执行偏移补偿操作的存储器件的制作方法

本文描述的本公开的实施例涉及存储器件，更具体地，涉及执行偏移补偿操作的存储器件。

背景技术：

1、半导体存储器指的是通过使用诸如硅(si)、锗(ge)、砷化镓(gaas)或磷化铟(inp)的半导体材料实现的存储器件。半导体存储器件大体上分为易失性存储器件和非易失性存储器件。

2、易失性存储器件指的是当电源被关断时丢失存储在其中的数据的存储器件。易失性存储器件包括例如静态随机存取存储器(sram)、动态随机存取存储器(dram)、同步随机存取存储器(sdram)等。非易失性存储器件指的是即使当电源被关断时也保持存储在其中的数据的存储器件。非易失性存储器件包括例如只读存储器(rom)、可编程rom(prom)、电可编程rom(eprom)、电可擦除和可编程rom(eeprom)、nand闪存、nor闪存、相变ram(pram)、磁性ram(mram)、电阻式ram(rram)、铁电ram(fram)等。

3、在dram中，存储单元阵列与位线bl和互补位线blb连接。当执行读取操作(或刷新操作)时，读出放大器(sense amplifier，s/a)读出并放大位线bl与互补位线blb的电压差。读出放大器能够包括各种半导体元件。由于工艺、电压和/或温度(pvt)变化，读出放大器中包括的半导体元件可以具有不同特性(例如，不同阈值电压)。另外，即使在同一元件中，对应元件的阈值电压也可能依据pvt条件(例如，工作温度)的改变而变化。这可能引起读出放大器的偏移噪声。另外，由于位线之间的耦合可能发生耦合噪声。上述偏移噪声和耦合噪声可能导致读出放大器的有效读出裕量(margin)减小。这会降低dram的性能。

技术实现思路

1、本公开的实施例提供了一种能够基于pvt波动准确地补偿偏移的存储器件。

2、根据本公开的一些实施例，一种存储器件可以包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储块；读出放大器，所述读出放大器连接到所述多个存储块，并且被配置为响应于偏移补偿信号来执行偏移补偿操作；以及偏移时间调整电路，所述偏移时间调整电路连接到所述读出放大器，并且被配置为基于均衡电压节点处的电压与参考偏移电压的比较结果，调整所述偏移补偿操作的执行时间。

3、根据本公开的一些实施例，一种存储器件可以包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储块；读出放大器，所述读出放大器连接到所述多个存储块，并且被配置为响应于偏移补偿信号来执行偏移补偿操作；偏移时间调整电路，所述偏移时间调整电路连接到所述读出放大器，并且被配置为基于均衡电压节点处的电压与参考偏移电压的比较结果，调整所述偏移补偿操作的执行时间；以及可变电压生成器，所述可变电压生成器包括与所述读出放大器中包括的多个晶体管中的至少一个晶体管相对应的复制晶体管，所述可变电压生成器被配置为生成所述参考偏移电压。

4、根据本公开的一些实施例，一种存储器件可以包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储块；读出放大器，所述读出放大器包括第一电荷转移晶体管和第二电荷转移晶体管，其中，所述读出放大器通过所述第一电荷转移晶体管和所述第二电荷转移晶体管连接到所述存储单元阵列；合取电路，所述合取电路连接到所述读出放大器，并且被配置为向所述第一电荷转移晶体管的栅极和所述第二电荷转移晶体管的栅极提供第二输入电压和转移栅极电压，其中，所述第二输入电压用在补偿所述读出放大器中包括的一个或更多个元件的阈值电压之间的差的操作中，并且其中，所述转移栅极电压用在电荷转移操作中；以及可变电压生成器，所述可变电压生成器包括与所述读出放大器中包括的多个晶体管中的至少一个晶体管相对应的复制晶体管，所述可变电压生成器被配置为基于所述复制晶体管的阈值电压生成所述转移栅极电压。

技术特征：

1.一种存储器件，所述存储器件包括：

2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述读出放大器包括：

3.根据权利要求2所述的存储器件，其中，所述位线读出放大器包括：

4.根据权利要求3所述的存储器件，其中，所述偏移时间调整电路包括：

5.根据权利要求4所述的存储器件，其中，所述合取电路包括：

6.根据权利要求5所述的存储器件，其中，当执行所述偏移补偿操作时，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管和所述第五晶体管接通。

7.根据权利要求5所述的存储器件，其中，所述比较电路包括：

8.根据权利要求7所述的存储器件，其中，所述比较器被配置为：当所述均衡电压节点处的电压等于所述参考偏移电压时，生成偏移补偿关闭信号，并且

9.根据权利要求5所述的存储器件，其中，所述合取电路还包括：

10.根据权利要求9所述的存储器件，其中，所述合取电路还包括：

11.根据权利要求10所述的存储器件，其中，所述比较电路包括：

12.根据权利要求1所述的存储器件，所述存储器件还包括：

13.根据权利要求12所述的存储器件，其中，所述可变电压生成器还包括：

14.根据权利要求12所述的存储器件，其中，所述可变电压生成器还包括：

15.一种存储器件，所述存储器件包括：

16.根据权利要求15所述的存储器件，其中，所述可变电压生成器还包括：

17.根据权利要求15所述的存储器件，其中，所述读出放大器包括：

18.根据权利要求17所述的存储器件，其中，所述偏移时间调整电路还包括：

19.一种存储器件，所述存储器件包括：

20.根据权利要求19所述的存储器件，其中，所述可变电压生成器还包括：

技术总结公开了一种存储器件，所述存储器件包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列具有多个存储块；读出放大器，所述读出放大器连接到所述多个存储块，并且被配置为响应于偏移补偿信号来执行偏移补偿操作；以及偏移时间调整电路，所述偏移时间调整电路连接到所述读出放大器，并且被配置为基于均衡电压节点处的电压与参考偏移电压的比较结果，调整所述偏移补偿操作的执行时间。技术研发人员：南炅兑,徐宁焄受保护的技术使用者：三星电子株式会社技术研发日：技术公布日：2024/4/17