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具有单晶体管子字线驱动器的存储器及相关联系统、装置及方法与流程

  • 国知局
  • 2024-07-31 19:42:50

本公开涉及存储器系统、装置及相关联方法。例如,本公开的若干实施例涉及具有各自包含单个晶体管的子字线驱动器的存储器系统及装置。

背景技术:

1、存储器装置广泛用于存储与各种电子装置相关的信息,所述电子装置例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器及类似者。存储器装置频繁作为内部集成电路及/或作为外部可移除装置的部分提供于计算机或其它电子装置中。存在许多不同类型的存储器,包含易失性及非易失性存储器。易失性存储器(包含静态随机存取存储器(sram)、动态随机存取存储器(dram)及同步动态随机存取存储器(sdram)等)可需要施加电力的源来维持其数据。相比之下,非易失性存储器即使在没有从外部供电的情况下也可保留其所存储数据。非易失性存储器可用于多种技术,包含快闪存储器(例如,nand及nor)、相变存储器(pcm)、铁电随机存取存储器(feram)、电阻式随机存取存储器(rram)及磁随机存取存储器(mram)等。改进存储器装置通常可包含增加存储器单元密度、提高性能(例如,读取、写入、擦除速度)或以其它方式减小操作延时、增加可靠性、增加数据留存、降低功耗、降低制造成本或降低尺寸属性等指标。

技术实现思路

1、本公开的实施例提供一种设备,其包括:多个第一子字线驱动器,其各自耦合到(a)第一全局字线及(b)多个第一局部字线中的对应一者;及多个第二子字线驱动器,其各自耦合到(a)不同于所述第一全局字线的第二全局字线,及(b)多个第二局部字线中的对应一者,其中所述多个第一局部字线中的个别者与所述多个第二局部字线中的个别者交错,且其中所述多个第一子字线驱动器中的子字线驱动器包含单个晶体管。

2、本公开的另一实施例提供一种方法,其包括:使用第一子字线驱动器来斜升第一字线上的电压,其中所述第一子字线驱动器连接到全局字线,且其中斜升所述第一字线上的所述电压包含经由所述第一子字线驱动器将所述第一字线连接到所述第一全局字线;以及在斜升所述第一字线上的所述电压的同时使用连接到所述全局字线的第二子字线驱动器来使第二字线浮动。

3、本公开的另一实施例提供一种操作存储器单元矩阵的多个局部字线的方法,所述方法包括:激发所述多个局部字线中的所选择局部字线,其中所述多个局部字线包含(a)包括所述所选择局部字线的第一组局部字线及(b)第二组局部字线,其中所述第一组中的每一局部字线经由多个第一子字线驱动器中的对应一者选择性地耦合到第一主字线,其中所述第二组中的每一局部字线经由多个第二子字线驱动器中的对应者选择性耦合到不同于所述第一主字线的第二主字线,其中所述第一组中的局部字线与所述第二组中的局部字线交错,且其中对应于所述所选择局部字线的所述多个第一子字线驱动器中的第一子字线驱动器包含单个晶体管;以及使用所述第二组中的局部字线,在激发所述所选择局部字线的同时屏蔽所述第一组中的未选择局部字线。

技术特征:

1.一种设备,其包括:

