闪存存储方法、设备及计算机可读存储介质与流程

本发明涉及闪存存储领域，尤其涉及闪存存储方法、设备及计算机可读存储介质。

背景技术：

1、固态硬盘(ssd)由一些闪存芯片组成，每个闪存芯片分为多个块，每个块又由许多存储单元组成。在一些情况下，当ssd需要向某个存储单元写入数据时，闪存控制器会首先将该存储单元所在块的数据全部擦除，然后再将新数据写入到该存储单元中。

2、每个存储单元都有一个阈值电压，用来区分数据的擦除和写入。传统操作中，由于每一次擦除编程对每个存储单元中氧化层产生磨损，使得数据在给定时间内无法保持，最终影响ssd的寿命。

3、上述内容仅用于辅助理解本发明的技术方案，并不代表承认上述内容是现有技术。

技术实现思路

1、本发明的主要目的在于提供一种闪存存储方法、设备及计算机可读存储介质，旨在解决传统操作中，由于每一次擦除编程对每个存储单元中氧化层产生磨损，使得数据在给定时间内无法保持，最终影响ssd的寿命的技术问题。

2、为实现上述目的，本发明提供一种闪存存储方法，所述闪存存储方法包括以下步骤：

3、在接收到待存储数据时，确定所述待存储数据所需的保留时长和闪存块的擦除次数；

4、根据所述保留时长和所述闪存块的擦除次数，确定所述待存储数据的目标擦除电压参数和目标编程电压参数；

5、根据所述目标擦除电压参数擦除对应的闪存块，并基于所述目标编程电压参数将所述待存储数据写入所述闪存块。

6、可选地，所述根据所述保留时长和所述闪存块的擦除次数，确定所述待存储数据的目标擦除电压参数和目标编程电压参数的步骤包括：

7、确定所述保留时长所属的时长区间；

8、基于预先设定的所述时长区间与所述闪存块的擦除次数的对应关系，确定所述待存储数据的目标擦除电压参数和目标编程电压参数。

9、可选地，所述基于预先设定的所述时长区间与所述闪存块的擦除次数的对应关系，确定所述待存储数据的目标擦除电压参数和目标编程电压参数的步骤之前，还包括：

10、基于每一闪存块的初始电压阈值参数，设置对应的测量电压阈值参数；

11、基于每一所述测量电压阈值参数，对所述闪存块进行数据擦除和数据写入操作；

12、获取断电后所述闪存块中数据的保留时长；

13、基于所述保留时长和所述闪存块的擦除次数，设定所述时长区间和所处闪存块擦除次数的对应的关系。

14、可选地，所述根据所述目标擦除电压参数擦除对应的闪存块，并基于所述目标编程电压参数将所述待存储数据写入所述闪存块的步骤包括：

15、确定所述闪存块对应的存储器件；

16、基于所述目标擦除电压参数控制所述存储器件，以将所述闪存块中的数据擦除；

17、在确认擦除完成后，基于所述目标编程电压参数控制所述存储器件，以将所述待存储数据写入所述闪存块。

18、可选地，所述在接收到待存储数据时，确定所述待存储数据所需的保留时长和闪存块的擦除次数的步骤包括：

19、在接收到所述待存储数据时，获取所述待存储数据的数据类型；

20、根据所述数据类型对应的历史访问频率和访问模式，确定所述待存储数据所需的保留时长；

21、基于固件的记录信息，确定所述闪存块的擦除次数。

22、可选地，所述根据所述目标擦除电压参数擦除对应的闪存块，并基于所述目标编程电压参数将所述待存储数据写入所述闪存块的步骤之后，还包括：

23、对所述待存储数据进行编码，并计算出对应的校验码；

24、将所述校验码存储至所述闪存块；

25、在接收到读取所述闪存块中已存储数据的指令时，基于所述校验码对所述已存储数据的校验位进行校验；

26、在校验出所述已存储数据存在错误数据时，基于所述校验码纠正所述错误数据。

27、可选地，所述根据所述目标擦除电压参数擦除对应的闪存块，并基于所述目标编程电压参数将所述待存储数据写入所述闪存块的步骤之后，还包括：

28、获取所述待存储数据的逻辑地址；

29、基于所述待存储数据的逻辑地址和所述闪存块对应的物理地址，进行地址映射；

30、根据所述地址映射的结果，生成对应的块级映射表。

31、可选地，所述根据所述目标擦除电压参数擦除对应的闪存块，并基于所述目标编程电压参数将所述待存储数据写入所述闪存块的步骤之后，还包括：

