半导体存储器装置和包括半导体存储器装置的存储器系统的制作方法

本公开涉及存储器，并且更具体地，涉及用于防御行锤击攻击的半导体存储器装置和包括半导体存储器装置的存储器系统。

背景技术：

1、半导体存储器装置可被分类为易失性存储器装置或非易失性存储器装置。易失性存储器装置表示在断电时丢失存储在其中的数据的存储器装置。作为易失性存储器装置的一个示例，动态随机存取存储器(dram)可用在各种装置(诸如，移动系统、服务器或图形装置)中。

2、在易失性存储器装置(诸如，动态随机存取存储器(dram)装置)中，存储在存储器单元中的单元电荷可能由于泄漏电流而被丢失。此外，当字线在激活状态与预充电状态之间频繁地被转变时(即，当字线已经集中地或频繁地被访问时)，连接到与频繁地被访问的字线邻近的字线的受影响的存储器单元可丢失存储的电荷。存储在存储器单元中的电荷可在数据由于单元电荷的泄漏而被丢失之前通过再充电来被维持。这样的单元电荷的再充电被称为刷新操作，并且刷新操作可在单元电荷显著被丢失之前重复地被执行。

技术实现思路

1、示例实施例可提供能够通过基于预充电命令而非专用的命令来更新计数数据以防御行锤击攻击的半导体存储器装置。

2、示例实施例可提供包括能够通过基于预充电命令而非专用的来更新计数数据以防御行锤击攻击的半导体存储器装置的存储器系统。

3、根据示例实施例，一种半导体存储器装置包括存储器单元阵列、行锤击管理电路和控制逻辑电路。存储器单元阵列包括多个存储器单元行，每个存储器单元行包括相应的多个存储器单元。行锤击管理电路响应于在第一时间点从外部存储器控制器施加的激活命令而通过对所述多个存储器单元行中的每个被访问的次数进行计数来确定计数值，将计数值作为计数数据存储在与所述多个存储器单元行中的相应的存储器单元行相关联的计数单元中，并且响应于在第一命令被施加之后在第二时间点施加的预充电命令而执行内部读取-更新-写入操作，其中，内部读取-更新-写入操作包括：从所述多个存储器单元行之中的目标存储器单元行的计数单元读取计数数据，更新读取的计数数据以获得更新后的计数数据，以及将更新后的计数数据写入目标存储器单元行的计数单元中的相应的计数单元中。第一命令指定对目标存储器单元行的存储器操作，并且在激活命令被施加之后被施加。控制逻辑电路基于第一命令对目标存储器单元行执行存储器操作，并且控制行锤击管理电路。

4、根据示例实施例，一种半导体存储器装置包括存储器单元阵列、行锤击管理电路和控制逻辑电路。存储器单元阵列包括多个存储器单元行，每个存储器单元行包括相应的多个存储器单元。行锤击管理电路响应于在第一时间点从外部存储器控制器连续地施加的第一激活命令和第二而通过对所述多个存储器单元行中的每个被访问的次数进行计数来确定计数值，将计数值作为计数数据存储在与所述多个存储器单元行中的相应的存储器单元行相关联的计数单元中，并且响应于在第一命令被施加之后在第二时间点施加的预充电命令而执行内部读取-更新-写入操作，其中，内部读取-更新-写入操作包括：从所述多个存储器单元行之中的目标存储器单元行的计数单元读取计数数据，更新读取的计数数据以获得更新后的计数数据，以及将更新后的计数数据写入目标存储器单元行的计数单元中的相应的计数单元中。第一命令指定对目标存储器单元行的存储器操作，并且在第一激活命令和第二激活命令被施加之后被施加。控制逻辑电路基于第一命令对目标存储器单元行执行存储器操作，并且控制行锤击管理电路。

