存储器内部电压测试系统和方法与流程

本公开的实施例涉及存储器以及相关，具体地，涉及适用于一种存储器内部电压测试系统和方法。

背景技术：

1、动态随机存取存储器（dynamic random access memory，dram）是一种半导体存储器。

2、现有技术中，当动态随机存储器应用在不同场景时，需要的电压不相同，因此，动态随机存储器需要满足不同的电压输出。

3、因此，亟需一种动态随机存储器的输出电压测试方法，保证动态随机存储器在不同的应用场景下输出电压的准确性。

技术实现思路

1、本文中描述的实施例提供了一种存储器内部电压测试系统和方法，解决现有技术存在的问题。

2、根据本公开的第一方面，提供了一种存储器内部电压测试系统，包括：选择使能信号输出模块、电压产生模块、电压选择模块、输出模块和比较模块；

3、其中，所述选择使能信号输出模块，被配置为在接收到测试指示信号时，输出第一选择信号至所述电压选择模块，以及输出使能信号至所述电压产生模块和所述输出模块，所述测试指示信号包括预设测试电压；

4、所述电压产生模块，被配置为根据所述存储器的工作电压确定测试电压，并输出所述测试电压至所述电压选择模块，所述测试电压包括n个不同的测试电压；

5、所述电压选择模块，被配置为根据所述选择使能信号输出模块输出的第一选择信号，从所述测试电压中选择目标测试电压并输出所述目标测试电压至所述输出模块；

6、所述输出模块，被配置为在所述使能信号的作用下，输出所述目标测试电压至所述比较模块；

7、所述比较模块，被配置为根据所述目标测试电压与所述预设测试电压的关系，确定所述存储器产生的所述目标测试电压是否满足要求。

8、在本公开一些实施例中，所述比较模块，还被配置为根据所述目标测试电压与所述预设测试电压的关系，输出调修信号至所述电压产生模块；

9、所述电压产生模块，还被配置为根据所述调修信号，调节输出的所述目标测试电压的大小。

10、在本公开一些实施例中，还包括缓存模块；

11、所述缓存模块，被配置为接收所述电压选择模块输出的目标测试电压，并将所述目标测试电压输出至所述输出模块。

12、在本公开一些实施例中，还包括译码模块和开关模块；

13、所述选择使能信号输出模块，还被配置为在接收到测试指示信号时，输出第二选择信号至所述译码模块；

14、所述电压产生模块，还被配置为根据所述存储器的工作电压确定所述存储器的各内存层对应的测试电压，并将所述存储器的各内存层对应的测试电压输出至所述电压选择模块，所述存储器的一内存层对应的测试电压包括多个不同的电压值，所述存储器的不同内存层包括的测试电压的数量相同，且所述存储器的不同内存层包括的测试电压均相同；

15、所述电压选择模块，还被配置为根据所述选择使能信号输出模块输出的第一选择信号，从所述存储器的各内存层对应的测试电压中选择目标测试电压并将选择的所述存储器的各内存层的目标测试电压发送至所述开关模块；

16、所述译码模块，被配置为根据所述第二选择信号，输出控制信号至所述开关模块；

17、所述开关模块，被配置为根据所述译码模块输出的控制信号，确定导通状态，以实现将目标内存层的目标测试电压发送至输出模块。

18、在本公开一些实施例中，所述开关模块包括多个开关单元，所述开关单元的数量与所述存储器包括的内存层的数量相同，所述开关单元包括第一晶体管、第二晶体管和反相器；

19、所述第一晶体管的控制端和所述反相器的第一端接收所述译码模块输出的控制信号，所述第一晶体管的第一端和所述第二晶体管的第一端分别接收所述电压选择模块输出的所述存储器的一内存层的目标测试电压，所述第一晶体管的第二端和所述第二晶体管的第二端与所述输出模块电连接，所述反相器的第二端与所述第二晶体管的控制端电连接。

20、在本公开一些实施例中，所述电压产生模块包括n个依次串联连接的电阻、第三晶体管和n个开关，上一个电阻的第二端分别与下一个电阻的第一端和第一个开关的第一端电连接，第一个电阻的第一端与电源电压节点电连接，最后一个电阻的第二端分别与所述第三晶体管的第一端和最后一个开关的第一端电连接，所述第三晶体管的第二端与接地节点电连接，所述第三晶体管的控制端接选择使能信号输出模块输出的使能信号，各所述开关的第二端输出一测试电压。

