一种存储器、存储装置和电子设备的制作方法

本技术涉及存储，尤其涉及一种存储器、存储装置和电子设备。

背景技术：

1、在动态随机存储器(dynamic random access memory，dram)等存在模拟电路的芯片中，由于模拟电路的特性受到工艺偏差的影响较大，因此需要在测试过程中对模拟电路的性能进行调优(trimming)，并将调优之后的电路参数永久地存储在芯片内部。目前，一般采用熔断电路存储调优之后的电路参数。具体的，当熔断电路中的金属或多晶硅未烧断时，该熔断电路用于存储“0”，当通过大电流将熔断电路中的金属或多晶硅烧断时，该熔断电路用于存储“1”，从而实现“0”或“1”的存储功能。

2、但是，由于熔断电路在未烧断时，流经熔断电路的电流将产生功耗，将导致芯片的功耗较大。

技术实现思路

1、本技术实施例提供一种存储器、存储装置和电子设备，解决了采用熔断电路存储参数时，芯片的功耗较大的问题。

2、为达到上述目的，本技术实施例采用如下技术方案：

3、本技术实施例第一方面，提供一种存储器，该存储器包括多个反熔断存储单元，每个反熔断存储单元包括耦合的电容和晶体管，该晶体管用于选通电容。其中，电容设置在衬底上，晶体管层叠设置在电容远离衬底一侧。

4、可选的，上述晶体管可以为平面晶体管，或者，可以为垂直晶体管，本技术实施例对此并不限定。

5、可选的，上述晶体管可以为n型mos管，或者，可以为p型mos管，本技术实施例对此并不限定。

6、可选的，当电容击穿时，电容可以用于存储第一数值，当电容未击穿时，电容可以用于存储第二数值，本技术实施例对于第一数值和第二数值的具体取值并不限定。

7、可选的，存储器中还可以包括用于存储数据的存储单元。

8、本技术实施例提供的存储器，每个反熔断存储单元包括电容和晶体管，通过晶体管选通电容，通过电容存储信息，与熔断电路中采用耗能元件连线相比，采用储能元件电容存储信息，因此能够降低存储器的功耗。同时，通过将晶体管层叠设置在电容远离衬底一侧，因此能够减少面积开销，存储器中可以设置更多的存储单元，能够增加存储器的存储容量。

9、结合第一方面，在一种可能的实现方式中，电容用于通过击穿或未击穿的方式存储信息。

10、本技术实施例提供的存储器，通过击穿或不击穿电容从而存储信息，与熔断电路中采用耗能元件连线相比，采用储能元件电容存储信息，因此能够降低存储器的功耗。

11、结合第一方面，在一种可能的实现方式中，该存储器还包括多个位线、多个字线和多个写入线，电容包括第一极，以及环绕第一极设置的第二极，第二极与写入线耦合。晶体管具有栅极，以及环绕栅极设置的源极和漏极，栅极与字线耦合，源极与位线耦合，漏极与第一极耦合。本技术实施例提供的存储器，通过将晶体管层叠设置在电容远离衬底一侧，因此能够减少面积开销，存储器中可以设置更多的存储单元，能够增加存储器的存储容量。

12、结合第一方面，在一种可能的实现方式中，该存储器还包括多个位线、多个字线和多个写入线，电容为mos电容，mos电容包括第一栅极，以及环绕第一栅极设置的第一源极和第一漏极，第一源极、第一漏极和写入线耦合。晶体管具有第二栅极，以及环绕第二栅极设置的第二源极和第二漏极，第二栅极与字线耦合，第二源极与位线耦合，第二漏极与第一栅极耦合。本技术实施例提供的存储器，通过将晶体管层叠设置在电容远离衬底一侧，因此能够减少面积开销，存储器中可以设置更多的存储单元，能够增加存储器的存储容量。

13、结合第一方面，在一种可能的实现方式中，上述mos电容和晶体管均包括沟道，该沟道的材料包括硅si、二硫化钼mos2、多晶硅poly-si、氧化锌zno、非晶硅amorphous-si、氧化铟锡ito、铟镓锌氧igzo化物和二氧化钛tio2中的至少一种。

14、结合第一方面，在一种可能的实现方式中，上述反熔断存储单元是基于后道工艺形成的。

15、结合第一方面，在一种可能的实现方式中，该存储器包括具有多个反熔断存储单元的反熔断存储单元阵列，反熔断存储单元阵列中位于同一行的反熔断存储单元共用一个写入线和一个字线，位于同一列的反熔断存储单元共用一个位线。

