多命令存储器存取的制作方法

本公开的实施例大体上涉及半导体装置领域。更具体来说，本公开的实施例涉及阈值型存储器的经改进的读取及写入存储器操作。

背景技术：

1、本章节希望向读者介绍可与在下文描述及/或主张的本技术的各种方面有关的各种技术方面。据信，此论述有助于向读者提供背景信息以促进更好地理解本公开的各种方面。因此，应了解，这些陈述应在此背景下阅读而非作为对现有技术的承认。

2、一般来说，计算系统包含处理电路系统(例如一或多个处理器或其它合适组件)以及存储器装置(例如芯片或集成电路)。可在例如双列直插式存储器模块(dimm)的存储器模块上使用一或多个存储器装置，以存储处理电路系统可存取的数据。例如，基于到计算系统的用户输入，处理电路系统可请求存储器模块从其存储器装置检索对应于用户输入的数据。在一些例子中，所检索数据可包含可由处理电路系统执行以执行操作的指令，及/或可包含待用作用于此操作的输入的数据。另外，在一些情况中，从操作输出的数据可存储在存储器中例如以使得能够随后从存储器检索数据。

3、一些存储器装置包含可通过导通将存储器单元(例如，电容器)与字线或位线耦合的晶体管来存取的存储器单元。相比之下，阈值型存储器装置可包含通过跨越存储器单元提供电压来存取的存储器装置，其中基于存储器单元的阈值电压来存储及/或检索数据值。例如，数据值可基于是否超过存储器单元的阈值电压，并且响应于跨越存储器单元提供的电压，存储器单元传导电流。所存储的数据值可改变，例如通过施加足以改变存储器单元的阈值电压的电压。此外，可通过施加足够电压以允许存取存储器单元的存储电压来检索(即，读取)数据值。阈值型存储器单元的一个实例可为交叉点存储器单元(xpoint存储器单元)。

4、如所描述，提供阈值电压指示何时在阈值型存储器中执行某些动作。然而，此阈值可能由于例如偏置干扰、读取干扰及/或循环等的可靠性问题而偏离，且可能导致阈值型存储器装置的不同阈值型存储器单元之间的不一致特性。例如，可靠性问题可导致不同存储器单元的阈值电压的偏离，这是因为读取或偏置干扰可影响阈值型存储器单元的存储操作。此外，归因于由阈值型存储器装置使用的架构，施加到不同阈值型存储器单元的偏置电压及/或电流可变得不同。例如，阈值型存储器单元的不同电气距离可导致不同水平的尖峰电流及电阻器-电容器(rc)瞬态。

5、当使用阈值型存储器装置时，所描述可靠性问题可导致错误写入及/或读取操作。常规上，可靠存储器读取及写入操作可权衡位错误率与较低存储器处理量及增加的功耗。例如，常规可靠存储器操作，例如重新读取存储器及使用特定错误校正码(ecc)方案及技术，可以较低存储器处理量及增加的功耗为代价来降低位错误率。因此，需要改进的存储器读取及写入操作来改进存储器位错误性能，同时减轻存储器处理量及功耗。

技术实现思路

技术特征：

1.一种电子装置，其包括：

2.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述存储器控制器经配置以结合对所述第一数据值的第一级错误校正来提供所述第二读取指令。

3.根据权利要求2所述的电子装置，其中所述存储器控制器经配置以结合对所述第二数据值的第二级错误校正来提供所述第一读取指令。

4.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述存储器控制器经配置以基于检测到触发事件来传输所述一或多个第二读取命令。

5.根据权利要求4所述的电子装置，其中所述存储器控制器经配置以基于所传输的所述多个第一读取命令的数目或基于与所述多个第一读取命令的传输相关的所经过的时间量来检测所述触发事件。

6.根据权利要求4所述的电子装置，其中所述存储器控制器经配置以当在传输所述多个第一读取命令时发生错误存储器读取操作时检测到所述触发事件。

7.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述存储器控制器经配置以使用第一数据协议来产生所述第一读取指令，且使用与所述第一数据协议不同的第二数据协议来产生所述第二读取指令。

