非易失性存储器装置及其恢复方法、以及半导体装置与流程

公开涉及非易失性存储器装置和非易失性存储器装置的恢复方法。

背景技术：

1、存储器装置被用于存储数据，并且被分类为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。即使在电力被切断时，非易失性存储器装置也可存储数据。非易失性存储器装置主要被用作用于在广泛的应用装置(诸如，计算机和便携式通信装置)中存储程序和数据的大容量存储器。

2、近来，随着非易失性存储器装置具有越来越高的密度和越来越大的容量，各种问题正在出现。

技术实现思路

1、一些示例实施例提供可防止或减少热载流子注入(hci)现象的非易失性存储器装置以及非易失性存储器装置的恢复方法。

2、一些示例实施例提供可防止或减少读取干扰劣化的非易失性存储器装置以及非易失性存储器装置的恢复方法。

3、根据一些示例实施例的用于解决这些技术目的的一种非易失性存储器装置包括：存储器块，包括多个单元串、第一串选择线和第二串选择线，所述多个单元串包括多个串选择晶体管和多个存储器单元，第一串选择线连接到所述多个单元串中的第一单元串的串选择晶体管，第二串选择线连接到所述多个单元串中的第二单元串的串选择晶体管；以及控制电路，被配置为控制恢复操作以不同的驱动强度将恢复电压施加到第一串选择线和第二串选择线。

4、一些示例实施例包括一种非易失性存储器装置的恢复方法，所述非易失性存储器装置包括多个单元串，所述多个单元串包括多个串选择晶体管和多个存储器单元，所述恢复方法包括：将串选择导通电压施加到连接到所述多个单元串中的第一单元串的串选择晶体管的第一串选择线，并且将串选择截止电压施加到连接到所述多个单元串中的第二单元串的串选择晶体管的第二串选择线；将串选择导通电压施加到第一串选择线和第二串选择线；对第一串选择线的电压小于或等于第一参考电压的时段进行计数；以及基于所述时段的时间长度以不同的驱动强度将恢复电压施加到第一串选择线和第二串选择线。

5、根据一些示例实施例的一种半导体装置包括：基底；堆叠结构，包括在基底上彼此间隔一定距离堆叠的多个第一选择栅电极和多个存储器栅电极；第一沟道结构，穿透堆叠结构并且在第一方向上延伸；绝缘图案，在堆叠结构上并且覆盖第一沟道结构；导电图案，穿透绝缘图案并且与第一沟道结构连接；多个第二选择栅电极，在导电图案上；以及多个第二沟道结构，穿透所述多个第二选择栅电极并在第一方向上延伸，并且因此所述多个第二栅电极在与第一方向交叉的第二方向上的宽度彼此不同，其中，所述多个第二选择栅电极可以以不同的驱动强度被施加同一电压。

技术特征：

1.一种非易失性存储器装置，包括：

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中：

3.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中：

4.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，还包括：电压检测器，被配置为检测第一串选择线和第二串选择线之中的至少一条的电压，

5.根据权利要求4所述的非易失性存储器装置，还包括：电压生成器，被配置为生成串选择导通电压、串选择截止电压和恢复电压，

6.根据权利要求5所述的非易失性存储器装置，其中：

7.根据权利要求6所述的非易失性存储器装置，其中：

8.根据权利要求6所述的非易失性存储器装置，还包括：温度传感器，被配置为提供温度信息，

9.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中：

10.根据权利要求9所述的非易失性存储器装置，还包括：电压检测器，被配置为检测第一地选择线和第二地选择线中的至少一条的电压，

11.根据权利要求10所述的非易失性存储器装置，其中：

12.根据权利要求10所述的非易失性存储器装置，其中：

13.一种非易失性存储器装置的恢复方法，所述非易失性存储器装置包括多个单元串，所述多个单元串中的每个包括多个串选择晶体管和多个存储器单元，所述恢复方法包括：

14.根据权利要求13所述的非易失性存储器装置的恢复方法，其中：

15.根据权利要求13所述的非易失性存储器装置的恢复方法，还包括

16.根据权利要求13所述的非易失性存储器装置的恢复方法，其中：

17.根据权利要求16所述的非易失性存储器装置的恢复方法，其中：

18.一种半导体装置，包括：

19.根据权利要求18所述的半导体装置，其中：

20.根据权利要求18所述的半导体装置，其中：

技术总结提供非易失性存储器装置及其恢复方法、以及半导体装置，所述非易失性存储器装置包括：存储器块，包括多个单元串、第一串选择线和第二串选择线，所述多个单元串中的每个包括多个串选择晶体管和多个存储器单元，第一串选择线连接到所述多个单元串中的第一单元串的串选择晶体管，第二串选择线连接到所述多个单元串中的第二单元串的串选择晶体管；以及控制电路，被配置为控制恢复操作以不同的驱动强度将恢复电压施加到第一串选择线和第二串选择线。技术研发人员：金昊俊,柳载惪,李耀翰,赵志虎受保护的技术使用者：三星电子株式会社技术研发日：技术公布日：2024/7/23