可重复编程的存储器单元、控制方法及非易失性存储器与流程

本发明涉及非易失性存储器，特别涉及一种可重复编程的存储器单元、控制方法及非易失性存储器。

背景技术：

1、mtp(multiple-time programmable)是一种特殊类型的非易失性存储器(non-volatile memory),可允许多次编程，在消费电子、工业控制等方面都有着广泛应用。但随着使用中数据量的大幅增加，mtp也面临存储效率较低、成本较高的问题。

技术实现思路

1、本发明要解决的技术问题是为了克服现有技术中随着使用中数据量的大幅增加，mtp存在存储效率较低、成本较高的缺陷，提供一种可重复编程的存储器单元、控制方法及非易失性存储器。

2、本发明是通过下述技术方案来解决上述技术问题：

3、本发明提供一种可重复编程的存储器单元，所述可重复编程的存储器单元包括：衬底；

4、p-导电类型阱，位于所述衬底中；

5、第一n-导电类型阱和第二n-导电类型阱，位于所述衬底中；所述第一n-导电类型阱和所述第二n-导电类型阱彼此相互隔离；

6、以及第一浮置栅极，位于所述p-导电类型阱和所述第一n-导电类型阱之上；第二浮置栅极，位于所述p-导电类型阱和所述第二n-导电类型阱之上；所述第一浮置栅极和所述第二浮置栅极彼此相互隔离；

7、所述可重复编程的存储器单元用于通过向所述第一浮置栅极和/或所述第二浮置栅极注入热电子来进行编程并且通过对所述第一浮置栅极和/或所述第二浮置栅极移出热电子来进行擦除。

8、较佳地，所述p-导电类型阱为t型，用于阻隔所述第一n-导电类型阱和所述第二n-导电类型阱。

9、较佳地，所述可重复编程的存储器单元还包括：

10、字线控制栅，位于所述p-导电类型阱之上，且位于所述第一浮置栅极和所述浮置栅极之间；所述字线控制栅与所述第一浮置栅极和所述第二浮置栅极之间分别存在阻隔区。

11、较佳地，在所述第一浮置栅极附近设置连接所述第一n-导电类型阱的第一接触孔以调整所述第一n-导电类型阱的电压；和/或，

12、在所述第二浮置栅极附近设置连接所述第二n-导电类型阱的第二接触孔以调整所述第二n-导电类型阱的电压；和/或，

13、在所述第一浮置栅极附近设置连接所述p-导电类型阱的第三接触孔以调整所述第一浮置栅极附近的p-导电类型阱的电压；和/或，

14、在所述第二浮置栅极附近设置连接所述p-导电类型阱的第四接触孔以调整所述第二浮置栅极附近的p-导电类型阱的电压；和/或，

15、设置连接所述字线控制栅的第五接触孔以调整所述字线控制栅的电压。

16、较佳地，所述可重复编程的存储器单元通过施加以下电压来进行编程：

17、向所述第一接触孔施加正电压；

18、向所述第二接触孔施加正电压；

19、向所述第三接触孔或所述第四接触孔施加正电压；

20、向所述第四接触孔或所述第三接触孔施加地电压；

21、向所述第五接触孔施加正电压。

22、较佳地，所述可重复编程的存储器单元通过施加以下电压来进行擦除：

23、向所述第一接触孔和/或所述第二接触孔施加负电压；

24、向所述第三接触孔和/或所述第四接触孔施加正电压；

25、向所述衬底施加地电压。

26、较佳地，所述可重复编程的存储器单元通过施加以下电压来进行读取：

27、向所述第一接触孔施加正电压；

28、向所述第二接触孔施加正电压；

29、向所述第三接触孔或所述第四接触孔施加正电压；

30、向所述第四接触孔或所述第三接触孔施加地电压；

31、向所述第五接触孔施加正电压；

32、所述第一接触孔、所述第二接触孔和所述第五接触孔施加的正电压大于所述第三接触孔或所述第四接触孔施加的正电压。

33、本发明还提供一种可重复编程的存储器单元的控制方法，所述控制方法应用于如上所述的可重复编程的存储器单元；所述控制方法包括：

34、通过向所述第一浮置栅极和/或所述第二浮置栅极注入热电子进行编程；

35、通过对所述第一浮置栅极和/或所述第二浮置栅极移出热电子进行擦除。

36、本发明还提供一种非易失性存储器，所述非易失性存储器包括若干如上所述的可重复编程的存储器单元。

37、本发明还提供一种计算机程序产品，包括计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如上所述的可重复编程的存储器单元的控制方法。

