包括闪存的存储设备及其块连续写入操作方法与流程

本文描述的本公开的示例实施例涉及半导体存储器，并且更具体地，涉及包括闪存的存储设备及其块连续写入操作方法。

背景技术：

1、半导体存储器可以主要被分类为易失性存储器或非易失性存储器。易失性存储器(例如，dram或sram)的读取或写入速度快，但当电源关闭时，存储在易失性存储器中的数据消失。相反，即使当电源中断时，非易失性存储器也可以保持数据。

2、非易失性存储器的代表性示例是闪存。闪存可以在一个存储器单元中存储两个或更多个位的多位数据。取决于阈值电压分布，存储多位数据的闪存可以具有一个擦除状态和多个编程状态。在闪存中，确保编程状态之间的读取余量可能是有利的。

3、然而，随着存储在一个存储器单元中的数据位的数量增加，闪存的读取余量变窄。此外，当存储器单元的阈值电压由于各种原因而改变时，闪存可能不能确保足够的读取余量。例如，当在闪存中发生通过电压扰动或编程电压扰动时，存储器单元的阈值电压可能增加。当存储器单元的阈值电压增加时，擦除状态和编程状态可能彼此重叠。结果，在读取操作期间可能发生读取失败。

4、编程页和非编程页可以存在于闪存的一个存储器区块中。闪存可以执行非编程页的块连续写入操作。

5、为了执行块连续写入操作，传统闪存可以确定关于所有非编程页的块连续写入是否可能。此外，传统闪存可以对于每个页执行读取操作和数据输出操作；为此，传统闪存可能需要与页数一样多的命令调用。这意味着传统闪存可能需要额外的时间来执行块连续写入操作。

技术实现思路

1、本公开的示例实施例提供一种闪存和包括该闪存的存储设备，该闪存能够通过执行一些非编程页的块连续写入操作来减少执行块连续写入操作所花费的时间。

2、本公开的示例实施例提供了一种闪存和包括该闪存的存储设备，该闪存能够通过使用一个命令调用来确定多个页的块连续写入是否可能来减少执行块连续写入操作所花费的时间。

3、根据示例实施例，存储设备可以包括与处于编程状态的存储器单元连接的第一字线、与处于擦除状态的存储器单元连接的第二字线以及在第一字线和第二字线之间并与处于擦除状态的存储器单元连接的空闲字线。通过在一个忙碌信号周期期间验证与空闲字线连接的存储器单元的擦除状态，可以确定与第二字线连接的存储器单元的块连续写入是否可能。

4、根据示例实施例，闪存可以包括与处于编程状态的存储器单元连接的第一字线、与处于擦除状态的存储器单元连接的第二字线以及在第一字线和第二字线之间的与处于擦除状态的存储器单元连接的空闲字线。空闲字线可以被多个串选择线划分成多个空闲页，并且该多个串选择线可以在一个忙碌信号周期期间被顺序地激活以便顺序地验证该多个空闲页的擦除状态。

5、根据示例实施例，块连续写入操作方法可以包括：在一个忙碌信号周期期间，验证与空闲字线连接的存储器单元是否处于擦除状态，并且取决于验证结果确定与第二字线连接的存储器单元的块连续写入是否可能。

技术特征：

1.一种存储设备，包括：

2.如权利要求1所述的存储设备，其中，在闪存内执行空闲字线检查操作以验证与空闲字线连接的存储器单元的擦除状态，并且由存储器控制器执行确定与第二字线连接的存储器单元的块连续写入是否可能的操作。

3.如权利要求2所述的存储设备，其中，所述闪存被配置用于向空闲字线提供擦除验证电压并且被配置为验证与空闲字线连接的存储器单元是否为关断单元。

4.如权利要求3所述的存储设备，其中，与空闲字线连接的存储器单元的关断单元信息被存储在所述闪存的页缓冲器电路中，并且关断单元信息在空闲字线检查操作完成之后被提供给存储器控制器。

5.如权利要求2所述的存储设备，其中，空闲字线包括一个字线并且与通过串选择线彼此区分的多个页连接。

6.如权利要求5所述的存储设备，其中，与空闲字线连接的所有页都处于擦除状态。

7.如权利要求2所述的存储设备，其中，空闲字线包括第三字线和第四字线，

8.如权利要求7所述的存储设备，其中，第四字线在第二字线与第三字线之间并且与通过串选择线彼此区分的多个页连接，并且

9.如权利要求1所述的存储设备，其中，在所述闪存内执行空闲字线检查操作和确定与第二字线连接的存储器单元的块连续写入是否可能的操作，在空闲字线检查操作中，验证与空闲字线链接的存储器单元的擦除状态，并且

10.如权利要求9所述的存储设备，其中，所述闪存被配置为通过向空闲字线提供擦除验证电压并且验证与空闲字线连接的存储器单元是否为关断单元来确定块连续写入是否可能。

11.一种闪存，包括：

12.如权利要求11所述的闪存，其中，所述闪存被配置为向空闲字线提供擦除验证电压并且将多个空闲页的擦除状态验证结果提供到存储器控制器。

13.如权利要求12所述的闪存，其中，存储器控制器被配置为基于多个空闲页的擦除状态验证结果来确定块连续写入是否可能。

14.如权利要求13所述的闪存，其中，所述闪存被配置为基于在存储器控制器处确定块连续写入是否可能的结果，执行与第二字线连接的存储器单元的块连续写入。

15.如权利要求11所述的闪存，其中，所述闪存被配置为通过在一个忙碌信号周期期间向空闲字线提供擦除验证电压来检查与空闲字线连接的存储器单元是否为关断单元。

16.如权利要求15所述的闪存，其中，所述闪存被配置为在一个忙碌信号周期期间对与空闲字线连接的关断单元的数量进行计数并且确定与第二字线连接的存储器单元的块连续写入是否可能。

17.如权利要求11所述的闪存，其中，空闲字线包括第三字线和第四字线，

18.一种存储设备的块连续写入操作方法，所述存储设备包括：

19.如权利要求18所述的方法，其中，所述验证在闪存内执行，并且

20.如权利要求18所述的方法，其中，所述验证和所述确定在闪存内执行。

技术总结公开了一种存储设备，该存储设备包括：第一字线，与处于编程状态的存储器单元连接；第二字线，与处于擦除状态的存储器单元连接；以及空闲字线，在第一字线和第二字线之间并与处于擦除状态的存储器单元连接。通过在一个忙碌信号周期期间验证与空闲字线连接的存储器单元的擦除状态来确定与第二字线连接的存储器单元的块连续写入是否可能。根据本公开，因为在一个忙碌信号周期期间确定多个空闲页的块连续写入是否可能，所以执行块连续写入操作所花费的时间可以减少。技术研发人员：高贵汉,朴相元受保护的技术使用者：三星电子株式会社技术研发日：技术公布日：2024/3/17