执行目标刷新操作的存储器装置及其操作方法与流程

本发明的多种实施例涉及半导体设计技术，更具体地，涉及执行目标刷新操作的半导体存储器装置。

背景技术：

1、最近，除了用于顺序地刷新多个字线的正常刷新操作之外，正在对可能由于行锤击而丢失数据的特定字线的存储单元执行在下文中将称为“目标刷新操作”的额外刷新操作。行锤击现象是指由于特定字线的大量激活而导致耦接至特定字线或与特定字线相邻设置的相邻字线的存储单元的数据损坏的现象。为了防止行锤击现象，对被激活超过预定次数的字线以及与该字线相邻设置的相邻字线执行目标刷新操作。

技术实现思路

1、本发明的实施例涉及一种存储器装置，其能够分配与冗余单元区的未使用的列耦接的存储单元，所述冗余单元区用于修复正常单元区并包括行锤单元，并且根据存储在分配的存储单元中的每个行的存取计数值来选择目标地址。

2、根据本发明的一个实施例，一种存储器装置包括：存储单元区，其包括耦接至正常列选择线的正常单元以及分别耦接至冗余列选择线的行锤单元和冗余单元；修复控制电路，其被配置为根据行地址来提供与修复信息相对应的修复地址和行锤标志信号；以及列控制电路，其被配置为根据所述行锤标志信号或列地址和所述修复地址的比较结果来激活所述冗余列选择线中的至少一个。

3、根据本发明的一个实施例，一种存储器装置包括：存储单元区，其包括正常列选择线和冗余列选择线，并且其中与所述冗余列选择线之中的用于修复的未使用的冗余列选择线耦接的存储单元被分配为行锤单元；以及刷新控制电路，其被配置为在行锤跟踪模式期间，基于从所述行锤单元提供的存取计数数据来选择目标地址，并且更新所述存取计数数据以将更新的存取计数数据写回至所述行锤单元。

4、根据本发明的一个实施例，一种存储器装置的操作方法包括：在启动期间根据熔丝地址来输出非易失性存储装置中存储的修复信息作为熔丝阵列数据；根据所述熔丝地址将所述熔丝阵列数据提供为多个熔丝数据项和多个标志数据项，同时当检测到所述熔丝阵列数据包括未使用的数据时激活所述标志数据项并掩蔽所述熔丝阵列数据；以及将所述多个熔丝数据项和所述多个标志数据项分别存储在多个锁存电路中。

5、根据本发明的实施例，一种存储器装置的操作方法包括：在启动期间基于修复信息来存储与冗余列选择线相对应的修复地址和行锤标志信号，同时在未存储与冗余列选择线之中未使用的冗余列选择线相对应的修复地址的情况下设置相应的行锤标志信号；在行锤跟踪模式期间，根据行锤标志信号来选择冗余列选择线中的一个，并从耦接至选择的冗余列选择线的行锤单元读取存取计数数据；以及基于所述存取计数数据来选择目标地址，并且更新所述存取计数数据以将更新的存取计数数据写回至所述行锤单元。

6、根据本发明的一个实施例，一种存储器装置包括：存储单元区，其包括耦接至正常列选择线的正常存储单元和耦接至冗余列选择线的冗余存储单元，所述冗余存储单元包括修复存储单元和行锤存储单元；以及刷新控制电路，其被配置为在行锤跟踪模式期间：从所述行锤存储单元读取数据；对所述数据执行错误校正以生成经错误校正的数据；确定经错误校正的数据是否具有超过阈值的设置值；根据确定出所述错误校正数据具有所述设置值来确定与所述经错误校正的数据相对应的目标地址；以及对与对应于所述目标地址的行相邻的一个或更多个行执行刷新操作。

7、此外，根据本发明的实施例，与冗余单元区中的未使用的列耦接的存储单元可以用作行锤单元，从而在不添加单独的行锤区的情况下增加冗余单元区的利用率。另外，通过根据行锤单元中存储的存取计数值来选择目标地址，可以优化行锤防御能力并最小化功耗。另外，通过根据目标地址来执行目标刷新操作，可以提高刷新操作的准确性和刷新效率。

技术特征：

1.一种存储器装置，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述列控制电路：

3.根据权利要求1所述的存储器装置，

4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述修复控制电路：在启动期间基于所述修复信息来存储分别与所述冗余列选择线相对应的修复地址，并且在未存储与未使用的冗余列选择线相对应的修复地址的情况下设置相应的行锤标志信号。

5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述修复控制电路包括：

6.根据权利要求5所述的存储器装置，其中，所述锁存控制电路包括：

7.根据权利要求5所述的存储器装置，其中，所述锁存电路中的每一个包括：

8.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述修复控制电路包括：

9.根据权利要求8所述的存储器装置，其中，所述锁存控制电路包括：

10.根据权利要求8所述的存储器装置，其中，所述多个锁存电路中的每一个包括：

11.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述列控制电路包括：

12.根据权利要求11所述的存储器装置，其中，所述地址比较电路包括：

13.一种存储器装置，包括：

14.根据权利要求13所述的存储器装置，其中，所述刷新控制电路根据跟踪信号在所述行锤跟踪模式期间操作，所述跟踪信号在从激活命令的输入起的预定时间之后被激活并且在读取命令或写入命令被输入之前被去激活。

15.根据权利要求13所述的存储器装置，其中，所述刷新控制电路包括：

16.根据权利要求13所述的存储器装置，还包括：

17.一种存储器装置的操作方法，所述操作方法包括：

18.根据权利要求17所述的操作方法，

19.根据权利要求17所述的操作方法，还包括：

20.根据权利要求19所述的操作方法，其中，选择冗余列选择线中的至少一个包括：

21.一种存储器装置的操作方法，所述操作方法包括：

22.根据权利要求21所述的操作方法，其中，根据跟踪信号来设置所述行锤跟踪模式，所述跟踪信号在从激活命令的输入起的预定时间之后被激活并且在读取命令或写入命令被输入之前被去激活。

23.根据权利要求21所述的操作方法，其中，选择所述目标地址包括：当所述存取计数数据具有超过预设阈值的值时，存储行地址作为所述目标地址。

24.根据权利要求21所述的操作方法，还包括：

技术总结本公开涉及一种存储器装置及其操作方法。存储器装置包括：存储单元区，其包括耦接至正常列选择线的正常单元、以及分别耦接至冗余列选择线的行锤单元和冗余单元；修复控制电路，其被配置为根据行地址来提供与修复信息相对应的修复地址和行锤标志信号；以及列控制电路，其被配置为根据行锤标志信号或列地址和修复地址的比较结果来激活冗余列选择线中的至少一个。技术研发人员：刘正宅受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司技术研发日：技术公布日：2024/5/16