半导体存储器的测试方法和设备与流程

本公开涉及但不限定于半导体存储器的测试方法和设备。

背景技术：

1、半导体存储器是电子设备最重要的组成部分，存储器对于电子设备的性能和稳定性都起着至关重要的作用。所以，必须要保证这些电子设备中使用的存储器的可靠性，针对存储器的测试很有必要。

2、在现有的半导体存储器的产品良率测试中，同一个测试项检测出来的失效通常含有几种不同的失效机制，这样并不利于在研发初期确定失效机制，进而影响研发进程和产品良率提升。

技术实现思路

1、本公开提供一种半导体存储器的测试方法，半导体存储器包括多个存储块，方法包括：

2、向半导体存储器所有存储块中写入第一数据；

3、重复执行先激活第偶数个存储块内字线，在第奇数个存储块内位线和第奇数个存储块内存储单元之间形成压差；后激活第奇数个存储块内字线，在第偶数个存储块内位线和第偶数个存储块内存储单元之间形成压差；

4、从所有存储块中读出数据，将读出的数据与第一数据进行比较获得测试结果。

5、在一些实施例中，激活第偶数个存储块内字线，在第奇数个存储块内位线和第奇数个存储块内存储单元之间形成压差，具体包括：

6、激活第偶数个存储块内字线，并使字线激活的维持时间大于预设时间，在第奇数个存储块内位线和第奇数个存储块内存储单元之间形成压差；

7、后激活第奇数个存储块内字线，在第偶数个存储块内位线和第偶数个存储块内存储单元之间形成压差，具体包括：

8、激活第奇数个存储块内字线，并使字线激活的维持时间大于预设时间，在第偶数个存储块内位线和第偶数个存储块内存储单元之间形成压差。

9、在一些实施例中，存储块内存储单元中电容下极板与位线连接，且存储单元中的第一数据使下极板电位小于位线预充电电位。

10、在一些实施例中，激活第偶数个存储块内字线，并使字线激活的维持时间大于预设时间，在第奇数个存储块内位线和第奇数个存储块内存储单元之间形成压差，具体包括：

11、激活第偶数个存储块内字线，并使字线激活的维持时间大于预设时间，使第奇数个存储块内位线的电位大于奇数个存储块内存储单元中电容下极板的电位；

12、激活第奇数个存储块内字线，并使字线激活的维持时间大于预设时间，在第偶数个存储块内位线和第偶数个存储块内存储单元之间形成压差，具体包括：

13、激活第奇数个存储块内字线，并使字线激活的维持时间大于预设时间，使第偶数个存储块内位线的电位大于偶数个存储块内存储单元中电容下极板的电位。

14、在一些实施例中，存储块内存储单元中电容下极板与位线连接，且存储单元中的第一数据使下极板电位大于位线的预充电电位。

15、在一些实施例中，激活第偶数个存储块内字线，并使字线激活的维持时间大于预设时间，在第奇数个存储块内位线和第奇数个存储块内存储单元之间形成压差，具体包括：

16、激活第偶数个存储块内字线，并使字线激活的维持时间大于预设时间，使第奇数个存储块内位线的电位小于第奇数个存储块内存储单元中电容下极板的电位；

17、激活第奇数个存储块内字线，并使字线激活的维持时间大于预设时间，在第偶数个存储块内位线和第偶数个存储块内存储单元之间形成压差，具体包括：

18、激活第奇数个存储块内字线，并使字线激活的维持时间大于预设时间，使第偶数个存储块内位线的电位小于第偶数个存储块内存储单元中电容下极板的电位。

19、在一些实施例中，从所有存储块中读出数据，将读出的数据与第一数据进行比较获得测试结果，具体包括：

20、依次从存储块中各个存储单元读出数据，将读出的数据与第一数据进行比较；

21、当从一存储单元中读出的数据与第一数据不同，则确定测试结果为存储单元内电容接触垫和与存储单元连接的位线接触垫之间存在漏电失效；

22、当从存储单元中读出的数据与第一数据相同，则确定测试结果为存储单元内电容接触垫和与存储单元连接的位线接触垫之间不存在漏电失效。

23、在一些实施例中，存储单元中电容下极板与位线连接；

24、向半导体存储器所有存储块中写入第一数据，具体包括：

25、依次向存储块中每个存储单元写入第一数据；

26、调节存储单元中电容上极板的电位，使存储单元中电容上极板的电位与存储单元中下极板的电位相同。

27、在一些实施例中，从所有存储块中读出数据，具体包括：

28、在向所有存储块中存储单元的上极板上叠加预设电压后依次从存储块中每个存储单元中读出数据。

29、在一些实施例中，在向半导体存储器所有存储块中写入第一数据之前，方法还包括：

30、使半导体存储器的衬底电位为负电压，并维持到从所有存储块中读出数据之后。

31、本公开一实施例提供一种半导体存储器的测试装置，半导体存储器包括多个存储块，测试装置包括：

32、写入模块，用于向半导体存储器所有存储块中写入第一数据；

33、激活模块，用于重复执行先激活第偶数个存储块内字线，在第奇数个存储块内位线和第奇数个存储块内存储单元之间形成压差；后激活第奇数个存储块内字线，在第偶数个存储块内位线和第偶数个存储块内存储单元之间形成压差；

