包含存储器阵列的间隙区中的电路的设备及方法与流程

本发明大体上涉及半导体存储器装置的领域，且更特定来说，涉及包含存储器阵列的间隙区中的电路的设备及方法。

背景技术：

1、在半导体存储器装置中的存储器存取操作期间，由激活的电路产生的噪声可能会干扰操作。归因于电路密度及降低功耗的愿望，内部信号电平已降低。由于较低信号电平，噪声对内部信号的完整性的影响可能相对更大。在一些操作中，当噪声的影响显著时，可能发生错误。例如，在感测放大器操作期间产生的噪声可致使由感测放大器放大不正确数据，且导致提供错误的读取数据。因此，需要减轻噪声的影响及产生。

技术实现思路

1、根据本公开的方面，提供一种设备。所述设备包括：第一及第二存储器垫；感测放大器，其包含在所述第一与第二存储器垫之间的第一间隙区中；本地输入/输出(lio)线，其包含在所述第一间隙区中；lio驱动器及lio预充电电路，其耦合到所述lio线且包含在所述第一间隙区中；及激活电压驱动器电路，其包含在第二间隙区中，所述第二间隙区包含与所述第一间隙区共享的边界，且包含在所述第一存储器垫的拐角处的第一拐角，且进一步包含在所述第二存储器垫的拐角处的第二拐角，所述激活电压驱动器电路经配置以向所述感测放大器提供激活电压。

2、根据本公开的另一方面，提供一种设备。所述设备包括：沿第一方向邻近的第一及第二存储器垫，所述第一及第二存储器垫包含存储器单元；沿所述第一方向在所述第一与第二存储器垫之间的区，所述区包含沿垂直于所述第一方向的第二方向延伸穿过所述区的本地输入/输出(lio)线，且进一步包含耦合到所述lio线的lio驱动器及lio预充电电路，所述lio驱动器经配置以基于从所述存储器单元读取的数据或基于待写入到所述存储器单元的数据而将所述lio线驱动到数据电压电平，且所述lio预充电电路经配置以向所述lio线提供lio预充电电压。

3、根据本公开的又一方面，提供一种设备。所述设备包括：沿第一方向邻近的第一及第二存储器垫，所述第一及第二存储器垫包含存储器单元；第一区，其在所述第一与第二存储器垫之间且包含耦合到所述存储器单元的感测放大器，且进一步包含本地输入/输出(lio)线、lio驱动器及lio预充电电路；第二区，其邻近所述第一区，且包含经配置以提供激活电压的激活电压驱动器电路；及导电激活电压网格，其耦合到所述激活电压驱动器电路及所述感测放大器，以将所述激活电压从所述第二区中的所述激活电压驱动器电路提供到所述第一区中的所述感测放大器。

技术特征：

1.一种设备，其包括：

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述lio驱动器及所述lio预充电电路包含在所述第一间隙区的读取-写入间隙区中，且其中所述感测放大器包含在所述第一间隙区的感测放大器区中。

3.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括包含在所述第一间隙区中的第二激活电压驱动器，所述第二激活电压驱动器经配置以向所述感测放大器提供第二激活电压。

4.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括：

5.根据权利要求4所述的设备，其进一步包括耦合到所述激活电压驱动器电路且耦合到所述感测放大器及第二感测放大器以向其提供所述激活电压的导电激活电压网格。

6.根据权利要求5所述的设备，其中所述导电激活电压网格包含所述第一与第三间隙区中的导电线，所述导电线包含来自第一金属层的第一导电线及来自第二金属层的第二导电线。

7.根据权利要求6所述的设备，其中所述导电激活电压网格的所述导电线进一步包含来自第三金属层的第三导电线。

8.一种设备，其包括：

9.根据权利要求8所述的设备，其进一步包括在所述第二方向上邻近所述区的第二区，所述第二区包含第一激活电压驱动器电路，所述第一激活电压驱动器电路经配置以向包含在沿所述第一方向在所述第一与第二存储器垫之间的所述区中的感测放大器提供第一激活电压。

10.根据权利要求9所述的设备，其中沿所述第一方向在所述第一与第二存储器垫之间的所述区包含第二激活电压驱动器电路，所述第二激活电压驱动器电路经配置以向包含在沿所述第一方向在所述第一与第二存储器垫之间的所述区中的所述感测放大器提供与所述第一激活电压不同的第二激活电压。

11.根据权利要求9所述的设备，其中所述第二区进一步包含第二激活电压驱动器电路，所述第二激活电压驱动器电路经配置以向包含在沿所述第一方向在所述第一与第二存储器垫之间的所述区中的所述感测放大器提供所述第一激活电压，所述第二激活电压驱动器电路具有与所述第一激活电压驱动器电路不同的电流驱动。

12.根据权利要求8所述的设备，其进一步包括包含在所述区中在所述第二方向上延伸的导电线的导电激活电压网格，所述导电激活电压网格经配置以向包含在所述区中的电路提供激活电压。

13.根据权利要求12所述的设备，其中所述导电激活电压网格的所述导电线包括在所述区中在所述第二方向上延伸的第一及第二导电线，且包含感测放大器的感测放大器区的至少一部分在所述第一与第二导电线之间。

14.根据权利要求13所述的设备，其中所述第一导电线来自第一导电层，且所述第二导电线来自与所述第一导电层不同的导电层。

15.根据权利要求12所述的设备，其中所述导电激活电压网格的所述导电线包括在所述区中在所述第二方向上延伸的第一及第二导电线，且包含所述lio驱动器及所述lio预充电电路的读取-写入间隙区的至少一部分在所述第一与第二导电线之间。

16.根据权利要求15所述的设备，其中所述导电激活电压网格进一步包含耦合到第一及第二导电线且沿所述第一方向跨越所述读取-写入间隙区延伸的所述区中的导电线。

17.一种设备，其包括：

18.根据权利要求17所述的设备，其中所述第一区包括包含所述lio驱动器及所述lio预充电电路的读取-写入间隙区，且所述读取-写入间隙区具有在所述第一区中延伸的所述导电激活电压的第一与第二导电线之间的至少一部分。

19.根据权利要求18所述的设备，其中所述第一区进一步包括包含所述感测放大器的感测放大器区，且所述感测放大器区具有在所述第一区中延伸的所述导电激活电压网格的所述第一导电线与第三导电线之间的至少一部分。

20.根据权利要求18所述的设备，其中所述第一区进一步包括包含所述感测放大器的第一部分的第一感测放大器区及包含所述感测放大器的第二部分的第二感测放大器区，所述读取-写入间隙区在所述第一与第二感测放大器区之间。

21.根据权利要求17所述的设备，其进一步包括包含在耦合到导电激活电压网格的所述第二区中的第二激活电压驱动器，所述第二激活电压驱动器经配置以用与所述激活电压驱动器不同的电流驱动提供所述激活电压。

技术总结公开包含存储器阵列的间隙区中的电路的设备及方法。一种实例性设备包含沿第一方向邻近的第一及第二存储器垫，且进一步包含沿所述第一方向在所述第一与第二存储器垫之间的区。所述区包含沿垂直于所述第一方向的第二方向延伸穿过所述区的本地输入/输出LIO线，且进一步包含耦合到所述LIO线的LIO驱动器及LIO预充电电路。所述LIO驱动器经配置以基于从存储器单元读取的数据或基于待写入到存储器单元的数据而将所述LIO线驱动到数据电压电平，且所述LIO预充电电路经配置以向所述LIO线提供LIO预充电电压。技术研发人员：阿藤寛和受保护的技术使用者：美光科技公司技术研发日：技术公布日：2024/6/2