存储器的自刷新频率测试方法、装置、设备及介质与流程

所属的技术人员能够理解，本公开的各个方面可以实现为系统、方法或程序产品。因此，本公开的各个方面可以具体实现为以下形式，即：完全的硬件实施方式、完全的软件实施方式(包括固件、微代码等)，或硬件和软件方面结合的实施方式，这里可以统称为“电路”、“模块”或“系统”。下面参照图13来描述根据本公开的这种实施方式的电子设备1300。图13显示的电子设备1300仅仅是一个示例，不应对本公开实施例的功能和使用范围带来任何限制。如图13所示，电子设备1300以通用计算设备的形式表现。电子设备1300的组件可以包括但不限于：上述至少一个处理单元1310、上述至少一个存储单元1320、连接不同系统组件(包括存储单元1320和处理单元1310)的总线1330。其中，所述存储单元存储有程序代码，所述程序代码可以被所述处理单元1310执行，使得所述处理单元1310执行本说明书上述“示例性方法”部分中描述的根据本公开各种示例性实施方式的步骤。存储单元1320可以包括易失性存储单元形式的可读介质，例如随机存取存储单元(ram)13201和/或高速缓存存储单元13202，还可以进一步包括只读存储单元(rom)13203。存储单元1320还可以包括具有一组(至少一个)程序模块13205的程序/实用工具13204，这样的程序模块13205包括但不限于：操作系统、一个或者多个应用程序、其它程序模块以及程序数据，这些示例中的每一个或某种组合中可能包括网络环境的实现。总线1330可以为表示几类总线结构中的一种或多种，包括存储单元总线或者存储单元控制器、外围总线、图形加速端口、处理单元或者使用多种总线结构中的任意总线结构的局域总线。电子设备1300也可以与一个或多个外部设备1340(例如键盘、指向设备、蓝牙设备等)通信，还可与一个或者多个使得用户能与该电子设备1300交互的设备通信，和/或与使得该电子设备1300能与一个或多个其它计算设备进行通信的任何设备(例如路由器、调制解调器等等)通信。这种通信可以通过输入/输出(i/o)接口1350进行。并且，电子设备1300还可以通过网络适配器1360与一个或者多个网络(例如局域网(lan)，广域网(wan)和/或公共网络，例如因特网)通信。如图13所示，网络适配器1360通过总线1330与电子设备1300的其它模块通信。应当明白，尽管图中未示出，可以结合电子设备1300使用其它硬件和/或软件模块，包括但不限于：微代码、设备驱动器、冗余处理单元、外部磁盘驱动阵列、raid系统、磁带驱动器以及数据备份存储系统等。通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员易于理解，这里描述的示例实施方式可以通过软件实现，也可以通过软件结合必要的硬件的方式来实现。因此，根据本公开实施方式的技术方案可以以软件产品的形式体现出来，该软件产品可以存储在一个非易失性存储介质(可以是cd-rom，u盘，移动硬盘等)中或网络上，包括若干指令以使得一台计算设备(可以是个人计算机、服务器、终端装置、或者网络设备等)执行根据本公开实施方式的方法。在本公开的示例性实施例中，还提供了一种计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质可以是可读信号介质或者可读存储介质。图14示出本公开实施例中一种计算机可读存储介质示意图，如图14所示，该计算机可读存储介质1400上存储有能够实现本公开上述方法的程序产品。在一些可能的实施方式中，本公开的各个方面还可以实现为一种程序产品的形式，其包括程序代码，当所述程序产品在终端设备上运行时，所述程序代码用于使所述终端设备执行本说明书上述“示例性方法”部分中描述的根据本公开各种示例性实施方式的步骤。本公开中的计算机可读存储介质的更具体的例子可以包括但不限于：具有一个或多个导线的电连接、便携式计算机磁盘、硬盘、随机访问存储器(ram)、只读存储器(rom)、可擦式可编程只读存储器(eprom或闪存)、光纤、便携式紧凑磁盘只读存储器(cd-rom)、光存储器件、磁存储器件、或者上述的任意合适的组合。在本公开中，计算机可读存储介质可以包括在基带中或者作为载波一部分传播的数据信号，其中承载了可读程序代码。这种传播的数据信号可以采用多种形式，包括但不限于电磁信号、光信号或上述的任意合适的组合。可读信号介质还可以是可读存储介质以外的任何可读介质，该可读介质可以发送、传播或者传输用于由指令执行系统、装置或者器件使用或者与其结合使用的程序。在一些示例中，计算机可读存储介质上包含的程序代码可以用任何适当的介质传输，包括但不限于无线、有线、光缆、rf等等，或者上述的任意合适的组合。在具体实施时，可以以一种或多种程序设计语言的任意组合来编写用于执行本公开操作的程序代码，所述程序设计语言包括面向对象的程序设计语言—诸如java、c++等，还包括常规的过程式程序设计语言—诸如“c”语言或类似的程序设计语言。程序代码可以完全地在用户计算设备上执行、部分地在用户设备上执行、作为一个独立的软件包执行、部分在用户计算设备上部分在远程计算设备上执行、或者完全在远程计算设备或服务器上执行。在涉及远程计算设备的情形中，远程计算设备可以通过任意种类的网络，包括局域网(lan)或广域网(wan)，连接到用户计算设备，或者，可以连接到外部计算设备(例如利用因特网服务提供商来通过因特网连接)。本公开实施例提供了一种计算机程序产品或计算机程序，该计算机程序产品或计算机程序包括计算机指令，该计算机指令存储在计算机可读存储介质中。计算机设备的处理器从计算机可读存储介质读取该计算机指令，处理器执行该计算机指令，使得该计算机设备执行本公开任一实施例中的各种可选方式中提供的存储器的自刷新频率测试方法。应当注意，尽管在上文详细描述中提及了用于动作执行的设备的若干模块或者单元，但是这种划分并非强制性的。实际上，根据本公开的实施方式，上文描述的两个或更多模块或者单元的特征和功能可以在一个模块或者单元中具体化。反之，上文描述的一个模块或者单元的特征和功能可以进一步划分为由多个模块或者单元来具体化。此外，尽管在附图中以特定顺序描述了本公开中方法的各个步骤，但是，这并非要求或者暗示必须按照该特定顺序来执行这些步骤，或是必须执行全部所示的步骤才能实现期望的结果。附加的或备选的，可以省略某些步骤，将多个步骤合并为一个步骤执行，以及/或者将一个步骤分解为多个步骤执行等。通过以上实施方式的描述，本领域的技术人员易于理解，这里描述的示例实施方式可以通过软件实现，也可以通过软件结合必要的硬件的方式来实现。因此，根据本公开实施方式的技术方案可以以软件产品的形式体现出来，该软件产品可以存储在一个非易失性存储介质(可以是cd-rom，u盘，移动硬盘等)中或网络上，包括若干指令以使得一台计算设备(可以是个人计算机、服务器、移动终端、或者网络设备等)执行根据本公开实施方式的方法。本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其它实施方案。本公开旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由所附的权利要求指出。

