对多个字线的读取电平进行时间标记以用于开放块数据保留的制作方法

本申请涉及非易失性存储器装置和非易失性存储器装置的操作。

背景技术：

1、本节段提供与本公开相关联的技术相关的背景信息，并且由此不一定为现有技术。

2、半导体存储器装置已经变得越来越普遍用于各种电子设备。例如，非易失性半导体存储器用于蜂窝电话、数字相机、个人数字助理、移动计算设备、非移动计算设备以及其他设备。

3、电荷存储材料(诸如浮栅)或电荷俘获材料可用于此类存储器装置中以存储表示数据状态的电荷。电荷俘获材料可以被垂直布置在三维(3d)堆叠的存储器结构中，或者被水平布置在二维(2d)存储器结构中。3d存储器结构的一个示例是位成本可扩展(bics)体系结构，该体系结构包括交替的导电层和介电层的堆叠。

技术实现思路

1、本节段提供了本公开的一般概述，并且不是其全部范围或其所有特征和优点的全面公开。

2、本公开的目的是提供解决和克服本文所述的缺点的存储器装置和操作该存储器装置的方法。

3、因此，本公开的一方面是一种装置，该装置包括：多个存储器单元和耦合到该多个存储器单元的控制电路。该控制电路被配置为：获取多个存储器单元中的第一组存储器单元的第一页面块的字线上的第一组读取电平；使用第一组读取电平对多个存储器单元中的第二组存储器单元的第二页面块的页面执行第一读取操作；确定在第一读取操作之后页面的失败位计数是否高于阈值量；响应于确定在第一读取操作之后页面的失败位计数高于阈值量，获取第二块的第一字线上的第二组读取电平；使用第二组读取电平对页面执行第二读取操作；确定在第二读取操作之后页面的失败位计数是否高于阈值量；响应于确定在第二读取操作之后页面的失败位计数高于阈值量，获取第二块的第二字线上的第三组读取电平；以及使用第三组读取电平对页面执行第三读取操作。

4、因此，本公开的另一方面是一种操作非易失性半导体存储器设备的方法。该方法包括：获取第一组存储器单元的第一页面块的字线上的第一组读取电平；使用第一组读取电平对多个存储器单元中的第二组存储器单元的第二页面块的页面执行第一读取操作；确定在第一读取操作之后页面的失败位计数是否高于阈值量；响应于确定在第一读取操作之后页面的失败位计数高于阈值量，获取第二块的第一字线上的第二组读取电平；使用第二组读取电平对页面执行第二读取操作；确定在第二读取操作之后页面的失败位计数是否高于阈值量；响应于确定在第二读取操作之后页面的失败位计数高于阈值量，获取第二块的第二字线上的第三组读取电平；以及使用第三组读取电平对页面执行第三读取操作。

5、因此，本公开的另一方面是一种装置，该装置包括：用于获取第一组存储器单元的第一页面块的字线上的第一组读取电平的部件；用于使用第一组读取电平对多个存储器单元中的第二组存储器单元的第二页面块的页面执行第一读取操作的部件；用于确定在第一读取操作之后页面的失败位计数是否高于阈值量的部件；用于响应于确定在第一读取操作之后页面的失败位计数高于阈值量而获取第二块的第一字线上的第二组读取电平的部件；用于使用第二组读取电平对页面执行第二读取操作的部件；用于确定在第二读取操作之后页面的失败位计数是否高于阈值量的部件；用于响应于确定在第二读取操作之后页面的失败位计数高于阈值量而获取第二块的第二字线上的第三组读取电平的部件；和使用第三组读取电平对页面执行第三读取操作的部件。

6、根据本文提供的描述，另外的适用领域将变得显而易见。本技术实现要素：中的描述和具体示例仅旨在用于例证的目的，并非旨在限制本发明的范围。

技术特征：

1.一种装置，所述装置包括：

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述控制电路被进一步配置为：

3.根据权利要求2所述的装置，其中所述控制电路被进一步配置为：

4.根据权利要求1所述的装置，其中所述控制电路被进一步配置为：

5.根据权利要求1所述的装置，其中所述控制电路被进一步配置为：

6.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一块的所述字线和所述第二块的所述第一字线是相同的逻辑字线。

7.根据权利要求1所述的装置，其中所述第二块的所述第一字线是高于所述第二块的所述第二字线的逻辑字线的逻辑字线。

8.一种操作非易失性半导体存储器设备的方法，所述方法包括：

9.根据权利要求8所述的方法，所述方法还包括：

10.根据权利要求9所述的方法，所述方法还包括：

11.根据权利要求8所述的方法，所述方法还包括：

12.根据权利要求8所述的方法，所述方法还包括：

13.根据权利要求8所述的方法，其中所述第一块的所述字线和所述第二块的所述第一字线是相同的逻辑字线。

14.根据权利要求8所述的方法，其中所述第二块的所述第一字线是高于所述第二块的所述第二字线的逻辑字线的逻辑字线。

15.一种装置，所述装置包括：

16.根据权利要求15所述的装置，所述装置还包括：

17.根据权利要求16所述的装置，所述装置还包括：

18.根据权利要求15所述的装置，所述装置还包括：

19.根据权利要求15所述的装置，所述装置还包括：

20.根据权利要求15所述的装置，其中所述第一块的所述字线和所述第二块的所述第一字线是相同的逻辑字线。

技术总结本文公开的装置包括：多个存储器单元和耦合到该多个存储器单元的控制电路。该控制电路被配置为：获取存储器单元的第一页面块的字线上的第一组读取电平；响应于确定在读取操作之后页面的失败位计数高于阈值量，获取在第二组存储器单元的第二页面块的第一字线上的第二组读取电平；以及响应于确定在第二读取操作之后该页面的该失败位计数高于该阈值量，获取在该第二块的第二字线上的第三组读取电平。技术研发人员：E·佩佐,H·秦,J·刘,D-I·牧恩受保护的技术使用者：闪迪技术有限公司技术研发日：技术公布日：2024/6/26