存储器装置、包括其的存储装置和存储器装置的操作方法与流程

本公开总体上涉及电子装置，更具体地，涉及一种用于根据增量阶跃脉冲编程方法执行编程操作的存储器装置、包括其的存储装置以及该存储器装置的操作方法。

背景技术：

1、存储装置是在诸如计算机或智能电话的主机装置的控制下存储数据的装置。存储装置可包括用于存储数据的存储器装置和用于控制存储器装置的存储控制器。存储器装置被分类为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。

2、非易失性存储器装置是即使当供电中断时数据也不消失的存储器装置。非易失性存储器装置可包括只读存储器(rom)、可编程rom(prom)、电可编程rom(eprom)、电可擦除rom(eerom)、闪存等。

3、作为非易失性存储器装置的编程方法已知有增量阶跃脉冲编程(ispp)方法。ispp方法是在不断增加通过阶跃电压施加的编程电压的同时执行编程操作的方法。然而，当使用ispp方法执行编程操作时，存储器单元的阈值电压分布的右尾随着编程脉冲数量增加而增大。当阈值电压分布的右尾增大时，通过电压的余量减小，并且在读操作中可靠性可能劣化。因此，需要一种允许存储器单元的阈值电压分布的右尾不过度增大的编程方法。

技术实现思路

1、根据本公开的一方面，提供了一种存储器装置，该存储器装置包括：多个存储器单元；外围电路，其被配置为执行多个编程循环，各个编程循环包括将编程电压施加到多个存储器单元当中的所选存储器单元的编程电压施加操作以及验证所选存储器单元的编程状态的验证操作；以及控制逻辑，其被配置为控制外围电路施加在多个编程循环当中的第一状态的编程循环中以阶跃方式按照第一阶跃电压增加，并且在发生在第一状态的编程循环之后的第二状态的编程循环中以阶跃方式按照低于第一阶跃电压的第二阶跃电压增加的编程电压，其中，基于何时执行对具有最高阈值电压的编程状态的验证操作来确定编程循环的第一状态和第二状态。

2、根据本公开的另一方面，提供了一种存储装置，该存储装置包括：存储控制器，其被配置为当从主机接收到写请求时，控制存储器装置执行与写请求对应的编程操作；以及存储器装置，该存储器装置包括多个存储器单元，该存储器装置通过执行多个编程循环来执行编程操作，各个编程循环包括将编程电压施加到多个存储器单元当中的所选存储器单元的编程电压施加操作以及验证所选存储器单元的编程状态的验证操作，其中，基于何时执行对具有最高阈值电压的编程状态的验证操作，编程循环被确定为第一状态或第二状态的编程循环，其中，在第一状态下施加的编程电压以阶跃方式按照第一阶跃电压增加，其中，在第二状态下施加的编程电压以阶跃方式按照低于第一阶跃电压的第二阶跃电压增加，并且其中，在第一状态的编程循环之后执行第二状态的编程循环。

3、根据本公开的另一方面，提供了一种操作存储器装置的方法，该方法包括以下步骤：将第一编程循环的第一编程电压施加到多个存储器单元当中的所选存储器单元，第一编程电压与先前编程循环的先前编程电压相比增加了第一阶跃电压；执行验证所选存储器单元的多个编程状态中的至少一些的验证操作；以及基于何时执行对多个编程状态当中的具有最高阈值电压的编程状态的验证操作，将第二编程电压施加到多个存储器单元当中的所选存储器单元，第二编程电压与第一编程循环的第一编程电压相比增加了第二阶跃电压，其中，第二阶跃电压低于第一阶跃电压。

技术特征：

1.一种存储器装置，该存储器装置包括：

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑基于所述编程电压施加的次数来对编程循环次数进行计数。

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑监测首次施加用于验证所述所选存储器单元的多个编程状态中的每一个的验证电压的编程循环次数。

4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑监测对所述所选存储器单元的多个编程状态中的每一个的验证操作是否通过。

5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，当在所述编程循环当中的第n编程循环中执行对具有所述最高阈值电压的所述编程状态的验证操作时，所述编程循环被确定为从所述第n编程循环到所述第二状态的编程循环的编程循环。

6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，当在所述编程循环当中的第n编程循环中执行对具有所述最高阈值电压的所述编程状态的验证操作时，所述编程循环被确定为从第(n+1)编程循环到所述第二状态的编程循环的编程循环。

7.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑控制所述外围电路在预定时间之后结束编程操作，所述预定时间从所述第二状态的编程循环开始的时间开始。

8.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑控制所述外围电路从所述第二状态的编程循环开始的时间起在预定次数的编程循环之后结束编程操作。

9.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述外围电路还包括电压发生器，该电压发生器生成所述编程电压和用于验证所述编程状态的验证电压。

10.一种存储装置，该存储装置包括：

11.根据权利要求10所述的存储装置，其中，所述存储器装置基于所述编程电压施加的次数来对编程循环次数进行计数。

12.根据权利要求10所述的存储装置，其中，所述存储器装置监测首次施加用于验证所述所选存储器单元的多个编程状态中的每一个的验证电压的编程循环次数。

13.根据权利要求10所述的存储装置，其中，所述存储器装置监测对所述所选存储器单元的多个编程状态中的每一个的验证操作是否通过。

14.根据权利要求10所述的存储装置，其中，当在所述编程循环当中的第n编程循环中执行对具有所述最高阈值电压的所述编程状态的验证操作时，所述存储器装置执行从第n编程循环到所述第二状态的编程循环的编程循环。

15.根据权利要求10所述的存储装置，其中，当在所述编程循环当中的第n编程循环中执行对具有所述最高阈值电压的所述编程状态的验证操作时，所述存储器装置执行从第(n+1)编程循环到所述第二状态的编程循环的编程循环。

16.根据权利要求10所述的存储装置，其中，所述存储器装置在预定时间之后结束编程操作，所述预定时间从所述第二状态的编程循环开始的时间开始。

17.根据权利要求10所述的存储装置，其中，所述存储器装置从所述第二状态的编程循环开始的时间起在预定次数的编程循环之后结束编程操作。

18.一种操作存储器装置的方法，该方法包括以下步骤：

19.根据权利要求18所述的方法，其中，在施加增加了所述第二阶跃电压的所述第二编程电压的步骤中，当在多个编程循环当中的第n编程循环中执行对具有所述最高阈值电压的所述编程状态的验证操作时，从所述第n编程循环起对所述所选存储器单元执行编程循环。

20.根据权利要求18所述的方法，其中，在施加增加了所述第二阶跃电压的所述第二编程电压的步骤中，当在多个编程循环当中的第n编程循环中执行对具有所述最高阈值电压的所述编程状态的验证操作时，从所述多个编程循环当中的第(n+1)编程循环起对所述所选存储器单元执行编程循环。

技术总结本申请涉及存储器装置、包括其的存储装置和存储器装置的操作方法。一种存储器装置包括：多个存储器单元；外围电路，其被配置为执行多个编程循环，各个编程循环包括将编程电压施加到所选存储器单元的编程电压施加操作以及验证所选存储器单元的编程状态的验证操作；以及控制逻辑，其被配置为控制外围电路施加在第一状态的编程循环中以阶跃方式按照第一阶跃电压增加，并且在发生在第一状态的编程循环之后的第二状态的编程循环中以阶跃方式按照低于第一阶跃电压的第二阶跃电压增加的编程电压。编程循环的第一状态和第二状态是基于对具有最高阈值电压的编程状态的验证操作何时执行来确定的。技术研发人员：崔亨进,高贵韩,郑赞熙,朴世泉受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司技术研发日：技术公布日：2024/6/2