一种NAND电压读取方法、装置、设备及介质与流程

本发明涉及闪存存储的，尤其涉及一种nand电压读取方法、装置、设备及介质。

背景技术：

1、随着科技的发展，nand flash(快闪记忆体)逐渐成为了当前的主流非易失存储介质，因此，其广泛应用于消费级电子产品以及企业级数据中心。但是随着内部介质的磨损，导致对介质内部数据的读取会产生偏差，而现有技术中通常使用离线表或者单次拟合等方法读取nand flash的电压，但因读取电压时未与实际情况结合或者因固定偏移读的限制，导致对所述nand的电压读取不够准确。

技术实现思路

1、本发明实施例提供了一种nand电压读取方法、装置、设备及介质，旨在解决对所述nand的电压读取不准确的问题。

2、第一方面，本发明实施例提供了一种nand电压读取方法，其包括：根据不同电压进行预设次数的读重试，获取偏移读数据；将所述偏移读数据进行配对处理确定待拟合数据；将所述待拟合数据进行坐标计算获取拟合数据点，并根据所述拟合数据点进行函数拟合确定目标拟合点；根据预设条件判断所述目标拟合点是否有效，并从有效的所述目标拟合点中确定第一电压值；重复执行上述的步骤进行二次拟合以得到第二电压值，直到所述第二电压值处在预设电压范围内时读取所述第二电压值作为nand电压，其中，在执行所述根据不同电压进行预设次数的读重试的步骤时为，根据所述第一电压或所述第二电压进行读重试。

3、第二方面，本发明实施例还提供了一种nand电压读取装置，其包括：读重试单元，用于根据不同电压进行预设次数的读重试，获取偏移读数据；处理单元，用于将所述偏移读数据进行配对处理确定待拟合数据；拟合单元，用于将所述待拟合数据进行坐标计算获取拟合数据点，并根据所述拟合数据点进行函数拟合确定目标拟合点；确定单元，用于根据预设条件判断所述目标拟合点是否有效，并从有效的所述目标拟合点中确定第一电压值；目标单元，用于重复执行上述的步骤进行二次拟合以得到第二电压值，直到所述第二电压值处在预设电压范围内时读取所述第二电压值作为nand电压，其中，在执行所述根据不同电压进行预设次数的读重试的步骤时为，根据所述第一电压或所述第二电压进行读重试。

4、第三方面，本发明实施例还提供了一种计算机设备，其包括存储器及处理器，所述存储器上存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述方法。

5、第四方面，本发明实施例还提供了一种计算机可读存储介质，所述存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序包括程序指令，所述程序指令当被处理器执行时可实现上述方法。

6、本发明实施例提供了一种nand电压读取方法、装置、设备及介质。其中，所述方法包括：根据不同电压进行预设次数的读重试，获取偏移读数据；将所述偏移读数据进行配对处理确定待拟合数据；将所述待拟合数据进行坐标计算获取拟合数据点，并根据所述拟合数据点进行函数拟合确定目标拟合点；根据预设条件判断所述目标拟合点是否有效，并从有效的所述目标拟合点中确定第一电压值；重复执行上述的步骤进行二次拟合以得到第二电压值，直到所述第二电压值处在预设电压范围内时读取所述第二电压值作为nand电压，其中，在执行所述根据不同电压进行预设次数的读重试的步骤时为，根据所述第一电压或所述第二电压进行读重试。本发明实施例对nand进行读重试，获取偏移读数据并使用偏移读数据得到拟合所需目标数据点以确定第一电压值以动态读取新数据点，并根据第一电压值再次进行拟合确定nand电压值解决了固定偏移读对拟合效果所带来的限制，以获取有效且精准的nand电压。

技术特征：

1.一种nand电压读取方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将所述偏移读数据进行配对处理确定待拟合数据的步骤，包括：

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将所述待拟合数据进行坐标计算获取拟合数据点的步骤，包括：

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述目标拟合点包括函数零点与函数极值点，所述根据所述拟合数据点进行函数拟合确定目标拟合点的步骤，包括：

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述根据预设条件判断所述目标拟合点是否有效的步骤，包括：

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述从有效的所述目标拟合点中确定第一电压值的步骤，包括：

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述读取所述第二电压值作为nand电压的步骤，包括：

8.一种nand电压读取装置，其特征在于，包括：

9.一种计算机设备，其特征在于，所述计算机设备包括存储器及处理器，所述存储器上存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求1-7中任一项所述的方法。

10.一种存储介质，其特征在于，所述存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序包括程序指令，所述程序指令当被处理器执行时可实现如权利要求1-7中任一项所述的方法。

技术总结本发明实施例公开了一种NAND电压读取方法、装置、设备及介质。所述方法包括：根据不同电压进行预设次数的读重试，获取偏移读数据；将偏移读数据进行配对处理确定待拟合数据；将待拟合数据进行坐标计算获取拟合数据点，并根据拟合数据点进行函数拟合确定目标拟合点；根据预设条件判断目标拟合点是否有效，并从有效的目标拟合点中确定第一电压值；重复执行上述的步骤进行二次拟合以得到第二电压值，直到第二电压值处在预设电压范围内时读取第二电压值作为NAND电压，其中，在执行根据不同电压进行预设次数的读重试的步骤时为，根据第一电压或第二电压进行读重试。通过实施本发明实施例的方法可解决对所述NAND的电压读取不准确的问题。技术研发人员：刘欢,张睦,陈建雄受保护的技术使用者：成都芯忆联信息技术有限公司技术研发日：技术公布日：2024/4/22