2.根据权利要求1所述的设备,其中所述单个晶体管包含耦合到相位驱动器的栅极。

3.根据权利要求2所述的设备,其中所述相位驱动器是经配置以选择性地控制所述子字线驱动器的唯一相位驱动器。

4.根据权利要求1所述的设备,其中所述单个晶体管包含nmos晶体管。

5.根据权利要求4所述的设备,其中所述nmos晶体管包含(a)耦合到所述第一全局字线的漏极,及(b)耦合到所述多个第一局部字线中的局部字线的源极。

6.根据权利要求1所述的设备,其中所述单个晶体管包含pmos晶体管。

7.根据权利要求1所述的设备,其中所述第一全局字线由第一主字线驱动器驱动,且所述第二全局字线由不同于所述第一主字线驱动器的第二主字线驱动器驱动。

8.根据权利要求1所述的设备,其中所述多个第一局部字线及所述多个第二局部字线对应于存储器单元矩阵。

9.根据权利要求8所述的设备,其中所述多个第一局部字线中的第一局部字线及所述多个第二局部字线中的第二局部字线终止于所述存储器单元矩阵,且不穿通到全局存储器阵列。

10.根据权利要求1所述的设备,其中所述多个第一局部字线中的所述个别者与所述多个第二局部字线中的个别者交错,使得所述多个第二局部字线中的两个第二局部字线(a)在所述多个第一局部字线中的第一局部字线的相对侧的侧面,且(b)各自紧邻所述第一局部字线定位。

11.根据权利要求1所述的设备,其中所述多个第一局部字线中的所述个别者与所述多个第二局部字线中的个别者交错,使得所述多个第一局部字线中的每一第一局部字线紧邻所述多个第二字线中的至少一个第二局部字线定位。

12.根据权利要求1所述的设备,其中所述设备是存储器装置的存储器阵列,且其中所述多个第一局部字线中的所述第一局部字线中的每一者及所述多个第二局部字线中的所述局部字线中的每一者在与所述存储器阵列的对应位线的相交处耦合到存储器单元。

13.根据权利要求1所述的设备,其中所述设备是动态随机存取存储器dram装置。

14.一种方法,其包括:

15.根据权利要求14所述的方法,其进一步包括在斜升所述第一字线上的所述电压以及使所述第二字线浮动的同时使用定位在所述第一字线与所述第二字线之间的第三字线来对所述第一字线屏蔽所述第二字线。

16.根据权利要求15所述的方法,其中:

17.根据权利要求14所述的方法,其中将所述第一字线连接到所述第一全局字线包含控制所述第一子字线驱动器的单个晶体管,且其中控制所述单个晶体管包含激活所述单个晶体管。

18.根据权利要求14所述的方法,其中使所述第二字线浮动包含控制所述第二子字线驱动器的单个晶体管,且其中控制所述单个晶体管包含去激活所述单个晶体管。

19.一种操作存储器单元矩阵的多个局部字线的方法,所述方法包括:

20.根据权利要求19所述的方法,其中激发所述所选择局部字线包含激活对应于所述所选择局部字线的所述第一子字线驱动器的所述单个晶体管,使得(a)所述所选择局部字线经由所述单个晶体管耦合到所述第一主字线,且(b)所述所选择局部字线上的电压跟随所述第一主字线上的电压。

21.根据权利要求20所述的方法,其中激发所述所选择局部字线包含在所述所选择局部字线经由所述单个晶体管耦合到所述第一主字线时使所述第一主字线上的所述电压斜升。

22.根据权利要求19所述的方法,其中激发所述所选择局部字线包含去激活对应于所述第一组中的所述未选择局部字线的所述多个第一子字线驱动器的第一子字线驱动器的晶体管,使得所述第一组中的所述未选择局部字线是浮动的。

23.根据权利要求22所述的方法,其中:

技术总结本文公开具有单晶体管子字线驱动器的存储器以及相关联的系统、装置及方法。在一个实施例中,一种设备包括多个第一子字线驱动器及多个第二子字线驱动器。所述多个第一子字线驱动器中的每一子字线驱动器耦合到(a)第一全局字线及(b)多个第一本地字线中的对应一者。所述多个第二子字线驱动器中的每一子字线驱动器耦合到(a)不同于所述第一全局字线的第二全局字线,及(b)多个第二本地字线中的对应一者。另外,所述多个第一本地字线中的个别者与所述多个第二本地字线中的个别者交错。技术研发人员:T·H·金受保护的技术使用者:美光科技公司技术研发日:技术公布日:2024/3/4

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