半导体存储器的测试方法和设备与流程

本公开涉及但不限定于一种半导体存储器的测试方法和设备。

背景技术：

1、存储器中相邻存储单元之间经常存在非常轻微的漏电，并且这种漏电会随着时间的推移恶化成严重的漏电，从而使得存储单元失效。

2、为了测试出轻微漏电的存储单元，此处将存在轻微漏电的存储单元称为目标存储单元。通常需要让目标存储单元与相邻存储单元进行长时间高压差的漏电。当相邻存储单元与目标存储单元是不同字线上的存储单元时，也就是目标存储单元和相邻存储单元位于不同列时，漏电测试可以利用不断刷新相邻存储单元的字线的方式，来维持相邻存储单元与目标存储单元的高压差。

3、但是，若相邻存储单元与目标存储单元位于同一字线，也就是相邻存储单元与目标存储单元是位于同一列的存储单元，刷新该字线则无法在相邻存储单元和目标存储单元之间形成高压差，也就无法测试同一字线上存储单元的漏电。

技术实现思路

1、本公开提供一种半导体存储器的测试方法，包括：

2、向存储块中写入测试数据，其中，存储块包括多个标记字线和多个非标记字线，标记字线和非标记字线间隔设置，每个标记字线上相邻两个存储单元中测试数据不同，每个非标记字线上每个存储单元中测试数据相同；

3、刷新目标字线周围字线上存储单元内测试数据，控制存储块中每个位线连接的灵敏放大器处于使能状态；其中，目标字线为标记字线中的一个；

4、刷新目标字线上存储单元内测试数据，控制存储块中两个相邻位线的其中一个位线连接的灵敏放大器处于使能状态，控制存储块中两个相邻位线的另一个位线连接的灵敏放大器处于失效状态；

5、从目标字线上的存储单元中读取数据，并根据读取的数据与目标字线上的存储单元中测试数据获得测试结果。

6、在一些实施例中，每个标记字线上第偶数个存储单元中存储第一数据；每个标记字线上第奇数个存储单元中存储第二数据；每个非标记字线上每个存储单元中存储第二数据。

7、在一些实施例中，当存储单元中存储第一数据时，存储单元中电容下极板电压大于或等于第一参考电压；当存储单元中存储第二数据时，存储单元中电容下极板电压小于第一参考电压。

8、在一些实施例中，刷新目标字线上存储单元内测试数据，控制存储块中两个相邻位线上其中一个位线连接的灵敏放大器处于使能状态，控制存储块中两个相邻位线上另一个位线连接的灵敏放大器处于失效状态，具体包括：

9、激活目标字线，控制第偶数个位线连接的灵敏放大器处于使能状态，控制第奇数个位线连接的灵敏放大器处于失效状态。

10、在一些实施例中，激活目标字线，控制第偶数个位线连接的灵敏放大器处于使能状态，控制第奇数个位线连接的灵敏放大器处于失效状态，具体包括：

11、控制第偶数个位线的预充电电压和第偶数个位线对应的互补位线的预充电电压均为第二参考电压，激活目标字线，以及控制灵敏放大器对第偶数个位线和第偶数个位线对应的互补位线之间电荷共享电压进行放大；其中，第一参考电压小于第二参考电压；

12、控制第奇数个位线的预充电电压和第奇数个位线对应的互补位线的预充电电压均为接地电压，激活目标字线，以及控制灵敏放大器停止对第奇数个位线和第奇数个位线对应的互补位线之间电荷共享电压进行放大；其中，接地电压小于第二参考电压。

13、在一些实施例中，控制灵敏放大器对第偶数个位线和第偶数个位线对应的互补位线之间电荷共享电压进行放大，具体包括：

14、延迟与灵敏放大器对第偶数个位线和第偶数个位线对应的互补位线之间电荷共享电压进行放大的起始时刻，增加目标字线上两个相邻存储单元之间压差持续时间。

15、在一些实施例中，刷新目标字线周围字线上存储单元内测试数据，具体包括：

16、提升目标字线上存储单元的上极板电压；

17、激活目标字线周围字线，并控制存储块中每个位线连接的灵敏放大器处于使能状态；

18、恢复目标字线上存储单元的上极板电压。

19、在一些实施例中，激活目标字线周围字线，并控制存储块中每个位线连接的灵敏放大器，具体包括：

20、控制存储块中每个位线的预充电电压和每个位线对应的互补位线的预充电电压均为第一参考电压，激活目标字线周围字线，以及控制灵敏放大器对存储块内每个位线和每个位线对应的互补位线之间电荷共享电压进行放大；其中，第一参考电压小于第二参考电压。