32、在所述闪存块编程或擦除失败时，将所述闪存块的状态寄存器设置为失败，并将所述闪存块标识为坏块；

33、将所述闪存块中的数据搬移至另一闪存块中；

34、基于所述块级映射表，删除所述闪存块的逻辑地址。

35、此外，为实现上述目的，本发明还提供一种闪存存储设备，所述闪存存储方法设备包括：存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的闪存存储方法程序，所述闪存存储方法程序配置为实现如上所述的闪存存储方法的步骤。

36、此外，为实现上述目的，本发明还提供一种闪存存储方法存储介质，所述存储介质上存储有闪存存储方法程序，所述闪存存储方法程序被处理器执行时实现如上所述的闪存存储方法的步骤。

37、本发明实施例通过提供一种闪存存储方法，在需要写入数据时，根据待存储数据所要保留的时长以及各个闪存块的擦除次数，确定待存储数据的目标擦除电压参数和目标编程电压参数，并以目标擦除电压参数擦除对应的闪存块，在擦除完成后再以目标编程电压参数将待存储数据写入闪存块当中。通过以上步骤，能够根据数据所需的保留时长，为数据分配合理的闪存块，提高ssd的寿命。

技术特征：

1.一种闪存存储方法，其特征在于，所述闪存存储方法包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的闪存存储方法，其特征在于，所述根据所述保留时长和所述闪存块的擦除次数，确定所述待存储数据的目标擦除电压参数和目标编程电压参数的步骤包括：

3.如权利要求2所述的闪存存储方法，其特征在于，所述基于预先设定的所述时长区间与所述闪存块的擦除次数的对应关系，确定所述待存储数据的目标擦除电压参数和目标编程电压参数的步骤之前，还包括：

4.如权利要求1所述的闪存存储方法，其特征在于，所述根据所述目标擦除电压参数擦除对应的闪存块，并基于所述目标编程电压参数将所述待存储数据写入所述闪存块的步骤包括：

5.如权利要求1所述的闪存存储方法，其特征在于，所述在接收到待存储数据时，确定所述待存储数据所需的保留时长和闪存块的擦除次数的步骤包括：

6.如权利要求1所述的闪存存储方法，其特征在于，所述根据所述目标擦除电压参数擦除对应的闪存块，并基于所述目标编程电压参数将所述待存储数据写入所述闪存块的步骤之后，还包括：

7.如权利要求1所述的闪存存储方法，其特征在于，所述根据所述目标擦除电压参数擦除对应的闪存块，并基于所述目标编程电压参数将所述待存储数据写入所述闪存块的步骤之后，还包括：

8.如权利要求7所述的闪存存储方法，其特征在于，所述根据所述目标擦除电压参数擦除对应的闪存块，并基于所述目标编程电压参数将所述待存储数据写入所述闪存块的步骤之后，还包括：

9.一种闪存存储方法设备，其特征在于，所述闪存存储设备包括：存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的闪存存储方法程序，所述闪存存储方法程序配置为实现如权利要求1至8中任一项所述的闪存存储方法的步骤。

10.一种闪存存储方法存储介质，其特征在于，所述存储介质上存储有闪存存储方法程序，所述闪存存储方法程序被处理器执行时实现如权利要求1至8任一项所述的闪存存储方法的步骤。

技术总结本发明公开了一种闪存存储方法、设备及计算机可读存储介质，所述闪存存储方法包括以下步骤：在接收到待存储数据时，确定所述待存储数据所需的保留时长和闪存块的擦除次数；根据所述保留时长和所述闪存块的擦除次数，确定所述待存储数据的目标擦除电压参数和目标编程电压参数；根据所述目标擦除电压参数擦除对应的闪存块，并基于所述目标编程电压参数将所述待存储数据写入所述闪存块。通过以上步骤，能够根据数据所需的保留时长，为数据分配合理的闪存块，提高SSD的寿命。技术研发人员：温典,叶敏,吴大畏,李晓强受保护的技术使用者：得一微电子股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/4/17