执行编程操作的半导体装置及其操作方法与流程

本公开总体涉及电子装置，并且更具体地，涉及执行编程操作的半导体装置及其操作方法。

背景技术：

1、半导体存储器装置可以形成为其中存储器晶体管的串水平地布置在半导体基板上的二维结构。半导体存储器装置也可以形成为具有其中存储晶体管串相对于半导体基板水平地且垂直地布置的三维结构。三维存储器提供了可以比二维半导体存储器装置的集成度大得多的集成度，部分原因是三维存储器装置包括垂直地层叠在半导体基板上方的存储器单元。

技术实现思路

1、实施方式提供了一种能够在编程操作中使存储器单元的阈值电压分布变窄的半导体装置及半导体装置的操作方法。

2、根据本公开的一方面，提供了一种操作半导体装置的方法，该方法包括：响应于编程命令而开始对多个存储器单元当中的被选存储器单元的编程操作；响应于编程中断命令而中断编程操作；以及响应于编程恢复命令而通过使用修改后的验证电压来执行预验证操作。

3、编程可以包括多个编程循环。每个编程循环可以包括存储器编程阶段和存储器验证阶段。验证阶段可以包括向连接到被选存储器单元的字线施加主验证电压和辅验证电压，辅验证电压的幅度小于主验证电压的幅度。

4、根据本公开的另一方面，提供了一种半导体装置，其包括：存储块，其包括多个存储器单元；以及外围电路，其被配置为对存储块中包括的多个存储器单元当中的被选存储器单元执行包括多个编程循环的编程操作。外围电路包括控制逻辑，控制逻辑被配置为：控制外围电路的编程操作；响应于编程中断命令而控制外围电路以中断编程操作；以及响应于编程恢复命令而控制外围电路以基于修改后的验证电压对被选存储器单元执行预验证操作。

5、多个编程循环中的每一个可以包括编程阶段和验证阶段。在验证阶段中，控制逻辑可以控制外围电路以使用主验证电压和小于主验证电压的辅验证电压来执行验证操作。在预验证操作中，控制逻辑可以控制外围电路以使用主验证电压和降低后的辅验证电压来执行验证操作。

6、根据本公开的又一方面，提供了一种半导体装置，其包括：存储块，其包括用于每个存储器单元存储n位数据的多个存储器单元；以及外围电路，其被配置为对存储块中包括的多个存储器单元当中的被选存储器单元执行包括多个编程循环的编程操作。外围电路包括控制逻辑，控制逻辑被配置为响应于编程命令而控制外围电路的编程操作，响应于在要被编程到第一编程状态至第(2n-1)编程状态当中的第i编程状态的存储器单元的验证通过之后接收到的编程中断命令而控制外围电路以中断编程操作，以及响应于编程恢复命令而控制外围电路以基于修改后的验证电压对要被编程到第(i+1)编程状态至第(2n-1)编程状态当中的第j编程状态的存储器单元执行预验证操作，其中，n为大于1的自然数，i为大于0且小于(2n-1)的自然数，并且j为大于i且小于2n的自然数。

技术特征：

1.一种操作半导体装置的方法，所述方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述编程操作附加地包括：运行多个编程循环，并且每个编程循环包括编程阶段和验证阶段，

3.根据权利要求2所述的方法，其中，执行所述预验证操作包括以下步骤：

4.根据权利要求2所述的方法，其中，执行所述预验证操作包括以下步骤：

5.根据权利要求2所述的方法，其中，执行所述预验证操作包括以下步骤：

6.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，由所述外围电路执行的所述多个编程循环中的每一个包括编程阶段和验证阶段，并且在所述验证阶段中，所述控制逻辑使所述外围电路使用主验证电压和小于所述主验证电压的辅验证电压来执行验证操作。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，在所述预验证操作期间，所述控制逻辑控制所述外围电路以使用所述主验证电压和降低后的辅验证电压来执行验证操作。

9.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，在所述预验证操作期间，所述控制逻辑控制所述外围电路以使用降低后的主验证电压和所述辅验证电压来执行验证操作。

10.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，在所述预验证操作期间，所述控制逻辑控制所述外围电路以使用降低后的主验证电压和降低后的辅验证电压来执行验证操作。

11.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述控制逻辑基于所述编程操作被中断的时段来确定所述修改后的验证电压的幅度。

12.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，在所述预验证操作之后，所述控制逻辑控制所述外围电路以执行后续编程循环。

13.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，所述控制逻辑控制所述外围电路以基于修改前的原始的验证电压来执行所述后续编程循环的验证阶段。

14.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

15.根据权利要求14所述的半导体装置，其中，所述多个编程循环中的每一个包括编程阶段和验证阶段，并且在所述验证阶段中，所述控制逻辑控制所述外围电路以通过使用对应于所述第j编程状态的主验证电压和辅验证电压来对要被编程到所述第j编程状态的所述存储器单元执行验证操作。

16.根据权利要求15所述的半导体装置，其中，在所述预验证操作中，所述控制逻辑控制所述外围电路以通过使用所述主验证电压和降低后的辅验证电压来对要被编程到所述第j编程状态的所述存储器单元执行验证操作。

17.根据权利要求16所述的半导体装置，其中，在所述预验证操作之后，所述控制逻辑控制所述外围电路以通过使用所述主验证电压和降低前的原始的辅验证电压来执行后续编程循环。

18.根据权利要求15所述的半导体装置，其中，在所述预验证操作中，所述控制逻辑控制所述外围电路以通过使用降低后的主验证电压和所述辅验证电压来对要被编程到所述第j编程状态的所述存储器单元执行验证操作。

19.根据权利要求18所述的半导体装置，其中，在所述预验证操作之后，所述控制逻辑控制所述外围电路以通过使用所述降低后的主验证电压和所述辅验证电压来执行后续编程循环。

20.根据权利要求15所述的半导体装置，其中，在所述预验证操作中，所述控制逻辑控制所述外围电路以通过使用降低后的主验证电压和降低后的辅验证电压来对要被编程到所述第j编程状态的所述存储器单元执行验证操作。

21.根据权利要求20所述的半导体装置，其中，在所述预验证操作之后，所述控制逻辑控制所述外围电路以通过使用降低前的原始的主验证电压和降低前的原始的辅验证电压来执行后续编程循环。

22.根据权利要求15所述的半导体装置，其中，所述控制逻辑基于所述编程操作被中断的时段来确定所述修改后的验证电压的幅度。

技术总结本申请涉及执行编程操作的半导体装置及其操作方法。一种操作半导体装置的方法包括：响应于编程命令而开始对多个存储器单元当中的被选存储器单元的编程操作；响应于编程中断命令而中断编程操作；以及响应于编程恢复命令而通过使用修改后的验证电压来执行预验证操作。技术研发人员：崔亨进,朴世泉受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司技术研发日：技术公布日：2024/5/27