5、根据示例实施例，一种存储器系统包括：半导体存储器装置；以及存储器控制器，用于控制半导体存储器装置。半导体存储器装置包括存储器单元阵列、行锤击管理电路和控制逻辑电路。存储器单元阵列包括多个存储器单元行，每个存储器单元行包括相应的多个存储器单元。行锤击管理电路响应于在第一时间点从外部存储器控制器施加的激活命令而通过对所述多个存储器单元行中的每个被访问的次数进行计数来确定计数值，将计数值作为计数数据存储在与所述多个存储器单元行中的相应的存储器单元行相关联的计数单元中，并且响应于在第一命令被施加之后在第二时间点施加的预充电命令而执行内部读取-更新-写入操作，其中，内部读取-更新-写入操作包括：从所述多个存储器单元行之中的目标存储器单元行的计数单元读取计数数据，更新读取的计数数据以获得更新后的计数数据，以及将更新后的计数数据写入目标存储器单元行的计数单元中的相应的计数单元中。第一命令指定对目标存储器单元行的存储器操作，并且在激活命令被施加之后被施加。控制逻辑电路基于第一命令对目标存储器单元行执行存储器操作，并且控制行锤击管理电路。

6、因此，在根据示例实施例的半导体存储器装置中，在行锤击管理电路对与多个存储器单元行相关联的激活数中的每个进行计数以将计数值作为计数数据存储在多个存储器单元行中的每个的计数单元中时，行锤击电路可基于接收到预充电命令而非专用的命令(或额外的命令)而内部地对计数数据执行读取-更新-写入操作。0055]，

技术特征：

1.一种半导体存储器装置，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，

3.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中，第二时间点与第三时间点之间的时间间隔与在其期间行锤击管理电路执行内部读取-更新-写入操作的间隔对应。

4.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，还包括：

5.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，

6.根据权利要求5所述的半导体存储器装置，其中，行锤击管理电路被配置为：响应于激活计数更新使能信号的激活，执行内部读取-更新-写入操作。

7.根据权利要求5所述的半导体存储器装置，其中，时序控制电路被配置为：基于时钟信号的频率，适应性地调整与所述时间间隔对应的时钟信号的数量。

8.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，

9.根据权利要求8所述的半导体存储器装置，其中，时序控制电路被配置为：基于时钟信号的频率，适应性地调整与所述时间间隔对应的时钟信号的数量。

10.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，其中，时序控制电路包括：

11.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，

12.根据权利要求11所述的半导体存储器装置，其中，行锤击管理电路还包括：

13.根据权利要求12所述的半导体存储器装置，其中，锤击地址队列包括：

14.根据权利要求11所述的半导体存储器装置，其中，刷新控制电路包括：

15.一种半导体存储器装置，包括：

16.根据权利要求15所述的半导体存储器装置，

17.根据权利要求16所述的半导体存储器装置，其中，第二时间点与第三时间点之间的时间间隔与在其期间行锤击管理电路执行内部读取-更新-写入操作的间隔对应。

18.根据权利要求16所述的半导体存储器装置，还包括：

19.根据权利要求18所述的半导体存储器装置，其中，时序控制电路包括：

20.一种存储器系统，包括：

技术总结提供半导体存储器装置和包括半导体存储器装置的存储器系统。所述半导体存储器装置包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元行；行锤击管理电路；以及控制逻辑电路。行锤击管理电路基于在第一时间点施加到控制逻辑电路的激活命令将计数值作为计数数据存储在所述多个存储器单元行中的每个的计数单元中，并且响应于在第一命令被施加到控制逻辑电路之后在第二时间点施加的预充电命令来执行内部读取‑更新‑写入操作，以从多个存储器单元行之中的目标存储器单元行的计数单元读取计数数据，更新读取的计数数据以获得更新后的计数数据，并且将更新后的计数数据写入目标存储器单元行的计数单元中。技术研发人员：金基兴,吴台荣,金宗哲,李京虎,黄炯烈受保护的技术使用者：三星电子株式会社技术研发日：技术公布日：2024/2/1