11、在一些实施例中，所述根据所述第一测试数据的写入方式、多个所述测试总时长、任意相邻两次第一刷新操作之间的时间间隔中的至少之一，确定最佳划分规则，包括：将任意相邻两次第一刷新操作之间的时间间隔满足预设刷新时间间隔，且测试总时长最短的所述划分规则，确定为最佳划分规则；其中，所述预设刷新时间间隔小于存储器规范规定的刷新时间间隔。

12、在一些实施例中，所述测试方法还包括：对多个所述行地址集并行进行第二测试数据的写入，针对每个所述行地址集，所述第二测试数据的写入包括：将所述第二测试数据依次写入多个所述行地址子集中的每个所述行地址子集对应的存储单元中；在将所述第二测试数据写入每个所述行地址子集后，对所述待测存储器执行第一刷新操作；等待所述预设时长后，依次从各个所述行地址集对应的存储单元中读取第二输出数据；根据所述第二测试数据以及所述第二输出数据，得到所述待测存储器的第二测试结果；其中，所述第二测试数据为所述第一测试数据的反相数据。

13、在一些实施例中，所述测试方法还包括：对所述第一测试数据和所述第一输出数据进行逻辑异或运算，得到第一指示信号；对所述第二测试数据和所述第二输出数据进行逻辑异或运算，得到第二指示信号；其中，所述第一指示信号和所述第二指示信号用于指示所述待测存储器中的失效存储单元。

14、第二方面，本公开实施例提供一种存储器内建自测试装置，所述测试装置包括：地址划分模块，用于将待测存储器的行地址划分为多个行地址集，以及用于将每个所述行地址集划分为多个行地址子集；数据写入模块，用于对多个所述行地址集并行进行第一测试数据的写入，针对每个所述行地址集，所述第一测试数据的写入包括：将所述第一测试数据依次写入多个所述行地址子集中的每个所述行地址子集对应的存储单元中；数据刷新模块，用于在将所述第一测试数据写入每个所述行地址子集后，对所述待测存储器执行第一刷新操作；数据读取模块，用于等待预设时长后，依次从各个所述行地址集对应的存储单元中读取第一输出数据；数据分析模块，用于根据所述第一测试数据以及所述第一输出数据，得到所述待测存储器的第一测试结果。

15、本公开实施例提供存储器内建自测试方法及其装置，本公开实施例中，将待测存储器的每个行地址集划分为多个行地址子集，在对多个行地址集进行并行写入的同时，将第一测试数据依次写入各个行地址子集对应的存储单元中，并且在将第一测试数据写入每个行地址子集后，对待测存储器执行第一刷新操作，如此，有利于缩短待测存储器的测试总时长，以及通过合理划分行地址子集的大小，避免写入行地址子集的数据发生丢失错误。

16、此外，本公开实施例中，将待测存储器的行地址划分为多个行地址集，对多个行地址集并行进行第一测试数据的写入，如此能够节约写入第一测试数据的时间，从而减少存储器内建自测试的时间，降低存储器内建自测试的成本。