包括参考电压发生器的SRAM及其读取方法与流程

本文中所描述的本公开的实施例涉及一种半导体器件，更具体地，涉及一种静态随机存取存储器(sram)，其包括单条位线并且通过使用参考电压来执行读取操作。

背景技术：

1、静态随机存取存储器(sram)可以根据存储单元的结构而被分类为单位线型(single bit line-type)sram或双位线型(double bit line-type)sram。单位线型sram包括一条位线，电压通过该位线从存储单元输出，并且包括生成单独的参考电压的参考电压发生器。双位线型sram包括位线和互补位线，电压通过该位线和互补位线从存储单元输出。

2、sram可以使用读出放大器来比较电压。例如，差分型读出放大器可以被用来确定被存储在单位线型sram单元中的数据。即，读出放大器可以通过将存储单元所连接的位线的电压与参考电压发生器所连接的参考位线的电压进行比较，来确定被存储在存储单元中的数据的值。

3、由于差分型读出放大器即使在输入电压差很小的情况下也稳定地工作，所以它可以被用在高性能sram中。然而，生成差分型读出放大器所需要的具有窄分布宽度的稳定参考电压是很困难的。

技术实现思路

1、本公开的实施例提供一种参考电压发生器，其用于在包括单条位线的sram中生成稳定的参考电压。

2、根据实施例，静态随机存取存储器包括：存储单元，所述存储单元存储数据；参考电压发生器，所述参考电压发生器生成参考电压；预充电电路，所述预充电电路通过位线与所述存储单元连接、通过参考位线与所述参考电压发生器连接，并且对所述位线和所述参考位线进行预充电；以及读出放大器，所述读出放大器与所述位线和所述参考位线连接，将所述位线的电压与所述参考位线的电压进行比较，并且基于所述比较来确定存储在所述存储单元中的所述数据的值。所述参考电压发生器包括第一类型晶体管。

3、根据实施例，静态随机存取存储器包括：存储单元，所述存储单元存储数据；参考电压发生器，所述参考电压发生器生成参考电压；预充电电路，所述预充电电路通过位线与所述存储单元连接、通过参考位线与所述参考电压发生器连接，并且对所述位线和所述参考位线进行预充电；以及读出放大器，所述读出放大器与所述位线和所述参考位线连接，将所述位线的电压与所述参考位线的电压进行比较，并且基于所述比较的结果来确定存储在所述存储单元中的所述数据的值。所述参考电压发生器包括：第一pmos晶体管，所述第一pmos晶体管连接在提供电源电压的端子与从其输出所述参考电压的第一节点之间，并且响应于第一电压而工作；第二pmos晶体管，所述第二pmos晶体管连接在所述第一节点与第二节点之间，并且响应于参考电压使能信号而工作；以及至少一个nmos晶体管，所述至少一个nmos晶体管连接在所述第二节点与提供接地电压的端子之间，并且响应于第二电压而工作。

4、根据实施例，静态随机存取存储器包括：存储单元，所述存储单元存储数据；参考电压发生器，所述参考电压发生器生成参考电压；预充电电路，所述预充电电路通过位线与所述存储单元连接、通过参考位线与所述参考电压发生器连接，并且对所述位线和所述参考位线进行预充电；以及读出放大器，所述读出放大器与所述位线和所述参考位线连接，将所述位线的电压与所述参考位线的电压进行比较，并且基于所述比较的结果来确定存储在所述存储单元中的所述数据的值。所述参考电压发生器包括：第一pmos晶体管，所述第一pmos晶体管连接在提供电源电压的端子与从其输出所述参考电压的第一节点之间，并且响应于第一电压而工作；第二pmos晶体管，所述第二pmos晶体管连接在所述第一节点与第二节点之间，并且响应于参考电压使能信号而工作；至少一个第三pmos晶体管，所述至少一个第三pmos晶体管连接在所述第二节点与提供接地电压的端子之间，并且响应于所述第一电压而工作；以及至少一个第一nmos晶体管，所述至少一个第一nmos晶体管连接在所述第二节点与提供所述接地电压的所述端子之间，并且响应于第二电压而工作。

技术特征：

1.一种sram，所述sram即静态随机存取存储器，包括：

2.根据权利要求1所述的sram，其中，所述参考电压发生器包括：

3.根据权利要求2所述的sram，其中，所述参考电压生成电路包括：

4.根据权利要求3所述的sram，其中，所述至少一个第三pmos晶体管包括：

5.根据权利要求3所述的sram，其中，所述第一电压是用于使所述第一pmos晶体管和所述至少一个第三pmos晶体管一直导通的电压。

6.根据权利要求3所述的sram，其中，所述参考电压修整电路包括：

7.根据权利要求1所述的sram，其中，所述预充电电路包括：

8.根据权利要求1所述的sram，其中，所述读出放大器包括：

9.根据权利要求1所述的sram，还包括：

10.根据权利要求1所述的sram，其中，所述参考电压发生器是第一参考电压发生器，并且所述参考电压是第一参考电压，

11.一种sram，所述sram即静态随机存取存储器，包括：

12.根据权利要求11所述的sram，其中，所述至少一个nmos晶体管包括：

13.根据权利要求11所述的sram，其中，所述参考电压发生器还包括：

14.根据权利要求11所述的sram，其中，所述预充电电路包括：

15.根据权利要求11所述的sram，其中，所述读出放大器包括：

16.根据权利要求15所述的sram，其中，所述开关晶体管和所述至少一个nmos晶体管具有慢单元的属性。

17.一种sram，所述sram即静态随机存取存储器，包括：

18.根据权利要求17所述的sram，其中，所述至少一个第三pmos晶体管包括构成第一串并且串联连接在所述第二节点与提供所述接地电压的所述端子之间的pmos晶体管，并且

19.根据权利要求17所述的sram，其中，所述参考电压发生器还包括：

20.根据权利要求17所述的sram，其中，所述读出放大器包括：

技术总结提供了一种包括参考电压发生器的SRAM及其读取方法，所述静态随机存取存储器，包括：存储单元，其存储数据；参考电压发生器，其生成参考电压；预充电电路，其通过位线与所述存储单元连接、通过参考位线与所述参考电压发生器连接，并且对所述位线和所述参考位线进行预充电；以及读出放大器，其与所述位线和所述参考位线连接，将所述位线的电压与所述参考位线的电压进行比较以生成比较结果，并且基于所述比较结果来确定存储在所述存储单元中的所述数据的值。所述参考电压发生器包括第一类型晶体管。技术研发人员：崔圭源,李灿昊,金亨铁受保护的技术使用者：三星电子株式会社技术研发日：技术公布日：2024/3/4