半导体存储器件及其操作方法与流程

本公开涉及一种半导体存储器件，并且更具体地，涉及一种能够使用先进封装方法提供低延迟和高带宽的半导体存储器件及其操作方法。

背景技术：

1、半导体封装是以适用于电子产品的形式实现的集成电路芯片。通常，半导体封装通常将半导体芯片安装在印刷电路板上，并使用接合布线或凸块将其电连接。随着电子工业的发展，正在研究将具有各种功能的半导体安装在一个封装中。另外，正在进行各种研究以改善半导体封装的可靠性和小型化。

2、随着半导体器件的高集成度和高性能，半导体器件具有精细的间距，并且在许多情况下需要半导体芯片之间的高速连接。对于高速连接，需要缩短连接路径，但在使用微凸块的传统方法中，缩短信号发送路径存在限制。为了克服微凸块的弱点，一种称为混合铜接合(hybrid copper bonding，hcb)的技术被应用于电连接芯片，而不使用微凸块。然而，在现有半导体存储器件的输入/输出结构中，难以充分发挥混合铜接合hcb、或先进封装方法的优势。

技术实现思路

1、本公开的实施例提供了一种能够确定最佳节流延迟时间的固态驱动器、及其节流方法。

2、根据示例实施例的一个方面，一种半导体存储器件包括：单元阵列，包括多个存储体；命令解码器，被配置为对从半导体存储器件的外部输入的读/写命令、读命令和写命令进行解码；地址解码器，接收读地址和写地址；输入接收器，被配置为将通过写数据焊盘输入的写数据发送到与写地址相对应的第一存储体的全局输入/输出驱动器；以及输出驱动器，被配置为将从与读地址相对应的第二存储体的输入/输出读出放大器输出的读数据发送到读数据焊盘，其中，写数据经由写数据焊盘以单倍数据速率方法输入，并在不经过解串行化处理的情况下被发送到全局输入/输出驱动器，并且读数据在不经过串行化处理的情况下从输入/输出读出放大器被发送到读数据焊盘

3、根据示例实施例的一个方面，一种操作通过混合铜接合连接到外部器件的半导体存储器件的方法，该方法包括：在第一时钟周期期间接收第一命令、第一写地址、第一读地址和第一写数据；在第二时钟周期期间接收第二命令；以及在第二时钟周期期间输出与第一读地址相对应的第一读数据。

4、根据示例实施例的一个方面，一种半导体存储器件包括：多个存储体；命令解码器，被配置为对从中央处理单元输入的读/写命令、读命令和写命令进行解码；以及输入接收器，被配置为将通过写数据焊盘输入的写数据发送到与写地址相对应的存储体的全局输入/输出驱动器，其中，写数据在与读/写命令、或写命令相同的时钟周期期间被输入。

技术特征：

1.一种半导体存储器件，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述读数据焊盘或所述写数据焊盘通过混合铜接合来电连接到中央处理单元。

3.根据权利要求2所述的半导体存储器件，其中，第一数量的读数据焊盘、或第二数量的写数据焊盘对应于所述中央处理单元的高速缓存行大小，并且

4.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述读地址和所述写地址通过不同的地址输入焊盘被发送到所述地址解码器。

5.根据权利要求4所述的半导体存储器件，其中，所述读/写命令、所述写地址、所述读地址、以及所述写数据在相同时钟周期期间被输入。

6.根据权利要求4所述的半导体存储器件，其中，所述写命令、所述写地址和所述写数据在相同时钟周期期间被输入。

7.根据权利要求4所述的半导体存储器件，其中，所述读命令和所述读地址在相同时钟周期期间被同时输入。

8.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述输入接收器和所述输出驱动器分别以全双工方式独立地发送所述写数据和所述读数据。

9.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述读/写命令同时包括读请求和写请求。

10.一种操作通过混合铜接合来连接到外部器件的半导体存储器件的方法，所述方法包括：

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第一命令同时包括读请求和写请求。

12.根据权利要求10所述的方法，还包括：

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述半导体存储器件包括：

14.根据权利要求12所述的方法，其中，所述第二命令包括第一读请求，并且所述第三命令同时包括第二读请求和写请求。

15.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第一写数据通过根据混合铜接合而形成的写数据焊盘被输入，并且所述第一读数据通过根据混合铜接合而形成的读数据焊盘被输出，

16.一种半导体存储器件，包括：

17.根据权利要求16所述的半导体存储器件，还包括：

18.根据权利要求17所述的半导体存储器件，其中，第一数量的写数据焊盘、或第二数量的读数据焊盘对应于所述中央处理单元的高速缓存行的大小，并且

19.根据权利要求17所述的半导体存储器件，其中，所述写数据焊盘、或所述读数据焊盘通过混合铜接合来连接到所述中央处理单元。

20.根据权利要求17所述的半导体存储器件，其中，所述写数据在不经过解串行化处理的情况下从所述写数据焊盘传送到所述全局输入/输出驱动器，并且

技术总结一种半导体存储器件包括：单元阵列，包括多个存储体；命令解码器，配置为对从半导体存储器件的外部输入的读/写命令、读命令和写命令进行解码；地址解码器，接收读地址和写地址；输入接收器，配置为将通过写数据焊盘输入的写数据发送到与写地址相对应的存储体的全局I/O驱动器；以及输出驱动器，配置为将从与读地址相对应的存储体的I/O读出放大器输出的读数据发送到读数据焊盘，其中，写数据经由写数据焊盘以单倍数据速率方法输入，并在不经过解串行化处理的情况下被发送到全局I/O驱动器，并且读数据在不经过串行化处理的情况下从I/O读出放大器被发送到读数据焊盘。在一些实施例中，半导体存储器件通过混合铜接合来电地并物理地耦接到中央处理单元。技术研发人员：曹丙坤,吴桂植,林汪龙,金德成,崔璋石受保护的技术使用者：三星电子株式会社技术研发日：技术公布日：2024/6/2