非易失性存储器装置、包括其的存储装置及其操作方法与流程

本公开的示例实施例涉及一种非易失性存储器装置、包括该非易失性存储器装置的存储装置和操作该非易失性存储器装置的方法。

背景技术：

1、通常，包括非易失性存储器装置的存储装置已经广泛地用于通用串行总线(usb)驱动器、数字相机、移动电话、智能电话、平板电脑、pc、存储卡、固态驱动器(ssd)等。存储装置可以有效地用于存储或移动大量数据。最近，存储装置已经被小型化并以嵌入的形式实现在电子装置中。

技术实现思路

1、本公开的示例实施例用于提供非易失性存储器装置、包括该非易失性存储器装置的存储装置和操作该非易失性存储器装置的方法。

2、本公开的示例实施例用于提供可执行片上热节流的非易失性存储器装置、包括该非易失性存储器装置的存储装置和操作该非易失性存储器装置的方法。

3、根据本公开的示例实施例，一种非易失性存储器装置包括：电荷泵电路，其包括串联连接的泵单元，电荷泵电路被配置为接收外部电压并执行电荷泵送操作，并且被配置为通过响应于级控制信号而形成与串联连接的泵单元的数量相对应的级来输出泵电压；开关电路，其被配置为响应于开关控制信号来控制电荷泵电路输出泵单元的泵送电压；级控制器，其被配置为根据温度码输出级控制信号和开关控制信号；以及数字温度传感器，其被配置为生成温度码。

4、根据本公开的示例实施例，一种操作非易失性存储器装置的方法包括：通过数字温度传感器感测温度；响应于与感测到的温度相对应的温度码来确定泵级；以及根据所确定的泵级，使用泵电压来产生字线电压。

5、根据本公开的示例实施例，一种存储装置包括：至少一个非易失性存储器装置；以及控制器，其被配置为控制该至少一个非易失性存储器装置，其中，该至少一个非易失性存储器装置包括：多个存储器块，其包括连接到字线和位线的多个存储器单元；数字温度传感器，其被配置为感测该至少一个非易失性存储器装置的至少一个预定区域的温度并生成温度码；以及控制逻辑电路，其被配置为根据温度码执行片上热节流操作，以及其中，片上热节流操作控制施加到字线中的至少一条字线的字线电压的时序。

6、根据本公开的示例实施例，一种操作非易失性存储器装置的方法包括：从外部装置接收热节流命令；响应于热节流命令来感测非易失性存储器装置的预定区域的温度；以及根据感测到的温度对非易失性存储器装置执行片上热节流操作。

技术特征：

1.一种非易失性存储器装置，包括：

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，所述级控制器根据所述温度码改变所述级的数量。

3.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，所述级控制器形成其中每单位时间增加的泵单元的数量相同的级。

4.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，所述级控制器形成其中每单位时间增加的泵单元的数量不同的级。

5.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，所述级控制器根据所述温度码改变起始级中包括的泵单元的数量。

6.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，

7.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，读取时间或编程时间根据所述温度码而变化。

8.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，所述数字温度传感器包括：

9.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，还包括：

10.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，所述级控制器响应于从外部装置接收的命令而被激活。

11.一种操作非易失性存储器装置的方法，所述方法包括：

12.根据权利要求11所述的方法，其中，确定所述泵级包括确定串联连接的泵单元的数量。

13.根据权利要求11所述的方法，其中，确定所述泵级还包括每单位时间改变所述泵级。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，确定所述泵级还包括根据所述温度码改变所述单位时间。

15.根据权利要求11所述的方法，其中，产生所述字线电压包括通过利用电阻划分所述泵电压来产生所述字线电压。

16.一种存储装置，包括：

17.根据权利要求16所述的存储装置，还包括：

18.根据权利要求17所述的存储装置，其中，所述控制逻辑电路形成与每单位时间串联连接的电荷泵的数量相对应的级。

19.根据权利要求18所述的存储装置，其中，所述控制逻辑电路根据所述温度码来调整所述单位时间或改变所述级的数量。

20.根据权利要求16所述的存储装置，其中，所述控制器基于温度信息执行片外热节流操作。

技术总结提供了非易失性存储器装置、操作非易失性存储器装置的方法和存储装置。非易失性存储器装置包括：具有串联连接的泵单元的电荷泵电路，电荷泵电路接收用于电荷泵送的外部电压，并根据级控制信号输出级中的泵电压；开关电路，其响应于开关控制信号控制电荷泵电路输出泵送电压；级控制器，其基于温度码输出级控制信号和开关控制信号；以及数字温度传感器，其生成温度码。技术研发人员：尹治元,金治贤,姜弼圭,朴俊泓,尹梓洋,崔亨途受保护的技术使用者：三星电子株式会社技术研发日：技术公布日：2024/6/11