背景技术：

1、由于诸如制作工艺等原因的限制，存储器各存储单元的栅极电容上的电荷往往随时间流失，当电荷数量低于一定阈值时，将无法正确读取存储单元所存储的数据。因此，为了防止数据丢失，往往需要通过自刷新对存储单元的栅极电容上随时间流失的电荷进行补充。因此，自刷新频率因其能够反映存储器的功耗及数据保存能力，成为了存储器的一项重要参数。相应地，如何测试存储器的自刷新频率成为了半导体技术领域的研究方向之一。

2、在一种相关技术中，可以通过示波器测量自刷新过程中芯片的电源电流波形，来确定存储器的自刷新频率。

3、然而，该相关技术的自刷新频率测试精度较低，因此，如何准确检测存储器的自刷新频率成为了亟待解决的问题。

4、需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现思路

1、本公开提供一种存储器的自刷新频率测试方法、装置、设备及介质，至少在一定程度上克服由于存储器的自刷新频率测试精度较低的问题。

2、本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本公开的实践而习得。

3、根据本公开的一个方面，提供了一种存储器的自刷新频率测试方法，包括：

4、获取待测存储器的读写测试结果，其中，读写测试结果包括多组测试数据，每组测试数据对应一个自刷新命令的保持时长，每组测试数据包括至少一个读写状态参数，每个读写状态参数对应一个退出自刷新命令的时延时长，每个读写状态参数为表征待测存储器在所对应的保持时长以及时延时长下读写成功或者读写失败；

