字线缺陷检测电路、字线缺陷检测方法和存储器装置与流程

各种示例实施例涉及字线缺陷检测电路、字线缺陷检测方法和/或制造半导体装置的方法、和/或包括该字线缺陷检测电路的存储器装置，并且更具体地，涉及用于通过将特定电流施加到字线并根据施加的电流测量字线的电压改变来确定字线是否有缺陷的电路和/或方法。

背景技术：

1、近来开发的存储器装置具有3d存储器装置的形式。随着3d存储器单元阵列的堆叠层的数量增加，下栅极层可变得更薄并且分离字线的绝缘层可被破坏，从而导致字线之间的缺陷(诸如，短路)。

2、为了确定字线的缺陷，在相关技术中，预设电压被施加达特定时间段，并且是否发生泄漏电流被确定。然而，在相关技术中，预设电压必须被施加达特定时间段，并且可花费长时间来确定字线的缺陷。

3、因此，存在对用于减少确定字线的缺陷所需或所用的时间的技术的需要或期望。

技术实现思路

1、各种示例实施例提供在使字线放电之后通过基于施加的电流的字线的电压改变来检测字线是否有缺陷的方法。

2、与相关技术相比，各种示例实施例可减少通过字线缺陷检测方法检测字线的缺陷所需或所用的时间。

3、根据一些示例实施例，提供一种字线缺陷检测电路，所述字线缺陷检测电路被配置为检测至少一条字线的缺陷，所述至少一条字线是从存储器装置的多条字线选择的第一字线。所述字线检测检测电路包括：电流生成电路，被配置为使被选的第一字线放电，生成具有第一大小的检测参考电流，并且将检测参考电流施加到被选的第一字线；以及感测放大器，被配置为测量被选的第一字线的电压，所述电压基于检测参考电流而生成。响应于确定根据将检测参考电流施加到被选的第一字线的所述电压具有小于第一参考电压的值，所述字线缺陷检测电路被配置为检测到被选的第一字线中存在的缺陷，并且响应于被选的第一字线的所述电压等于第一参考电压，所述字线缺陷检测电路被配置为确定被选的第一字线没有缺陷。

4、可选地或附加地，根据一些示例实施例，提供一种字线缺陷检测方法，所述字线缺陷检测方法检测从存储器装置的多条字线选择的至少一条第一字线的缺陷。所述字线缺陷检测方法包括：生成具有第一大小的检测参考电流；将检测参考电流施加到被选的第一字线；测量被选的第一字线的基于检测参考电流而生成的电压；以及在确定被选的第一字线的所述电压具有小于参考电压的值时，检测到被选的第一字线的缺陷。在检测被选的第一字线的缺陷的步骤中，响应于被选的第一字线的所述电压等于参考电压，确定被选的第一字线没有缺陷。

5、可选地或附加地，根据各种示例实施例，提供一种存储器装置，所述存储器装置包括用于检测多条字线之中的至少一条被选字线的缺陷的电路。所述存储器装置包括：电流生成电路，被配置为生成具有第一大小的检测参考电流，并且将检测参考电流施加到被选字线；以及感测放大器，被配置为测量被选字线的基于检测参考电流生成的电压。响应于确定被选字线的所述电压具有小于第一参考电压的值，所述存储器装置被配置为检测到被选字线的缺陷。

技术特征：

1.一种字线缺陷检测电路，所述字线缺陷检测电路被配置为检测至少一条字线的缺陷，所述至少一条字线是从存储器装置的多条字线选择的第一字线，所述字线缺陷检测电路包括：

2.根据权利要求1所述的字线缺陷检测电路，其中，电流生成电路包括：

3.根据权利要求1所述的字线缺陷检测电路，其中，被选的第一字线的所述电压是被选的第一字线的由于检测参考电流的施加而生成的电压，或者是所述生成的电压的分压后的电压，

4.根据权利要求1所述的字线缺陷检测电路，其中

5.根据权利要求1所述的字线缺陷检测电路，其中，检测参考电流被设置为具有与待从被选的第一字线检测的泄漏电流的大小相同的大小。

6.根据权利要求4所述的字线缺陷检测电路，其中，响应于检测参考电流被施加，处理器被配置为测量被选的第一字线的所述电压达到参考电压所花费的第一到达时间，并且将第一到达时间设置为用于检测被选的第二字线是否有缺陷的第一参考。

7.根据权利要求6所述的字线缺陷检测电路，其中

8.根据权利要求7所述的字线缺陷检测电路，其中，响应于确定第二到达时间小于第二参考，处理器被配置为确定被选的第二字线处于开路状态。

9.一种字线缺陷检测方法，所述字线缺陷检测方法检测从存储器装置的多条字线选择的至少一条第一字线的缺陷，所述字线缺陷检测方法包括：

10.根据权利要求9所述的字线缺陷检测方法，其中

11.根据权利要求9所述的字线缺陷检测方法，其中，被选的第一字线的所述电压是被选的第一字线的由于检测参考电流的施加而生成的电压，或者是所述生成的电压的分压后的电压，并且

12.根据权利要求9所述的字线缺陷检测方法，还包括：

13.根据权利要求9所述的字线缺陷检测方法，其中，生成检测参考电流的步骤包括：将检测参考电流设置为具有与待从被选的第一字线检测的泄漏电流的大小相同的大小。

14.根据权利要求12所述的字线缺陷检测方法，其中

15.根据权利要求14所述的字线缺陷检测方法，其中

16.根据权利要求15所述的字线缺陷检测方法，还包括：

17.一种存储器装置，所述存储器装置包括：

18.根据权利要求17所述的存储器装置，其中

19.根据权利要求17所述的存储器装置，其中，被选字线的所述电压是被选字线的由于检测参考电流的施加而生成的电压，或者是所述生成的电压的分压后的电压，

20.根据权利要求17所述的存储器装置，其中，被选字线的初始电压被设置为地电压，并且感测放大器被配置为测量被选字线的根据检测参考电流的施加的所述电压。

技术总结提供字线缺陷检测电路、字线缺陷检测方法和存储器装置。所述字线缺陷检测电路被配置为检测从存储器装置的多条字线之中选择的至少一条字线的缺陷，所述字线缺陷检测电路包括：电流生成电路，被配置为生成具有第一大小的检测参考电流并将检测参考电流施加到被选字线；以及感测放大器，被配置为测量基于检测参考电流而生成的被选字线的电压。所述字线缺陷检测电路可被配置为响应于被选字线的所述电压具有小于第一参考电压的值而检测到被选字线的缺陷。技术研发人员：尹梓洋,金成晋,金治贤,朴俊泓,崔亨途受保护的技术使用者：三星电子株式会社技术研发日：技术公布日：2024/7/9