存储器装置的数据恢复方法与流程

本公开关于一种半导体装置的操作方法，特别有关于一种用于处理存储器装置的数据保存错误的数据恢复方法。

背景技术：

1、欲储存期望的数据于存储器装置时，对于存储单元施加编程电压以使存储单元累积电子，据以调整存储单元的阈值电压vt，使阈值电压vt达到期望的阈值电压状态。不同的阈值电压状态对应于不同内容的数据。以三阶存储单元(triple level memory cell，tlc)为例，存储单元储存三个比特的数据，存储单元具有八个阈值电压状态。

2、图1是发生数据保存错误时以及进行数据恢复后，存储单元的阈值电压分布的变化及对应的存储单元数量的示意图。如图1所示，三阶存储单元的八个阈值电压状态中的第七状态p7例如对应于数据(1，1，1)、第六状态p6例如对应于数据(1，1，0)、第五状态p5例如对应于数据(1，0，1)。

3、然而，当存储单元累积的电子发生流失时，电子的数量降低将导致存储单元的阈值电压vt下降。在图1中，电子发生流失造成阈值电压vt下降，导致第五状态p5、第六状态p6、第七状态p7的阈值电压分布朝向低电压值方向移动(成为图1中粗虚线表示的部分)。因此，存储单元的阈值电压分布的其中一部份将低于对应的读取电压vread1、vread2、vread3，导致数据读取错误，此称为数据保存错误(data retention errors)。图1中标示为r_err的部分为存储单元的阈值电压vt低于对应的读取电压vread1、vread2、vread3的状况，数据保存错误发生于r_err的部分。

4、因应于存储单元的数据保存错误，本技术领域技术人员提出数据恢复方法，施加编程电压于存储单元以使阈值电压分布朝向高电压值方向移动(成为图1中细虚线表示的部分)。并且，进一步改良数据恢复方法，以达到较佳的数据恢复效率。

技术实现思路

1、根据本公开的一方面，提供一种存储器装置的数据恢复方法，其中，存储器装置包括多条字线、多条位线以及多个存储单元，这些存储单元包括目标存储单元，这些字线包括目标字线及相邻字线，相邻字线相邻于目标字线，目标字线连接于目标存储单元的栅极，相邻字线连接于一相邻存储单元的栅极，该相邻存储单元相邻于该目标存储单元。数据恢复方法包括以下步骤。经由目标字线施加一第一编程电压至目标存储单元。在施加该第一编程电压同时，经由相邻字线施加一第二编程电压至相邻存储单元。

2、根据本公开的另一方面，提供一种存储器装置的数据恢复方法，其中，存储器装置包括多条字线、多条位线以及多个存储单元，这些存储单元包括第一目标存储单元及第二目标存储单元，这些字线包括第一目标字线及第二目标字线及相邻字线，相邻字线相邻于第一目标字线及第二目标字线，第一目标字线连接于第一目标存储单元的栅极，第二目标字线连接于第二目标存储单元的栅极，相邻字线连接于相邻存储单元的栅极，相邻存储单元相邻于第一目标存储单元及第二目标存储单元，第一目标存储单元位于该相邻存储单元的第一侧，第二目标存储单元位于该相邻存储单元的第二侧，数据恢复方法包括以下步骤。经由第一目标字线施加一第一编程电压至第一目标存储单元。在施加该第一编程电压同时，经由相邻字线施加一第二编程电压至相邻存储单元，且经由第二目标字线施加一第三编程电压至第二目标存储单元。

3、通过阅读以下附图、详细说明以及权利要求书，可见本公开的其他方面以及优点。

技术特征：

1.一种存储器装置的数据恢复方法，其中，该存储器装置包括多条字线、多条位线以及多个存储单元，这些存储单元至少包括一目标存储单元，这些字线至少包括一目标字线及一相邻字线，该相邻字线相邻于该目标字线，该目标字线连接于该目标存储单元的栅极，该相邻字线连接于一相邻存储单元的栅极，该相邻存储单元相邻于该目标存储单元，该数据恢复方法包括：

2.根据权利要求1所述的数据恢复方法，其中该第二编程电压大致相等于该第一编程电压。

3.根据权利要求1所述的数据恢复方法，其中该目标存储单元的一阈值电压对应于多个阈值电压状态，该数据恢复方法还包括：

4.根据权利要求3所述的数据恢复方法，其中这些阈值电压状态划分为一第一电压区间、一第二电压区间与一第三电压区间，该第一电压区间对应的该阈值电压小于该第二电压区间，该第二电压区间对应的该阈值电压小于该第三电压区间，该数据恢复方法还包括：

5.根据权利要求4所述的数据恢复方法，其中该目标存储单元为三阶存储单元，该目标存储单元的这些阈值电压状态由低电压值至高电压值为：一擦除状态、一第一状态、一第二状态、一第三状态、一第四状态、一第五状态、一第六状态及一第七状态，该数据恢复方法还包括：

6.一种存储器装置的数据恢复方法，其中，该存储器装置包括多条字线、多条位线以及多个存储单元，这些存储单元至少包括一第一目标存储单元及一第二目标存储单元，这些字线至少包括一第一目标字线、一第二目标字线及一相邻字线，该相邻字线相邻于该第一目标字线及该第二目标字线，该第一目标字线连接于该第一目标存储单元的栅极，该第二目标字线连接于该第二目标存储单元的栅极，该相邻字线连接于一相邻存储单元的栅极，该相邻存储单元相邻于该第一目标存储单元及该第二目标存储单元，该第一目标存储单元位于该相邻存储单元的一第一侧，该第二目标存储单元位于该相邻存储单元的一第二侧，该数据恢复方法包括：

7.根据权利要求6所述的数据恢复方法，其中该第一目标存储单元的一阈值电压与该第二目标存储单元的一阈值电压分别对应于多个阈值电压状态，该数据恢复方法还包括：

8.根据权利要求7所述的数据恢复方法，其中这些阈值电压状态划分为一第一电压区间、一第二电压区间与一第三电压区间，该第一电压区间对应的该阈值电压小于该第二电压区间，该第二电压区间对应的该阈值电压小于该第三电压区间，该数据恢复方法还包括：

9.根据权利要求8所述的数据恢复方法，还包括：

10.根据权利要求8所述的数据恢复方法，其中该第一目标存储单元及该第二目标存储单元皆为三阶存储单元，该第一目标存储单元及该第二目标存储单元的这些阈值电压状态由低电压值至高电压值为：一擦除状态、一第一状态、一第二状态、一第三状态、一第四状态、一第五状态、一第六状态及一第七状态，该数据恢复方法还包括：

技术总结本公开提供一种存储器装置的数据恢复方法。存储器装置具有目标存储单元、目标字线及相邻字线，相邻字线相邻于目标字线。目标字线连接于目标存储单元的栅极，相邻字线连接于相邻存储单元的栅极，相邻存储单元相邻于目标存储单元。数据恢复方法包括以下步骤。经由目标字线施加第一编程电压至目标存储单元。在施加第一编程电压同时，经由相邻字线施加第二编程电压至相邻存储单元。技术研发人员：周佑亮,蔡文哲受保护的技术使用者：旺宏电子股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/4/22