非易失性存储器装置及其操作方法与流程

本文所描述的本公开的实施例涉及半导体存储器，更具体地，涉及一种非易失性存储器装置及其操作方法。

背景技术：

1、闪速存储器装置正广泛用作计算系统的大容量存储装置。闪速存储器装置通过控制连接到多个存储器单元的多条字线的电压来执行读操作或编程操作。详细地，闪速存储器装置可以以共享同一字线的页为单位执行读操作或编程操作。

2、闪速存储器装置可基于存储器单元的阈值电压来存储数据。可通过使用读电压确定存储器单元的阈值电压来读取存储在存储器单元中的数据。

3、闪速存储器装置可通过编程操作改变存储器单元的阈值电压。然而，存储器单元的阈值电压可根据存储器单元被编程的时间点的温度和从存储器单元读取数据的时间点的温度而变化。

技术实现思路

1、本公开的实施例提供一种读电压根据执行编程操作的时间点处的温度和执行读操作的时间点处的温度而变化的非易失性存储器装置及其操作方法。

2、根据实施例，提供了一种非易失性存储器装置，其可包括：存储器单元阵列，其包括连接到多条字线的多个存储器单元；地址解码器，其基于从包括第一温度传感器的外部装置接收的地址来控制多条字线当中的所选字线；第二温度传感器，其测量多个存储器单元当中的连接到所选字线的第一存储器单元的读温度；以及温度补偿电路，其基于读温度和由第一温度传感器测量出的第一存储器单元的编程温度来计算读电平偏移，并且基于读电平偏移来生成补偿读电压，并且地址解码器可被配置为将补偿读电压提供给所选字线。

3、根据实施例，提供了一种包括第一温度传感器的非易失性存储器装置的操作方法。该方法可包括：从包括第二温度传感器的外部装置接收针对第一页的读命令和由第二温度传感器测量出的第一页的编程温度；响应于读命令通过使用第一温度传感器来测量第一页的读温度；基于编程温度和读温度来计算读电平偏移；基于读电平偏移来生成补偿读电压；以及基于补偿读电压对第一页执行读操作。

4、根据实施例，提供了一种存储装置的操作方法，该存储装置包括：包括第一页的非易失性存储器装置、易失性存储器装置、以及控制非易失性存储器装置和易失性存储器装置的存储器控制器。该方法可包括：当对第一页执行编程操作时，由存储器控制器将第一编程温度存储在易失性存储器装置中；由存储器控制器将针对第一页的读命令和第一编程温度发送到非易失性存储器装置；由存储器控制器或非易失性存储器装置测量第一读温度；由存储器控制器或非易失性存储器装置基于第一编程温度和第一读温度来计算第一读电平偏移；以及

5、在非易失性存储器装置处基于第一读电平偏移对第一页执行读操作。

技术特征：

1.一种非易失性存储器装置，包括：

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，所述编程温度是所述非易失性存储器装置在对所述第一存储器单元执行编程操作的第一时间点处的温度，并且

3.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，所述温度补偿电路包括：

4.根据权利要求3所述的非易失性存储器装置，其中，所述补偿读电压是所选读电压和所述读电平偏移之和。

5.根据权利要求3所述的非易失性存储器装置，其中，所述补偿计算电路被配置为基于相对于所述编程温度被建模的关系方程来计算所述读电平偏移。

6.根据权利要求5所述的非易失性存储器装置，其中，所述关系方程是所述读温度和所述读电平偏移的线性方程。

7.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，当所述编程温度是第一温度并且所述读温度是第二温度时，所述读电平偏移是第一电压，并且

8.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，当所述读温度是第一温度并且所述编程温度是第二温度时，所述读电平偏移是第一电压，并且

9.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，所述编程温度被包括在从所述外部装置接收的读命令的命令序列中。

10.一种包括第一温度传感器的非易失性存储器装置的操作方法，所述方法包括步骤：

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述编程温度是所述非易失性存储器装置在对所述第一页执行编程操作的第一时间点处的温度，并且

12.根据权利要求10所述的方法，其中，所述编程温度被包括在所述读命令的命令序列中。

13.根据权利要求10所述的方法，其中，所述补偿读电压是所述读电平偏移和所选读电压之和。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述计算包括：

15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述关系方程是所述读温度和所述读电平偏移的线性方程。

16.一种存储装置的操作方法，所述存储装置包括包含第一页的非易失性存储器装置、易失性存储器装置、以及控制所述非易失性存储器装置和所述易失性存储器装置的存储器控制器，所述方法包括：

17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述第一编程温度是所述非易失性存储器装置在对所述第一页执行所述编程操作的第一时间点处的温度，并且

18.根据权利要求17所述的方法，其中，存储所述第一编程温度包括：

19.根据权利要求18所述的方法，其中，计算所述第一读电平偏移包括：

20.根据权利要求19所述的方法，其中，执行所述读操作包括：

技术总结公开了一种非易失性存储器装置及其操作方法，该非易失性存储器装置包括：存储器单元阵列，其包括连接到多条字线的多个存储器单元；地址解码器，其基于从包括第一温度传感器的外部装置接收的地址来控制多条字线当中的所选字线；第二温度传感器，其测量多个存储器单元当中的连接到所选字线的第一存储器单元的读温度；以及温度补偿电路，其基于读温度和由第一温度传感器测量出的第一存储器单元的编程温度来计算读电平偏移，并且基于读电平偏移来生成补偿读电压。地址解码器还被配置为将补偿读电压提供给所选字线。技术研发人员：全秀昶,姜宇现,卢承京,文相权,李熙元受保护的技术使用者：三星电子株式会社技术研发日：技术公布日：2024/6/2