存储器单元的自刷新的制作方法

下文大体上涉及一或多个存储器系统且更明确来说，涉及存储器单元的自刷新。

背景技术：

1、存储器装置广泛用于在各种电子装置(例如计算机、用户装置、无线通信装置、相机、数字显示器及类似者)中存储信息。通过将存储器装置内的存储器单元编程到各种状态而存储信息。举例来说，二进制存储器单元可编程到两种支持状态中的一者，所述状态通常由逻辑1或逻辑0表示。在一些实例中，单个存储器单元可支持多于两种状态，可存储所述状态中的任一者。为存取经存储信息，组件可读取或感测存储器装置中的至少一个经存储状态。为存储信息，组件可将状态写入或编程于存储器装置中。

2、存在各种类型的存储器装置及存储器单元，包含磁性硬盘、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态ram(dram)、同步动态ram(sdram)、静态ram(sram)、铁电ram(feram)、磁性ram(mram)、电阻式ram(rram)、快闪存储器、相变存储器(pcm)、自选择存储器、硫属化物存储器技术等等。存储器单元可为易失性的或非易失性的。非易失性存储器(例如，feram)可甚至在不存在外部电源的情况下维持其经存储逻辑状态达延长时段。易失性存储器装置(例如，dram)可在与外部电源断开连接时丢失其经存储状态。

技术实现思路

技术特征：

1.一种存储器装置，其包括：

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述控制器进一步经配置以：

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述控制器进一步经配置以：

4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中至少部分基于激活所述第二晶体管而复原所述第一晶体管的所述填隙栅极处的所述电荷。

5.根据权利要求4所述的存储器装置，其中所述控制器进一步经配置以：

6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中

7.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述第一晶体管的所述第二端子与所述存储器装置的接地耦合。

8.一种设备，其包括：

9.根据权利要求8所述的设备，其中所述控制器进一步经配置以：

10.根据权利要求8所述的设备，其中所述控制器进一步经配置以：

11.根据权利要求10所述的设备，其中所述控制器进一步经配置以：

12.根据权利要求11所述的设备，其中

13.根据权利要求8所述的设备，其中所述控制器进一步经配置以：

14.根据权利要求8所述的设备，其中为对所述第一存储器单元执行所述存取操作，所述控制器进一步经配置以：

15.根据权利要求8所述的设备，其进一步包括：

16.根据权利要求8所述的设备，其中

17.一种方法，其包括：

18.根据权利要求17所述的方法，其进一步包括：

19.根据权利要求17所述的方法，其进一步包括：

20.根据权利要求17所述的方法，其进一步包括：

21.根据权利要求20所述的方法，其进一步包括：

22.根据权利要求17所述的方法，其中

23.根据权利要求17所述的方法，其中所述第一晶体管的所述第二端子与包括所述存储器单元的存储器阵列的接地耦合。

24.一种方法，其包括：

25.根据权利要求24所述的方法，其进一步包括：

26.根据权利要求24所述的方法，其进一步包括：

27.根据权利要求26所述的方法，其进一步包括：

28.根据权利要求27所述的方法，其中

29.根据权利要求24所述的方法，其进一步包括：

30.根据权利要求24所述的方法，其进一步包括：

31.根据权利要求24所述的方法，其中

32.一种非暂时性计算机可读媒体，其包括指令，所述指令在由电子装置的处理器执行时引起所述电子装置：

33.根据权利要求32所述的非暂时性计算机可读媒体，其中所述指令在由所述电子装置的所述处理器执行时进一步引起所述电子装置在将所述第三电压施加于所述第二晶体管的所述栅极之前停止将所述电流施加于所述位线，其中所述位线的所述第二电压至少部分基于停止施加所述电流。

34.根据权利要求32所述的非暂时性计算机可读媒体，其中所述指令在由所述电子装置的所述处理器执行时进一步引起所述电子装置在将所述第三电压施加于所述第二晶体管的所述栅极之前将第四电压施加于所述第一晶体管的所述控制栅极，其中所述第四电压撤销激活所述第一晶体管以将所述第一晶体管的所述第一端子与所述第一晶体管的所述第二端子隔离。

35.根据权利要求32所述的非暂时性计算机可读媒体，其中所述指令在由所述电子装置的所述处理器执行时进一步引起所述电子装置至少部分基于激活所述第二晶体管而复原所述第一晶体管的所述填隙栅极处的所述电荷。

技术总结描述用于存储器单元的自刷新的方法、系统及装置。与存储器单元耦合的控制器可经配置以将第一电压施加于第一晶体管的控制栅极，其中所述第一电压激活所述第一晶体管以基于存储于填隙栅极上的电荷选择性地将所述第一晶体管的端子彼此耦合。所述控制器可经配置以将电流施加于位线，其中所述位线的第二电压基于所述电流及存储于所述填隙栅极上的所述电荷。所述控制器可经配置以基于将所述第一电压施加于所述第一晶体管的所述控制栅极且将所述电流施加于所述位线而将第三电压施加于第二晶体管的栅极以将所述位线与所述第一晶体管的所述填隙栅极耦合。技术研发人员：E·S·卡曼受保护的技术使用者：美光科技公司技术研发日：技术公布日：2024/1/22