存储器及存储系统的制作方法

本公开实施例涉及半导体，涉及但不限于一种存储器及存储系统。

背景技术：

1、随着当今科学技术的不断发展，存储器被广泛地应用于各种电子设备。动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)是一种易失性存储器，是计算机中常用的半导体存储器件。

2、随机存取存储器由多个重复的存储单元组成，每一个存储单元主要由一个选择晶体管与一个由选择晶体管所操控的存储电容所构成，且每一个存储单元通过字线与位线彼此电连接。然而，这种随机存取存储器存在存储单元占用面积较大、布线复杂，制造工艺难度大等问题。

技术实现思路

1、有鉴于此，本公开实施例提供一种存储器及存储系统。

2、第一方面，本公开实施例提供一种存储器，包括：

3、衬底；

4、位于所述衬底内的控制电路层；所述控制电路层中包括所述存储器的至少部分控制电路；

5、至少两个存储结构层；所述至少两个存储结构层依次堆叠在所述控制电路层上；所述存储结构层与所述控制电路层电连接。

6、在一些实施例中，所述存储结构层包括：多个阵列排布的存储块；

7、所述控制电路层包括：与每个所述存储块对应连接的多个控制块。

8、在一些实施例中，所述存储块包括：

9、多个阵列排布的存储单元；

10、以及多条沿第一方向延伸的字线；每条所述字线连接多个沿所述第一方向间隔排布的所述存储单元；所述第一方向平行于所述衬底的表面。

11、在一些实施例中，所述存储器还包括：

12、位线结构层，位于所述控制电路层与至少两个所述存储结构层之间；所述位线结构层中包括多条沿第二方向延伸的位线；所述第二方向与所述第一方向之间具有夹角，所述第二方向平行于所述衬底的表面；

13、每条所述位线连接沿第二方向间隔排布的多组存储单元，其中，每组存储单元是通过第一支线连接的沿垂直于所述衬底表面的方向上堆叠设置的多个存储单元。

14、在一些实施例中，所述控制块包括：

15、与所述位线结构层连接的第一控制块，所述第一控制块的至少部分位于沿所述位线延伸方向上相邻的两个存储块的投影区域之间；

16、与所述字线连接的第二控制块，所述第二控制块的至少部分位于所连接的字线所在的所述存储块的投影区域范围内。

17、在一些实施例中，在垂直于所述衬底表面的方向上不同存储结构层中对应的存储块沿所述第二方向对齐。

18、在一些实施例中，在同一存储结构层中沿所述第二方向相邻的两个存储块共用一个所述第一控制块。

19、在一些实施例中，所述存储结构层包括：上结构层和下结构层；所述上结构层中的存储块为第一存储块；所述下结构层中的存储块为第二存储块；

20、位于所述上结构层中沿所述第一方向方向延伸的相邻的第一存储块之间具有第一间隔区域；

21、位于所述下结构层中沿所述第一方向延伸的相邻的第二存储块之间具有第二间隔区域；

22、所述第一间隔区域与所述第二间隔区域在所述控制电路层上的投影不重合。

23、在一些实施例中，所述第一存储块通过贯穿所述第二间隔区域的连接线，连接至对应所述第一存储块的第二控制块；

24、所述第二存储块通过位于所述第二存储块下方的连接线，连接至对应所述第二存储块的所述第二控制块，所述第一存储块对应的第二控制块和所述第二存储块对应的所述第二控制块沿第一方向间隔排布。

25、在一些实施例中，所述第一存储块的连接线的长度，大于所述第二存储块的连接线的长度；

26、所述第一存储块连接的所述第二控制块的驱动能力，大于所述第二存储块连接的所述第二控制块的驱动能力。

27、在一些实施例中，所述存储器还包括：

28、电源模块，连接多个第一控制块和/或多个第二控制块，用于提供电源信号；

29、所述电源模块位于所述衬底中，且所述电源模块与所述控制电路层位于同一结构层内。

30、在一些实施例中，所述存储器还包括：

31、数据输入输出模块，连接所述第一控制块，所述数据输入输出模块用于通过所述第一控制块以及所述位线对存储单元进行数据的写入或读取。

32、在一些实施例中，所述控制电路层还包括：全局控制电路；

33、所述全局控制电路与多个所述控制块连接；

34、所述全局控制电路至少用于向多个所述控制块提供控制信号。

35、在一些实施例中，所述全局控制电路包括：

36、全局字线驱动模块，连接多个所述第二控制块，用于提供多个所述第二控制块连接的所述存储块中多条字线的控制信号。

37、第二方面，本公开实施例还提供一种存储系统，包括：

38、如上述任一所述的存储器，以及存储控制器。

39、本公开实施例的技术方案中，存储器的至少部分控制电路被设置于堆叠的存储结构层与衬底之间的控制电路层中，并且存储结构层与控制电路层通过垂直于衬底方向的连接线进行连接。如此，相对于控制电路被设置于存储单元阵列周围的方案，本公开实施例提供的存储器可以具有更高的集成度和更小的面积，并且垂直堆叠的结构更便于制造和电路走线设计。

技术特征：

1.一种存储器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述存储结构层包括：多个阵列排布的存储块；

3.根据权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述存储块包括：

4.根据权利要求3所述的存储器，其特征在于，所述存储器还包括：

5.根据权利要求4所述的存储器，其特征在于，所述控制块包括：

6.根据权利要求5所述的存储器，其特征在于，在垂直于所述衬底表面的方向上不同存储结构层中对应的存储块沿所述第二方向对齐。

7.根据权利要求5所述的存储器，其特征在于，在同一存储结构层中沿所述第二方向相邻的两个存储块共用一个所述第一控制块。

8.根据权利要求5所述的存储器，其特征在于，所述存储结构层包括：上结构层和下结构层；所述上结构层中的存储块为第一存储块；所述下结构层中的存储块为第二存储块；

9.根据权利要求8所述的存储器，其特征在于，所述第一存储块通过贯穿所述第二间隔区域的连接线，连接至对应所述第一存储块的所述第二控制块；

10.根据权利要求9所述的存储器，其特征在于，所述第一存储块的连接线的长度，大于所述第二存储块的连接线的长度；

11.根据权利要求5所述的存储器，其特征在于，所述存储器还包括：

12.根据权利要求5所述的存储器，其特征在于，所述存储器还包括：

13.根据权利要求2至12任一所述的存储器，其特征在于，所述控制电路层还包括：全局控制电路；

14.根据权利要求13所述的存储器，其特征在于，所述全局控制电路包括：

15.一种存储系统，其特征在于，包括：

技术总结本公开实施例公开了一种存储器及存储系统，该存储器包括：衬底；位于所述衬底内的控制电路层；所述控制电路层中包括所述存储器的至少部分控制电路；至少两个存储结构层；所述至少两个存储结构层依次堆叠在所述控制电路层上；所述存储结构层与所述控制电路层电连接。技术研发人员：唐衍哲受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司技术研发日：技术公布日：2024/3/27