34、读出模块，用于从所有存储块中读出数据，将读出的数据与第一数据进行比较获得测试结果。

35、在一些实施例中，激活模块，具体用于：

36、激活第偶数个存储块内字线，并使字线激活的维持时间大于预设时间，在第奇数个存储块内位线和第奇数个存储块内存储单元之间形成压差；

37、激活第奇数个存储块内字线，并使字线激活的维持时间大于预设时间，在第偶数个存储块内位线和第偶数个存储块内存储单元之间形成压差。

38、在一些实施例中，存储块内存储单元中电容下极板与位线连接，且存储单元中的第一数据使下极板电位小于位线预充电电位。

39、在一些实施例中，激活模块，具体用于：

40、激活第偶数个存储块内字线，并使字线激活的维持时间大于预设时间，使第奇数个存储块内位线的电位大于奇数个存储块内存储单元中电容下极板的电位；

41、激活第偶数个存储块内字线，并使字线激活的维持时间大于预设时间，使第奇数个存储块内位线的电位大于奇数个存储块内存储单元中电容下极板的电位。

42、在一些实施例中，存储块内存储单元中电容下极板与位线连接，且存储单元中的第一数据使下极板电位大于位线的预充电电位。

43、在一些实施例中，激活模块，具体用于：

44、激活第偶数个存储块内字线，并使字线激活的维持时间大于预设时间，使第奇数个存储块内位线的电位小于第奇数个存储块内存储单元中电容下极板的电位；

45、激活第奇数个存储块内字线，并使字线激活的维持时间大于预设时间，使第偶数个存储块内位线的电位小于第偶数个存储块内存储单元中电容下极板的电位。

46、在一些实施例中，读出模块，具体用于：

47、依次从存储块中各个存储单元读出数据，将读出的数据与第一数据进行比较；

48、当从一存储单元中读出的数据与第一数据不同，则确定测试结果为存储单元内电容接触垫和与存储单元连接的位线接触垫之间存在漏电失效；

49、当从存储单元中读出的数据与第一数据相同，则确定测试结果为存储单元内电容接触垫和与存储单元连接的位线接触垫之间不存在漏电失效。

50、在一些实施例中，存储单元中电容下极板与位线连接；写入模块，具体用于：

51、依次向存储块中每个存储单元写入第一数据；

52、调节存储单元中电容上极板的电位，使存储单元中电容上极板的电位与存储单元中下极板的电位相同。

53、在一些实施例中，读出模块，具体用于：

54、在向所有存储块中存储单元的上极板上叠加预设电压后依次从存储块中每个存储单元中读出数据。

55、在一些实施例中，装置还包括设置模块，设置模块用于：

56、使半导体存储器的衬底电位为负电压，并维持到从所有存储块中读出数据之后。

57、本公开一实施例提供一种电子设备，包括：处理器，以及与处理器通信连接的存储器；

58、存储器存储计算机执行指令；

59、处理器执行存储器存储的计算机执行指令，以实现上述实施例所涉及的半导体存储器的测试方法。

60、本公开一实施例提供一种计算机可读存储介质，计算机可读存储介质中存储有计算机执行指令，计算机执行指令被处理器执行时用于实现上述实施例所涉及的半导体存储器的测试方法。

61、本公开一实施例提供一种计算机程序产品，包括计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现上述实施例所涉及的半导体存储器的测试方法。

62、本公开提供的半导体存储器的测试方法和设备，向半导体存储器所有存储块中写入第一数据，重复执行先激活第偶数个存储块内字线，在第奇数个存储块内位线和第奇数个存储块内存储单元之间形成压差，后激活第奇数个存储块内字线，在第偶数个存储块内位线和第偶数个存储块内存储单元之间形成压差，通过如此设置，加剧在第奇数个存储块内位线接触垫和第奇数个存储块内存储单元中电容接触垫之间漏电，以及加剧在第偶数个存储块内位线接触垫和第偶数个存储块内存储单元中电容接触垫之间漏电。再从所有存储块中读出数据，将读出的数据与第一数据进行比较获得测试结果，判断是否发生存储单元中电容接触垫和位线接触垫之间是否存在漏电失效。