5、基于读写测试结果，确定多个基准保持时长，其中，各基准保持时长为存在表征读写失败的读写状态参数的一组测试数据所对应的保持时长；

6、根据多个基准保持时长，确定待测存储器的自刷新频率。

7、在一个实施例中，根据多个基准保持时长，确定待测存储器的自刷新频率，包括：

8、对于多个基准保持时长，确定任意相邻两个基准保持时长之间的时间间隔，得到至少一个自刷新频率值；

9、基于至少一个自刷新频率值，确定待测存储器的自刷新频率。

10、在一个实施例中，获取待测存储器的读写测试结果之前，方法还包括：

11、针对待测存储器进行多次自刷新频率测试，得到多次自刷新频率测试对应的读写状态参数，每次自刷新频率测试对应于一个保持时长以及一个时延时长，每次自刷新频率测试用于生成一个读写状态参数，

12、其中，在每次自刷新频率测试中，执行如下步骤：

13、控制待测存储器进入自刷新状态；

14、在自刷新状态的实时保持时长达到本次自刷新频率测试对应的保持时长的情况下，控制待测存储器退出自刷新状态；

15、在退出自刷新状态的持续时长达到本次自刷新频率测试对应的时延时长的情况下，将测试数据写入待测存储器；

16、对写入有测试数据的待测存储器中进行数据读取，得到读出数据；

17、基于测试数据和读出数据是否相同，生成本次自刷新频率测试对应的读写状态参数。

18、在一个实施例中，控制待测存储器进入自刷新状态，包括：

19、向待测存储器发送自刷新进入命令，以使待测存储器响应于自刷新进入命令进入自刷新状态；

20、和/或，

21、控制待测存储器退出自刷新状态，包括：

22、向待测控制器发送自刷新退出命令，以使待测存储器响应于自刷新退出命令退出自刷新状态。

23、在一个实施例中，待测存储器包括有多个控制信号端，

24、向待测存储器发送自刷新进入命令，包括：

25、针对每一控制信号端，按照预设标准协议，确定与自刷新进入命令对应的第一目标电平状态；

26、针对每一控制信号端，将该控制信号端的实际电平状态设置为该控制信号端对应的第一目标电平状态，以使待测存储器基于多个控制信号端的实际电平状态确定接收到自刷新进入命令；

27、和/或，

28、向待测控制器发送自刷新退出命令，包括：

29、针对每一控制信号端，按照预设标准协议，确定与自刷新退出命令对应的第二目标电平状态；

30、针对每一控制信号端，将该控制信号端的实际电平状态设置为该控制信号端对应的第二目标电平状态，以使待测存储器基于多个控制信号端的实际电平状态确定接收到自刷新退出命令。

31、在一个实施例中，在退出自刷新状态的持续时长达到本次自刷新频率测试对应的时延时长的情况下，将测试数据写入待测存储器，包括：

32、当退出自刷新状态的持续时长达到本次自刷新频率测试对应的时延时长时，向退出自刷新状态的待测存储器发送读写控制命令，以通过读写控制命令控制待测存储器进行测试数据的写入。

33、在一个实施例中，多次自刷新频率测试被分为多组，每组自刷新频率测试中的各次自刷新频率测试对应于同一保持时长；

34、对写入有测试数据的待测存储器中进行数据读取，得到读出数据之后，方法还包括：

35、判断是否完成本组自刷新频率测试；

36、在未完成本组自刷新频率测试的情况下，对本次自刷新频率测试对应的时延时长进行更新，得到下次刷新频率测试对应的时延时长，以基于下次刷新频率测试对应的时延时长执行下一次自刷新频率测试；

