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一种存储芯片的修复方法及装置、计算机存储介质与流程

  • 国知局
  • 2024-07-31 19:50:35

本申请涉及存储,尤其涉及一种存储芯片的修复方法及装置、计算机存储介质。

背景技术:

1、在存储芯片生产过程中,可能因为设计、制造工艺等影响,导致存储芯片中的存储单元损坏(失效),降低了存储芯片的产品良率。为此,需要对失效的存储单元进行修复。

2、目前的修复方法,大多聚焦于在测试过程中已经产生失效的存储单元,对于那些在测试过程中尚未失效但会随着产品使用而产生失效的存储单元,缺少一种有效的修复方法。

技术实现思路

1、本申请提供一种存储芯片的修复方法及装置、计算机存储介质,能够对失效的存储单元以及可能失效的存储单元进行修复,提升产品可靠性和使用寿命。

2、第一方面,本申请提供一种存储芯片的修复方法,所述存储芯片包括存储阵列和冗余阵列,所述存储阵列包括多个存储单元,所述冗余阵列包括多个冗余单元,所述方法包括:当所述存储阵列中存在第一存储单元时,从所述冗余阵列中选取若干所述冗余单元作为修复单元;采用所述修复单元对目标单元进行替换修复;其中,所述目标单元包括第一存储单元和第二存储单元,所述第一存储单元包括失效的存储单元,所述第二存储单元包括所述存储阵列中与所述第一存储单元满足预设位置关系的其他存储单元。

3、在一种实现方式中,所述的从所述冗余阵列中选取若干所述冗余单元作为修复单元,包括:从所述冗余阵列中选取与所述目标单元数量相同的所述冗余单元作为修复单元。根据目标单元数量进行精准修复,提升修复准确性,从而提高产品良率。

4、在一种实现方式中,所述的从所述冗余阵列中选取若干所述冗余单元作为修复单元,包括:从所述冗余阵列中选取冗余位线,将所述冗余位线中的所有所述冗余单元作为所述修复单元;所述冗余位线的数量与所述目标单元的数量相同;所述的采用所述修复单元对所述目标单元进行替换修复,包括:采用所述冗余位线中的所有所述冗余单元,替换所述目标单元所在的第一位线中的所有存储单元,从而对所述目标单元进行替换修复。根据冗余位线进行整列替换,提升修复效率和产品可靠性。

5、在一种实现方式中,所述第二存储单元,包括所述存储阵列中与所述第一存储单元相邻的其他存储单元。

6、在一种实现方式中,所述第二存储单元,包括所述存储阵列中与所述第一存储单元位相邻,且与所述第一存储单元位于同一分组的其他存储单元;所述分组根据存储单元的源极线进行划分,共用同一源极线的两根位线为一个所述分组。

7、第二方面,本申请提供一种存储芯片的修复装置,所述存储芯片包括存储阵列和冗余阵列,所述存储阵列包括多个存储单元,所述冗余阵列包括多个冗余单元,所述装置包括:选取模块,用于当所述存储阵列中存在第一存储单元时,从所述冗余阵列中选取若干所述冗余单元作为修复单元;修复模块,用于采用所述修复单元对目标单元进行替换修复;其中,所述目标单元包括第一存储单元和第二存储单元,所述第一存储单元包括失效的存储单元,所述第二存储单元包括所述存储阵列中与所述第一存储单元满足预设位置关系的其他存储单元。

8、在一种实现中,所述选取模块,用于从所述冗余阵列中选取与所述目标单元数量相同的所述冗余单元作为修复单元。

9、在一种实现中,所述选取模块,用于从所述冗余阵列中选取冗余位线,将所述冗余位线中的所有所述冗余单元作为所述修复单元;所述冗余位线的数量与所述目标单元的数量相同;

10、所述修复模块,用于采用所述冗余位线中的所有所述冗余单元,替换所述目标单元所在的第一位线中的所有存储单元,从而对所述目标单元进行替换修复。

11、在一种实现中,所述第二存储单元,包括所述存储阵列中与所述第一存储单元相邻的其他存储单元;

12、或者,所述第二存储单元,包括所述存储阵列中与所述第一存储单元位相邻,且与所述第一存储单元位于同一分组的其他存储单元;所述分组根据存储单元的源极线进行划分,共用同一源极线的两根位线为一个所述分组。

13、第三方面,本申请提供一种计算机存储介质,包括存储于其上的指令,该指令在被处理器调用时,如上述任一项所述的方法被执行。

14、与现有技术相比,本申请至少存在以下一项有益效果:

15、本申请能够同时对存储芯片中已经失效的存储单元以及可能出现早期失效的存储单元进行冗余修复,以降低潜在风险对芯片可靠性的影响,提高存储芯片的使用寿命。

技术特征:

1.一种存储芯片的修复方法,其特征在于,所述存储芯片包括存储阵列和冗余阵列,所述存储阵列包括多个存储单元,所述冗余阵列包括多个冗余单元,所述方法包括:

2.根据权利要求1所述的修复方法,其特征在于,所述的从所述冗余阵列中选取若干所述冗余单元作为修复单元,包括:

3.根据权利要求1所述的修复方法,其特征在于,所述的从所述冗余阵列中选取若干所述冗余单元作为修复单元,包括:从所述冗余阵列中选取冗余位线,将所述冗余位线中的所有所述冗余单元作为所述修复单元;所述冗余位线的数量与所述目标单元的数量相同;

4.根据权利要求1-3任一项所述的修复方法,其特征在于,

5.根据权利要求1-3任一所述的修复方法,其特征在于,所述第二存储单元,包括所述存储阵列中与所述第一存储单元位相邻,且与所述第一存储单元位于同一分组的其他存储单元;所述分组根据存储单元的源极线进行划分,共用同一源极线的两根位线为一个所述分组。

6.一种存储芯片的修复装置,其特征在于,所述存储芯片包括存储阵列和冗余阵列,所述存储阵列包括多个存储单元,所述冗余阵列包括多个冗余单元,所述装置包括:

7.根据权利要求6所述的修复装置,其特征在于,

8.根据权利要求6所述的修复装置,其特征在于,

9.根据权利要求6-8任一项所述的修复装置,其特征在于,

10.一种计算机存储介质,包括存储于其上的指令,该指令在被处理器调用时,如权利要求1-5任一项所述的方法被执行。

技术总结本申请公开了一种存储芯片修复的方法及装置、计算机存储介质,所述存储芯片包括存储阵列和冗余阵列,所述存储阵列包括多个存储单元,所述冗余阵列包括多个冗余单元,所述方法包括:当所述存储阵列中存在第一存储单元时,从所述冗余阵列中选取若干所述冗余单元作为修复单元;采用所述修复单元对目标单元进行替换修复;其中,所述目标单元包括第一存储单元和第二存储单元,所述第一存储单元包括失效的存储单元,所述第二存储单元包括所述存储阵列中与所述第一存储单元满足预设位置关系的其他存储单元。由此,提前对可能出现失效的芯片进行修复,能够提升产品可靠性和使用寿命。技术研发人员:倪文彬受保护的技术使用者:普冉半导体(上海)股份有限公司技术研发日:技术公布日:2024/4/22

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