8.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述存储器控制器经配置以：

9.根据权利要求8所述的电子装置，其中所述存储器控制器经配置以：

10.根据权利要求9所述的电子装置，其中所述存储器控制器经配置以在基于所述增加数据处理量来使用相对所述第二读取指令的所述第一读取指令时以降低功耗执行存储器读取操作。

11.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述存储器阵列包括3维存储器阵列。

12.根据权利要求9所述的电子装置，其中所述存储器控制器经配置以通过传输使用第二读取指令的一或多个第三读取命令来执行存储器读取操作以读取存储在所述多个所述存储器单元中的所述第一一或多个存储器单元中的所述第一数据值，其中所述一或多个第三读取命令使用多于所述阈值数目个脉冲的所述第二数目个脉冲各自执行或一起执行。

13.一种电子装置，其包括：

14.根据权利要求13所述的电子装置，其中所述存储器控制器经配置以：

15.根据权利要求13所述的电子装置，其中所述存储器控制器经配置以基于检测到触发事件来传输所述一或多个第二写入命令，其中所述触发事件是基于所述存储器控制器检测到：

16.根据权利要求13所述的电子装置，其中所述存储器控制器经配置以使用第一数据协议来产生所述多个第一写入命令，且使用与所述第一数据协议不同的第二数据协议来产生所述一或多个第二写入命令。

17.根据权利要求13所述的电子装置，其中所述存储器控制器经配置以基于短于阈值时间的第一完成时间来提供所述第一写入指令，且基于长于所述阈值时间的第二完成时间来提供所述第二写入指令，其中当执行所述存储器写入操作时，所述第一完成时间导致增加的存储器写入处理量。

18.一种存储可由计算系统中的一或多个处理器执行的指令的有形非暂时性计算机可读媒体，其中所述指令包括用于以下操作的指令：

19.根据权利要求18所述的有形非暂时性计算机可读媒体，其中用以执行所述存储器读取操作的所述指令包括用以在没有所述触发事件的情况下利用所述第一读取命令的指令，其中用以执行所述存储器写入操作的所述指令包括用以在没有所述触发事件的情况下利用所述第一写入命令的指令。

20.根据权利要求18所述的有形非暂时性计算机可读媒体，其中基于用以利用第一读取数据协议的指令来产生所述第一读取命令，且基于用以利用与所述第一读取数据协议不同的第二读取数据协议的指令来产生所述第二读取命令，其中基于用以利用第一写入数据协议的指令来产生所述第一写入命令，且基于用以利用与所述第一写入数据协议不同的第二写入数据协议的指令来产生所述第二写入命令。

21.根据权利要求18所述的有形非暂时性计算机可读媒体，其中与所述第二读取命令相比，用以利用所述第一读取命令的指令对应于减少的读取延迟，其中在执行所述存储器写入操作时，所述减少的读取延迟导致增加的存储器读取处理量，其中与所述第二写入命令相比，用以利用所述第一写入命令的指令对应于更短写入完成时间，其中在执行所述存储器写入操作时，所述更短写入完成时间导致增加的存储器写入处理量。

技术总结存储器装置(100)可以不同位错误校正率执行读取操作及写入操作以满足位错误校正率。然而，使用单个类型的读取命令及/或写入命令来改进所述存储器装置(100)的所述位错误校正率可导致更长读取及写入命令。此外，使用更长读取及写入命令可导致不合意的更高存储器功耗，且可降低存储器处理量。因此，描述可使用具有增加的位错误校正能力及减少的位错误校正能力的命令的组合的存储器操作。例如，所述读取操作(500)可使用多个(例如，至少两个)组或群组的读取命令，且写入操作(520)可使用多个(例如，至少两个)组或群组的写入命令。技术研发人员：H·吉杜图里受保护的技术使用者：美光科技公司技术研发日：技术公布日：2024/6/2