包括三维阵列结构的存储器装置及其操作方法与流程

各种实施方式涉及存储器装置，并且具体地，涉及包括三维(3-d)阵列结构的存储器装置以及存储器装置的操作方法。

背景技术：

1、存储器系统是使用诸如硅(si)、锗(ge)、砷化镓(gaas)、磷化铟(inp)等的半导体实现的储存装置。存储器系统被分类为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。易失性存储器装置是当供电中断时其中所存储的数据丢失的存储器装置。易失性存储器装置的代表性示例包括静态ram(sram)、动态ram(dram)、同步dram(sdram)等。非易失性存储器装置是即使当供电中断时也保留其中所存储的数据的存储器装置。非易失性存储器装置的代表性示例包括只读存储器(rom)、可编程rom(prom)、电可编程rom(eprom)、电可擦除可编程rom(eeprom)、闪存、相变随机存取存储器(pram)、磁ram(mram)、电阻式ram(rram)、铁电ram(fram)等。闪存主要分类为nor型存储器或nand型存储器。

2、非易失性存储器装置可以包括其中存储数据的存储器单元阵列以及用于控制存储器单元阵列的编程操作、读取操作和擦除操作的控制器。

3、在此情况下，存储器单元阵列可以包括多个存储块。多个存储块中的每一个可以包括多个存储器单元。具体地，在包括3-d结构的非易失性存储器装置的存储器单元阵列中，在多条字线、多条位线和多个串之间连接的多个存储器单元可以具有其中多个存储器单元层叠在基板上的形式。在此情况下，可以垂直于基板形成用于连接层叠的多个存储器单元的多个串。

4、随着包括3-d结构的非易失性存储器装置的集成度增加，存储器单元阵列中包括的串的数量增加。因此，随着多个串当中的相邻串之间的间隔变窄，在相邻串之间可能发生电缺陷。

技术实现思路

1、本公开的各种实施方式涉及提供能够抑制当对存储器单元阵列中包括的多个串当中的被选串执行读取操作时在未选串中可能发生的热载流子注入的存储器装置以及存储器装置的操作方法。

2、本公开要解决的问题并不限于上述问题，并且本领域技术人员从以下描述中将清楚地理解其它未提及的问题。

3、根据本公开的实施方式的一方面，一种存储器装置可以包括：存储器单元阵列，其包括连接在多条字线、多条位线和k个串之间的多个存储器单元；以及控制器，其被配置为：在对与被选字线、多条位线和被选串相对应的被选物理页的第一逻辑页的读取操作中，对被选串和未选串当中的第一串执行第一沟道初始化操作，并且在对被选物理页的第二逻辑页的读取操作中，对被选串和未选串当中的第二串执行第二沟道初始化操作，第一串和第二串彼此部分交叠。k是等于或大于2的自然数。

4、根据本公开的实施方式的一方面，一种存储器装置的操作方法可以包括：选择操作，在选择操作中，如果第一逻辑页和第二逻辑页对应于与被选字线、多条位线和被选串相对应的被选物理页，则从未选串中选择第一串和第二串，第一串和第二串彼此部分交叠；第一初始化操作，在第一初始化操作中，在对第一逻辑页的读取操作中对被选串和第一串执行沟道初始化操作；以及第二初始化操作，在第二初始化操作中，在第二逻辑页的读取操作中对被选串和第二串执行沟道初始化操作。

5、根据本公开的实施方式的一方面，一种包括至少配置物理页的存储器单元串的存储器装置的操作方法，所述操作方法可以包括：从存储器单元串中选择一个存储器单元串；从存储器单元串中确定未选存储器单元串的第一组至第三组，第三组是第一组和第二组的交集；在对物理页的第一逻辑页的读取操作期间对被选串和第一组执行沟道初始化操作；以及在对物理页的第二逻辑页的读取操作期间对被选串和第二组执行沟道初始化操作。确定可以包括基于被选串的物理位置来调整属于第三组的未选存储器单元串的编号。

6、在本技术中，能够对存储器单元阵列中包括的多个串当中的一些未选串以及被选串一起执行沟道初始化操作，以便抑制在对被选串执行读取操作时在未选串中可能发生的热载流子注入。

7、具体地，在本技术中，当存储器单元阵列中包括的存储器单元是其中存储2位或更多位数据的多级单元时，与被选串一起执行沟道初始化操作的一些未选串的类型可以设置为彼此不同。

8、因此，可以提高读取操作的可靠性，同时使执行读取操作中包括的沟道初始化操作所花费的时间最小化。

技术特征：

1.一种存储器装置，所述存储器装置包括：

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述控制器包括：

3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑基于所述被选串的物理位置来调整彼此交叠的所述第一串和所述第二串的编号。

4.根据权利要求1所述的存储器装置，

5.根据权利要求1所述的存储器装置，

6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第一逻辑页和所述第二逻辑页分别对应于配置所述被选物理页的存储器单元中的每一个所存储的2位数据中的每一位。

7.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，在用于所述第一沟道初始化操作的区段中，所述控制器通过将所述被选串和所述第一串的沟道膜连接到接地电压级同时将除了所述第一串之外的其余未选串的沟道膜与所述接地电压级隔离，来对所述被选串和所述第一串的沟道膜进行放电。

8.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，在用于所述第二沟道初始化操作的区段中，所述控制器通过将所述被选串和所述第二串的沟道膜连接到接地电压级同时将除了所述第二串之外的其余未选串的沟道膜与所述接地电压级隔离，来对所述被选串和所述第二串的沟道膜进行放电。

9.一种存储器装置的操作方法，所述操作方法包括：

10.根据权利要求9所述的操作方法，其中，所述选择操作包括：基于所述被选串的物理位置来调整彼此交叠的所述第一串和所述第二串的编号。

11.根据权利要求9所述的操作方法，

12.根据权利要求9所述的操作方法，

13.根据权利要求9所述的操作方法，其中，所述第一逻辑页和所述第二逻辑页分别对应于配置所述被选物理页的存储器单元中的每一个所存储的2位数据中的每一位。

14.根据权利要求9所述的操作方法，其中，所述第一初始化操作包括：

15.根据权利要求9所述的操作方法，其中，所述第二初始化操作包括：

16.一种存储器装置的操作方法，所述存储器装置包括至少配置物理页的存储器单元串，所述操作方法包括以下步骤：

技术总结本申请涉及包括三维阵列结构的存储器装置及其操作方法。一种存储器装置包括：存储器单元阵列，其包括连接在多条字线、多条位线和K个串之间的多个存储器单元；以及控制器，其被配置为：在对与被选字线、多条位线和被选串相对应的被选物理页的第一逻辑页的读取操作中，对被选串和未选串当中的第一串执行第一沟道初始化操作，并且在对被选物理页的第二逻辑页的读取操作中，对被选串和未选串当中的第二串执行第二沟道初始化操作，第一串和第二串彼此部分交叠，其中，K是等于或大于2的自然数。技术研发人员：尹圭燮受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司技术研发日：技术公布日：2024/6/26