21、根据本公开的第二方面，提供了一种存储器内部电压测试方法，包括：

22、响应于接收到的测试指示信号，确定第一选择信号和使能信号；

23、根据存储器的工作电压确定测试电压，其中，所述测试电压包括n个不同的测试电压；

24、根据所述第一选择信号和使能信号，从所述测试电压中选择目标测试电压并输出；

25、根据所述目标测试电压与预设测试电压的关系，确定所述存储器产生的所述目标测试电压是否满足要求。

26、在本公开一些实施例中，所述根据所述目标测试电压与预设测试电压的关系，确定所述存储器产生的所述目标测试电压是否满足要求，包括：

27、当所述目标测试电压与预设测试电压的差值的绝对值大于或等于预设阈值时，确定所述存储器产生的所述目标测试电压不满足要求；

28、当所述目标测试电压与预设测试电压的差值的绝对值小于预设阈值时，确定所述存储器产生所述目标测试电压满足要求。

29、在本公开一些实施例中，所述方法还包括：

30、当所述目标测试电压与预设测试电压的差值的绝对值大于或等于预设阈值时，调节输出所述目标测试电压的大小。

31、在本公开一些实施例中，所述响应于接收到的测试指示信号，确定第一选择信号和使能信号之时，还包括：

32、响应于接收到的测试指示信号，确定第二选择信号；

33、根据所述存储器的工作电压确定所述存储器的各内存层对应的测试电压，其中，所述存储器的一内存层对应的测试电压包括多个不同的电压值，所述存储器的不同内存层包括的测试电压的数量相同，且所述存储器的不同内存层包括的测试电压均相同；

34、根据所述第一选择信号和使能信号，从所述存储器的各内存层对应的测试电压中选择目标测试电压输出；

35、根据所述第二选择信号，输出目标内存层的目标测试电压。

36、本公开实施例提供的存储器内部电压测试系统和方法，通过设置存储器内部电压测试系统包括选择使能信号输出模块、电压产生模块、电压选择模块、输出模块和比较模块，基于选择使能信号输出模块输出的第一选择信号从电压产生模块产生的n个测试电压中选择一个目标测试电压进行输出，通过比较模块比较输出的目标测试电压与预设测试电压的关系，确定测试的存储器的目标测试电压是否满足设计要求，实现对存储器产生的多个测试电压的测试，提高存储器在实际应用中的可靠稳定性。

技术特征：

1.一种存储器内部电压测试系统，其特征在于，包括：选择使能信号输出模块、电压产生模块、电压选择模块、输出模块和比较模块；

2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述比较模块，还被配置为根据所述目标测试电压与所述预设测试电压的关系，输出调修信号至所述电压产生模块；

3.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，还包括缓存模块；

4.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，还包括译码模块和开关模块；

5.根据权利要求4所述的系统，其特征在于，所述开关模块包括多个开关单元，所述开关单元的数量与所述存储器包括的内存层的数量相同，所述开关单元包括第一晶体管、第二晶体管和反相器；

6.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述电压产生模块包括n个依次串联连接的电阻、第三晶体管和n个开关，上一个电阻的第二端分别与下一个电阻的第一端和第一个开关的第一端电连接，第一个电阻的第一端与电源电压节点电连接，最后一个电阻的第二端分别与所述第三晶体管的第一端和最后一个开关的第一端电连接，所述第三晶体管的第二端与接地节点电连接，所述第三晶体管的控制端接选择使能信号输出模块输出的使能信号，各所述开关的第二端输出一测试电压。

7.一种存储器内部电压测试方法，其特征在于，包括：

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述根据所述目标测试电压与预设测试电压的关系，确定所述存储器产生的所述目标测试电压是否满足要求，包括：

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述响应于接收到的测试指示信号，确定第一选择信号和使能信号之时，还包括：

技术总结本公开实施例提供的存储器内部电压测试系统和方法，包括：选择使能信号输出模块，在接收到测试指示信号时，输出第一选择信号至电压选择模块，以及输出使能信号至电压产生模块和输出模块，测试指示信号包括预设测试电压；电压产生模块，根据存储器的工作电压确定测试电压，并输出测试电压至电压选择模块；电压选择模块，根据选择使能信号输出模块输出的第一选择信号，从测试电压中选择目标测试电压并输出目标测试电压至输出模块；输出模块，在使能信号的作用下，输出目标测试电压至比较模块；比较模块，根据目标测试电压与预设测试电压的关系，确定存储器产生的目标测试电压是否满足要求，实现对存储器产生的多个测试电压的测试。技术研发人员：刘睿受保护的技术使用者：浙江力积存储科技有限公司技术研发日：技术公布日：2024/6/2