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包括输入输出电路的装置、包括装置的系统及其操作方法与流程

  • 国知局
  • 2024-07-31 20:03:28

本发明构思涉及装置、包括该装置的系统以及该系统的操作方法,更具体地,涉及包括输入/输出电路的装置、包括该装置的系统以及该系统的操作方法。

背景技术:

1、随着半导体技术的进步,装置的集成度增加,数据的吞吐量增加,并且对增加装置的输入/输出性能的需求增加。例如,已经在开发用于增加装置的数据传输速度的各种方法,并且装置的输入/输出操作速度可能对这种性能增加具有很大影响。

2、特别地,为了增大装置的输入/输出操作速度,可能期望将实际执行输入/输出操作的装置与不执行输入/输出操作的装置区分开,并结合区分结果来控制该装置。

3、另外,随着用于半导体装置的更高性能的小型化工艺的逐渐发展,半导体装置的泄漏电流可能逐渐增加。为了降低功耗,非常需要控制泄漏电流。因此,用于提高装置的操作速度并降低装置的功耗的技术正在开发中。

技术实现思路

1、根据本发明构思的实施例,一种装置包括输入/输出电路,其中,输入/输出电路包括:控制电路,其被配置为接收指示装置是否被激活的信号;可变电压源,其被配置为基于由控制电路接收的信号根据控制电路的控制操作来产生可变电压;输出驱动器,其包括第一晶体管和第二晶体管;以及焊盘,其被配置为输出由输出驱动器产生的电流,并且其中,可变电压源被配置为向第一晶体管的主体和第二晶体管的主体提供可变电压。

2、根据本发明构思的实施例,一种从装置输入和输出数据的方法包括:接收指示装置是否被激活的使能信号;响应于使能信号产生控制信号;基于控制信号产生可变电压;将可变电压施加到输出晶体管的主体;以及输出由输出晶体管产生的电流。

3、根据本发明构思的实施例,一种系统包括:第一芯片;以及控制器,其电连接到第一芯片,其中第一芯片的输入/输出电路包括:控制电路,其被配置为从控制器接收指示第一芯片是否被激活的使能信号;可变电压源,其被配置为基于使能信号根据控制电路的控制操作来产生可变电压;驱动器,其包括上拉晶体管和下拉晶体管;以及

4、焊盘,其被配置为输出由驱动器产生的电流,并且其中,可变电压源将可变电压提供给上拉晶体管的主体和下拉晶体管的主体。

技术特征:

1.一种电子装置,包括:

2.根据权利要求1所述的电子装置,其中,所述控制电路被配置为在所述信号处于激活状态时控制所述可变电压源产生参考电压。

3.根据权利要求1所述的电子装置,其中,基于预设值或外部控制来调整由所述可变电压源产生的所述可变电压的大小。

4.根据权利要求1所述的电子装置,其中,所述第一晶体管和所述第二晶体管中的每一个为n沟道金属氧化物半导体晶体管。

5.根据权利要求4所述的电子装置,其中,所述控制电路被配置为在所述信号处于非激活状态时控制所述可变电压源产生低于参考电压的电压。

6.根据权利要求4所述的电子装置,其中,所述控制电路被配置为在所述信号处于激活状态时控制所述可变电压源产生高于参考电压的电压。

7.根据权利要求1所述的电子装置,其中,所述可变电压源被配置为产生从低于参考电压的电压变化到高于电源电压的电压的可变电压。

8.根据权利要求1所述的电子装置,其中,所述第一晶体管和所述第二晶体管中的每一个是p沟道金属氧化物半导体晶体管。

9.根据权利要求8所述的电子装置,其中,所述控制电路被配置为在所述信号处于非激活状态时控制所述可变电压源产生高于参考电压的电压。

10.根据权利要求8所述的电子装置,其中,所述控制电路被配置为在所述信号处于激活状态时控制所述可变电压源产生低于参考电压的电压。

11.一种从电子装置输入和输出数据的方法,所述方法包括:

12.根据权利要求11所述的方法,其中,产生所述控制信号包括在所述使能信号处于激活状态时,产生所述控制信号,使得产生所述可变电压作为参考电压。

13.根据权利要求11所述的方法,其中,产生所述可变电压包括产生从低于参考电压的电压变化到高于电源电压的电压的可变电压。

14.根据权利要求11所述的方法,其中,所述输出晶体管中的每一个包括n沟道金属氧化物半导体晶体管。

15.根据权利要求14所述的方法,其中,产生所述控制信号包括在所述使能信号处于非激活状态时,产生所述控制信号,使得所述可变电压低于参考电压。

16.根据权利要求14所述的方法,其中,产生所述控制信号包括在所述使能信号处于激活状态时,产生所述控制信号,使得所述可变电压高于参考电压。

17.根据权利要求11所述的方法,其中,所述输出晶体管中的每一个包括p沟道金属氧化物半导体晶体管,并且

18.一种电子系统,包括:

19.根据权利要求18所述的电子系统,其中,在所述使能信号处于激活状态时,所述控制电路控制所述可变电压源产生参考电压。

20.根据权利要求18所述的电子系统,其中,所述上拉晶体管和所述下拉晶体管中的每一个包括n沟道金属氧化物半导体晶体管,并且

技术总结提供一种装置、一种从装置输入和输出数据的方法和一种系统。装置包括输入/输出电路,其中,所述输入/输出电路包括:控制电路,其被配置为接收指示所述装置是否被激活的信号;可变电压源,其被配置为基于由控制电路接收的信号根据控制电路的控制操作来产生可变电压;输出驱动器,其包括第一晶体管和第二晶体管;以及焊盘,其被配置为输出由输出驱动器产生的电流,并且其中,可变电压源被配置为向第一晶体管的主体和第二晶体管的主体提供可变电压。技术研发人员:徐正敏,李仟颜,成锡江受保护的技术使用者:三星电子株式会社技术研发日:技术公布日:2024/6/26

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