21、本技术一实施例提供一种半导体存储器的测试装置，包括：

22、写入模块，向存储块中写入测试数据，其中，存储块包括多个标记字线和多个非标记字线，标记字线和非标记字线间隔设置，每个标记字线上相邻两个存储单元中测试数据不同，每个非标记字线上每个存储单元中测试数据相同；

23、刷新模块，用于刷新目标字线周围字线上存储单元内测试数据，控制存储块中每个位线连接的灵敏放大器处于使能状态；其中，目标字线为标记字线中的一个；

24、刷新模块还用于刷新目标字线上存储单元内测试数据，控制存储块中两个相邻位线的其中一个位线连接的灵敏放大器处于使能状态，控制存储块中两个相邻位线的另一个位线连接的灵敏放大器处于失效状态；

25、比较模块，用于从目标字线上的存储单元中读取数据，并根据读取的数据与目标字线上的存储单元中测试数据获得测试结果。

26、在一些实施例中，每个标记字线上第偶数个存储单元中存储第一数据；每个标记字线上第奇数个存储单元中存储第二数据；每个非标记字线上每个存储单元中存储第二数据。

27、在一些实施例中，当存储单元中存储第一数据时，存储单元中电容下极板电压大于或等于第一参考电压；当存储单元中存储第二数据时，存储单元中电容下极板电压小于第一参考电压。

28、在一些实施例中，刷新模块，具体用于：

29、激活目标字线，控制第偶数个位线连接的灵敏放大器处于使能状态，控制第奇数个位线连接的灵敏放大器处于失效状态。

30、在一些实施例中，刷新模块，具体用于：

31、控制第偶数个位线的预充电电压和第偶数个位线对应的互补位线的预充电电压均为第二参考电压，激活目标字线，以及控制灵敏放大器对第偶数个位线和第偶数个位线对应的互补位线之间电荷共享电压进行放大；其中，第一参考电压小于第二参考电压；

32、控制第奇数个位线的预充电电压和第奇数个位线对应的互补位线的预充电电压均为接地电压，激活目标字线，以及控制灵敏放大器停止对第奇数个位线和第奇数个位线对应的互补位线之间电荷共享电压进行放大；其中，接地电压小于第二参考电压。

33、在一些实施例中，刷新模块，具体用于：

34、延迟与灵敏放大器对第偶数个位线和第偶数个位线对应的互补位线之间电荷共享电压进行放大的起始时刻，增加目标字线上两个相邻存储单元之间压差持续时间。

35、本公开一实施例提供一种控制设备，用于执行上述实施例所涉及的方法。

36、本公开一实施例提供一种计算机可读存储介质，计算机可读存储介质中存储有计算机执行指令，计算机执行指令被处理器执行时用于实现上述实施例所涉及的方法。

37、本公开提供的半导体存储器的测试方法和设备，通过向存储块中存入测试数据，使标记字线上两个相邻存储单元之间数据不同，非标记字线上两个相邻存储单元之间数据相同，从标记字线中选择目标字线，目标字线上两个相邻存储单元中存储的测试数据不同。对目标字线周围字线上存储单元刷新，使存储块内每个位线连接的灵敏放大器处于使能状态，维持目标字线上存储单元与目标字线周围字线上存储单元之间电压差，在目标字线上造成更容易产生漏电的环境。对目标字线上存储单元进行刷新，控制存储块中两个相邻位线的其中一个位线连接的灵敏放大器处于使能状态，另一个位线连接的灵敏放大器处于失效状态，维持目标字线上相邻存储单元之间的电压差，在同一个字线上相邻存储单元之间造成更容易产生漏电的环境，并抑制存储单元内沟道漏电。最后通过读取目标字线上的存储单元测试数据，基于读取的数据和测试数据确定测试结果，实现对同一字线上存储单元的漏电测试。