38、本发明还提供一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行计算机程序时实现如上所述的可重复编程的存储器单元的控制方法。

39、本发明还提供一种计算机可读介质，其上存储有计算机指令，所述计算机指令在由处理器执行时实现如上所述的可重复编程的存储器单元的控制方法。

40、本发明的积极进步效果在于：

41、本发明提供的可重复编程的存储器单元，通过彼此相互隔离的第一n-导电类型阱和第二n-导电类型阱之上设置彼此相互隔离的第一浮置栅极和第二浮置栅极，并通过向第一浮置栅极和/或第二浮置栅极注入热电子来进行编程并且通过对第一浮置栅极和/或第二浮置栅极移出热电子来进行擦除，每个浮置栅极在读取或编程操作时都不会影响到另一浮置栅极，由此在一个存储单元内实现两个比特位信息的存储，相当于记录密度提高了一倍；相对于传统的浮栅技术，掩膜等工序更少，很大程度上降低了芯片的制造成本。

技术特征：

1.一种可重复编程的存储器单元，其特征在于，所述可重复编程的存储器单元包括：衬底；

2.如权利要求1所述的可重复编程的存储器单元，其特征在于，所述p-导电类型阱为t型，用于阻隔所述第一n-导电类型阱和所述第二n-导电类型阱。

3.如权利要求1所述的可重复编程的存储器单元，其特征在于，所述可重复编程的存储器单元还包括：

4.如权利要求3所述的可重复编程的存储器单元，其特征在于，在所述第一浮置栅极附近设置连接所述第一n-导电类型阱的第一接触孔以调整所述第一n-导电类型阱的电压；和/或，

5.如权利要求4所述的可重复编程的存储器单元，其特征在于，所述可重复编程的存储器单元通过施加以下电压来进行编程：

6.如权利要求4所述的可重复编程的存储器单元，其特征在于，所述可重复编程的存储器单元通过施加以下电压来进行擦除：

7.如权利要求4所述的可重复编程的存储器单元，其特征在于，所述可重复编程的存储器单元通过施加以下电压来进行读取：

8.一种可重复编程的存储器单元的控制方法，其特征在于，所述控制方法应用于如权利要求1-7中任一项所述的可重复编程的存储器单元；所述控制方法包括：

9.一种非易失性存储器，其特征在于，所述非易失性存储器包括若干如权利要求1-7中任一项所述的可重复编程的存储器单元。

10.一种计算机程序产品，包括计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求8所述的可重复编程的存储器单元的控制方法。

技术总结本发明公开了一种可重复编程的存储器单元、控制方法及非易失性存储器。所述可重复编程的存储器单元包括：衬底；P‑导电类型阱，位于所述衬底中；第一N‑导电类型阱和第二N‑导电类型阱，位于所述衬底中；所述第一N‑导电类型阱和所述第二N‑导电类型阱彼此相互隔离；以及第一浮置栅极，位于所述P‑导电类型阱和所述第一N‑导电类型阱之上；第二浮置栅极，位于所述P‑导电类型阱和所述第二N‑导电类型阱之上；所述第一浮置栅极和所述第二浮置栅极彼此相互隔离；本存储器单元的每个浮置栅极在读取或编程操作时都不会影响到另一浮置栅极，由此在一个存储单元内实现两个比特位信息的存储，相当于记录密度提高了一倍，工序更少，很大程度降低了芯片的制造成本。技术研发人员：汪大祥,史闻,李青,徐迪受保护的技术使用者：上海朗矽科技有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/9