半导体存储装置的制作方法

实施方式涉及一种半导体存储装置。

背景技术：

1、作为半导体存储装置，已知有nand(not and，与非)型闪速存储器。

技术实现思路

1、实施方式提供一种能够实现高速动作的半导体存储装置。

2、实施方式的半导体存储装置包含：存储单元；字线，连接在所述存储单元；源极线，连接在所述存储单元；及控制电路；且所述控制电路构成为，对所述字线施加第1电压，在施加所述第1电压后，施加大于所述第1电压的第2电压，在施加所述第2电压后，施加大于所述第1电压且小于所述第2电压的第3电压，对应于所述字线被施加所述第2电压的时刻而对所述源极线施加第4电压，在施加所述第4电压后，施加小于所述第4电压的第5电压。

技术特征：

1.一种半导体存储装置，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述控制电路在所述字线被施加所述第2电压的期间，对所述源极线施加所述第4电压。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述第4电压的大小与所述第5电压的大小的差和所述第2电压的大小与所述第3电压的大小的差一致。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述控制电路构成为，在对所述源极线施加所述第5电压后，施加大于所述第5电压的第6电压。

5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

6.一种半导体存储装置，具备：

7.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其中所述控制电路在所述字线被施加所述第2电压的期间，对所述源极线施加所述第4电压。

8.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其中所述第4电压的大小与所述第5电压的大小的差和所述第2电压的大小与所述第3电压的大小的差一致。

9.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其中

技术总结本发明的实施方式提供一种能够实现高速动作的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置(1)具备存储单元、连接在所述存储单元的字线、连接在所述存储单元的源极线及控制电路，所述控制电路构成为，对所述字线施加第1电压，在施加所述第1电压后，施加大于所述第1电压的第2电压，在施加所述第2电压后，施加大于所述第1电压且小于所述第2电压的第3电压，且对应于所述字线被施加所述第2电压的时刻而对所述源极线施加第4电压，在施加所述第4电压后，施加小于所述第4电压的第5电压。技术研发人员：渡边稔史,安彦尚文,酒向万里生受保护的技术使用者：铠侠股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/1/22