37、在完成本组自刷新频率测试的情况下，对本次自刷新频率测试对应的保持时长进行更新，得到下组自刷新频率测试中的各次自刷新频率测试对应的保持时长，以基于下组自刷新频率测试中的各次自刷新频率测试对应的保持时长执行下组自刷新频率测试中的各次自刷新频率测试。

38、在一个实施例中，控制待测存储器进入自刷新状态之前，方法还包括：

39、在待测存储器写入背景数据；

40、其中，控制待测存储器进入自刷新状态，包括：

41、控制写入有背景数据的待测存储器进入自刷新状态。

42、在一个实施例中，读写测试结果包括：对应于预设自刷新频率测试因素下的多个测试量各自对应的读写测试结果；

43、基于读写测试结果，确定多个基准保持时长，包括：

44、针对每一测试量，确定该测试量对应的多个基准保持时长；

45、根据多个基准保持时长，确定待测存储器的自刷新频率，包括：

46、基于多个测试量各自对应的多个基准保持时长，确定待测存储器在多个测试量下的自刷新频率。

47、在一个实施例中，预设自刷新频率测试因素包括：

48、待测存储器的环境温度和/或待测存储器的类型。

49、在一个实施例中，根据多个基准保持时长，确定待测存储器的自刷新频率之后，方法还包括：

50、获取预设标准协议规定的自刷新频率规范值；

51、基于所确定的自刷新频率和自刷新频率规范值，得到存储器的自刷新功能的验证结果，验证结果表征存储器的自刷新功能是否异常。

52、在一个实施例中，基于读写测试结果，确定多个基准保持时长，包括：

53、基于读写测试结果，生成shmoo测试图，其中，shmoo测试图包括多个图像序列，每个图像序列对应读写测试结果中的一组测试数据，每个图像序列包括至少一个图像单元，每一图像单元对应一个读写状态参数，每一图像单元具有可视化标识，可视化标识用于标识读写成功或者读写失败；

54、基于shmoo测试图，确定多个基准保持时长。

55、根据本公开的另一个方面，提供一种存储器的自刷新频率测试装置，包括：

56、结果获取模块，用于获取待测存储器的读写测试结果，其中，读写测试结果包括多组测试数据，每组测试数据对应一个自刷新命令的保持时长，每组测试数据包括至少一个读写状态参数，每个读写状态参数对应一个退出自刷新命令的时延时长，每个读写状态参数为表征待测存储器在所对应的保持时长以及时延时长下读写成功或者读写失败；

57、时长确定模块，用于基于读写测试结果，确定多个基准保持时长，其中，各基准保持时长为存在表征读写失败的读写状态参数的一组测试数据所对应的保持时长；

58、频率确定模块，用于根据多个基准保持时长，确定待测存储器的自刷新频率。

59、根据本公开的又一个方面，提供一种电子设备，包括：处理器；以及存储器，用于存储处理器的可执行指令；其中，处理器配置为经由执行可执行指令来执行上述的存储器的自刷新频率测试方法。

60、根据本公开的再一个方面，提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现上述的存储器的自刷新频率测试方法。

61、根据本公开的再一个方面，提供一种计算机程序产品，包括计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现上述的存储器的自刷新频率测试方法。

62、本公开实施例所提供的存储器的自刷新频率测试方法、装置、设备及介质，可以获取待测存储器的读写测试结果，其中，读写测试结果的多组测试数据对应于不同的自刷新命令的保持时长，以及每组测试数据包括至少一个对应于不同退出自刷新命令的时延时长的读写状态数据。由于存储器在自刷新模式下会进行至少一次刷新，当在达到保持时长以及时延时长时若未结束刷新，将导致本次读写失败。相应地，随着存储器的自刷新命令的保持时长以及退出自刷新命令的时延时长的变化，在每次自刷新时存储器将出现读写失败，因此，表征读写失败的读写状态参数所对应的基准保持时长能够准确的表征待测存储器的自刷新频率。相应地，通过多个基准保持时长能够准确的确定存储器的自刷新频率，提高了自刷新频率的检测精度。

63、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。