16、结合第一方面，在一种可能的实现方式中，当向反熔断存储单元阵列中的目标反熔断存储单元写数据时，目标反熔断存储单元对应的选中写入线的电压为第一预设电压、选中字线的电压为第二预设电压、选中位线的电压为零。共用选中写入线和选中字线的非目标反熔断存储单元对应的非选中位线的电压为二分之一的第一预设电压。共用选中位线的非目标反熔断存储单元对应的非选中写入线的电压为第一预设电压。共用选中位线的非目标反熔断存储单元对应的非选中字线的电压为零。未共用选中位线、选中写入线和选中字线的非目标反熔断存储单元对应的非选中写入线的电压为第一预设电压，非选中字线的电压为零，非选中位线的电压为二分之一的第一预设电压。

17、结合第一方面，在一种可能的实现方式中，当从反熔断存储单元阵列中的目标反熔断存储单元读取数据时，目标反熔断存储单元对应的选中写入线的电压为读电压，选中字线的电压为第二预设电压，选中位线的电压为零。共用选中写入线和选中字线的非目标反熔断存储单元对应的非选中位线的电压为零。共用选中位线的非目标反熔断存储单元对应的非选中写入线的电压为读电压；共用选中位线的非目标反熔断存储单元对应的非选中字线的电压为零。未共用选中写入线、选中字线和选中位线的非目标反熔断存储单元对应的非选中写入线的电压为读电压，非选中字线和非选中位线的电压均为零。

18、本技术实施例提供的存储器，通过对反熔断存储单元阵列中的写入线、字线和位线施加相应的电压，可以实现对目标存储单元的读写。

19、结合第一方面，在一种可能的实现方式中，存储器包括具有多个反熔断存储单元的反熔断存储单元阵列，反熔断存储单元阵列中同一行反熔断存储单元共用一个字线，位于同一列的反熔断存储单元共用一个写入线和一个位线。

20、结合第一方面，在一种可能的实现方式中，当向反熔断存储单元阵列中的目标反熔断存储单元写数据时，目标反熔断存储单元对应的选中写入线的电压为第一预设电压、选中字线的电压为第二预设电压、选中位线的电压为零。共用选中写入线和选中位线的非目标反熔断存储单元对应的非选中字线的电压为零，共用选中字线的非目标反熔断存储单元对应的非选中写入线和非选中位线的电压均为零。未共用选中写入线、选中位线和选中字线的非目标反熔断存储单元对应的非选中写入线、非选中字线和非选中位线的电压均为零。

21、结合第一方面，在一种可能的实现方式中，当从反熔断存储单元阵列中的目标反熔断存储单元读取数据时，目标反熔断存储单元对应的选中写入线的电压为读电压，选中字线的电压为第二预设电压，选中位线的电压为零。共用选中写入线和选中位线的非目标反熔断存储单元对应的非选中字线的电压为零。共用选中字线的非目标反熔断存储单元对应的非选中写入线和非选中位线的电压均为零。未共用选中写入线、选中位线和选中字线的非目标反熔断存储单元对应的非选中写入线、非选中位线和非选中字线的电压均为零。

22、本技术实施例提供的存储器，通过在向目标反熔断存储单元读写数据的过程中：当字线选中一行的时候，写入线和位线选中的是一列，从而选中目标反熔断存储单元。对于与目标反熔断存储单元位于同一行中的非目标反熔断存储单元，虽然各反熔断存储单元中的晶体管导通，但写入线和位线电压为0，因此不会击穿电容。对于与目标反熔断存储单元位于同一列的非目标反熔断存储单元，虽然写入线和位线存在电压，但非目标反熔断存储单元中的晶体管未打开，内部处于断路也不会击穿电容，因此在向目标反熔断存储单元读写数据的过程中，能够降低误操作的概率，可以提高反熔断存储单元阵列的可靠性。

23、本技术实施例第二方面，提供一种存储装置，该存储装置包括：控制器和存储器，控制器用于读取所述存储器中的数据。该存储器为的结构为上述第一方面或第一方面任一种可能实现方式中所述的存储器的结构。

24、可选的，该存储器中还可以包括用于存储数据的存储单元，控制器还用于读写存储单元中的数据。

25、本技术实施例第三方面，提供一种电子设备，该电子设备包括电路板、以及与电路板连接的存储装置，该存储装置为上述第二方面或第二方面任一种可能实现方式中所述的存储装置的结构。

26、可选的，该电子设备可以为计算机、手机、平板电脑、可穿戴设备和车载设备等不同类型的用户设备或者终端设备；该电子设备1100还可以为基站等网络设备。

27、可选的，该电子设备还可以包括封装基板，该封装基板通过焊球固定于印刷电路板上，该存储器通过焊球固定于封装基板上。

28、本技术中第二方面和第三方面的描述，可以参考第一方面的详细描述；并且，第二方面和第三方面描述的有益效果，可以参考第一方面的有益效果分析，此处不再赘述。