存储器、存储系统及存储器的操作方法与流程

本发明的多种实施例涉及存储器。

背景技术：

1、在半导体存储器件工业的早期阶段，存在大量最初良好的晶圆的裸片，这意味着存储芯片通过半导体制造工艺而生产有无缺陷的存储单元。然而，随着存储器件的容量增加，制造没有任何缺陷的存储单元的存储器件变得困难，并且现今，可以说基本上没有机会制造没有任何缺陷的存储单元的存储器件。为了解决该问题，在存储器件中包括冗余存储单元以及利用冗余存储单元代替有缺陷的存储单元的补救方法正在被使用。

2、作为另一个方法，用于校正存储系统中的错误的纠错电路(ecc)被用来校正发生在存储单元中的错误以及在存储系统的读取操作和写入操作期间传送数据时发生的错误。

技术实现思路

1、本发明的实施例涉及用于存储器的错误检测技术。

2、根据本发明的实施例，一种用于操作存储器的方法包括：接收预定命令；响应于预定命令，对多个存储体中的一个存储体的选择的行和选择的列执行错误检测操作；以及响应于预定命令，对存储体中的其他存储体中的每一个存储体的选择的行执行刷新操作。

3、根据本发明的另一个实施例，一种存储器包括：多个存储体；纠错电路；以及控制信号生成电路，其适于响应于预定命令而生成内部控制信号，以执行错误检测操作，在错误检测操作中，纠错电路检测多个存储体中的一个存储体中的错误、以及以对多个存储体中的其他存储体执行刷新操作。

4、根据本发明的又一个实施例，一种存储系统包括：存储器，其包括多个存储体，以及其适于响应于预定命令的施加，对多个存储体中的一个存储体执行错误检测操作，以及对多个存储体中的其他存储体执行刷新操作；以及存储器控制器，其适于控制存储器以及将预定命令施加到存储器。

技术特征：

1.一种用于操作存储器的方法，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述预定命令包括刷新命令。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，执行所述错误检测操作包括：

4.根据权利要求1所述的方法，其中，执行所述刷新操作包括：

5.根据权利要求1所述的方法，

6.根据权利要求5所述的方法，还包括：

7.根据权利要求5所述的方法，还包括：

8.根据权利要求1所述的方法，其中，执行所述错误检测操作和执行所述刷新操作同时被执行。

9.一种存储器，包括：

10.根据权利要求9所述的存储器，其中，所述预定命令包括刷新命令。

11.根据权利要求9所述的存储器，

12.根据权利要求11所述的存储器，其中，所述内部地址生成电路还适于：

13.根据权利要求11所述的存储器，其中，所述内部地址生成电路还适于：

14.根据权利要求11所述的存储器，其中，所述控制信号生成电路通过如下生成所述内部控制信号：

15.根据权利要求9所述的存储器，还包括错误记录电路，其适于记录检测到的错误。

16.一种存储系统，包括：

17.根据权利要求16所述的存储系统，其中，所述存储器还包括：

18.根据权利要求16所述的存储系统，其中，所述预定命令是刷新命令。

19.根据权利要求17所述的存储系统，

20.根据权利要求19所述的存储系统，其中，所述内部地址生成电路还适于：

21.根据权利要求19所述的存储系统，其中，所述内部地址生成电路还适于：

22.根据权利要求19所述的存储系统，其中，所述控制信号生成电路通过如下生成所述内部控制信号：

23.根据权利要求17所述的存储系统，其中，所述存储器还包括错误记录电路，所述错误记录电路适于记录检测到的错误，以及响应于所述存储器控制器的错误信息请求，将记录的错误的信息传送到所述存储器控制器。

24.一种存储器的操作方法，所述存储器包括第一存储体和第二存储体，所述第一存储体和所述第二存储体每一个均具有行和列的存储单元，所述操作方法包括：响应于用于第一操作的命令，执行所述第一操作和第二操作，

技术总结本公开涉及存储器、存储系统及存储器的操作方法。用于操作存储器的方法包括：接收预定命令；响应于预定命令，对多个存储体中的一个存储体的所选择的行和所选择的列执行错误检测操作；以及响应于预定命令，对存储体中的其他存储体中的每一个存储体的所选择的行执行刷新操作。技术研发人员：李教允,边相镇受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司技术研发日：技术公布日：2024/1/22