静态随机存储器的版图结构的制作方法

本发明涉及半导体，尤其是涉及一种静态随机存储器的版图结构。

背景技术：

1、随着以电子通讯技术为代表的现代高科技产业的不断发展，世界集成电路产业总产值以每年超过30％的速度发展，静态随机存储器(sram)作为一种重要的存储器件被广泛应用于数字与通讯电路设计中。sram是逻辑电路中一种重要部件，其因为具有功耗小，读取速度高等优点而广泛应用于数据的存储。sram单元具有由多个sram器件构成的矩阵结构，sram单元包括至少一pg管、至少一pd管和至少一pu晶体管。

2、请参照图1，现有技术的静态随机存储器(sram)的版图结构的部分结构包括：有源区，位于有源区上的pd管和pg管以及pu晶体管。pd管和pg管以及pu晶体管的个数根据具体工艺而定。pd管和pg管具有一定的距离，pd管和pu晶体管可以接触。有源区可能为多个，多个有源区之间通过浅沟槽隔离结构隔开。以两个有源区为例，分别是第一有源区110和第二有源区120，第一有源区110和第二有源区120的延伸方向均垂直于水平方向。第一有源区110上和第二有源区120上均可以设计多个pd管，其中包括设计pd管的栅极。例如，在第一有源区110上设计第一pd管的栅极130，第一pd管的栅极130为直条状，径向垂直于第一有源区110的延伸方向。在第二有源区120上设计第二pd管的栅极140，第二pd管的栅极140为直条状，径向垂直于第二有源区120的延伸方向。第一pd管的栅极130和第二pd管的栅极140相对，且两者之间的最短距离满足光刻要求。

3、然而，现有技术的静态随机存储器的版图结构中，如果想要缩小静态随机存储器面积，特别是减少水平方向上间距，需要减小第一pd管的栅极130和/或第二pd管的栅极140的在第一有源区110和/或第二有源区120外的延伸长度，或者缩小第一pd管的栅极130和第二pd管的栅极140之间在水平方向上的相对距离。然而缩小了长度会导致栅极形状受到光学临近效应的影响，影响沟道长度的稳定性，如果缩小了在水平方向上的相对距离，可能满足不了光刻条件，导致第一pd管的栅极130和第二pd管的栅极140之间曝光不充分而造成短路。也就是说，在不减小第一pd管的栅极130和/或第二pd管的栅极140的水平方向上的延伸长度且满足光刻要求的条件下，现有技术的静态随机存储器的版图结构无法缩小。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种静态随机存储器的版图结构，可以在不减小第一pd管的栅极130和/或第二pd管的栅极140的延伸长度且满足光刻要求的条件下，减小静态随机存储器的版图面积。

2、为了达到上述目的，本发明提供了一种静态随机存储器的版图结构，包括：

3、第一有源区和第二有源区，所述第一有源区和第二有源区之间通过浅沟槽隔离结构隔开，所述第一有源区和第二有源区的延伸方向均垂直于水平方向；

4、位于所述第一有源区上的第一pd管的栅极，所述第一pd管的栅极分为两部分，第一部分第一pd管的栅极垂直于所述第一有源区的延伸方向，第二部分第一pd管的栅极连接所述第一部分第一pd管的栅极并且与所述第一部分第一pd管的栅极的顺时针角度小于180°；

5、位于所述第二有源区上的第二pd管的栅极，所述第二pd管的栅极分为两部分，第一部分第二pd管的栅极垂直于所述第二有源区的延伸方向，第二部分第二pd管的栅极连接所述第一部分第二pd管的栅极并且与所述第一部分第二pd管的栅极的顺时针角度小于180°；

6、所述第二部分第二pd管的栅极与所述第二部分第一pd管的栅极相对并且相对距离满足光刻要求。

7、可选的，在所述的静态随机存储器的版图结构中，还包括pg管的栅极，所述pg管的栅极跨接在所述第一有源区和第二有源区上。

8、可选的，在所述的静态随机存储器的版图结构中，所述第一pd管的栅极以及第二pd管的栅极与所述pg管的栅极之间的最短距离均满足光刻要求。

9、可选的，在所述的静态随机存储器的版图结构中，所述第二部分第一pd管的栅极与所述第一部分第一pd管的栅极的顺时针角度为90°～165°。

10、可选的，在所述的静态随机存储器的版图结构中，所述第二部分第二pd管的栅极与所述第一部分第二pd管的栅极的顺时针角度为90°～165°。

11、可选的，在所述的静态随机存储器的版图结构中，所述第二部分第一pd管的栅极与所述第一部分第一pd管的栅极的顺时针角度和所述第二部分第二pd管的栅极与所述第一部分第二pd管的栅极的顺时针角度相同或者不相同。

12、可选的，在所述的静态随机存储器的版图结构中，所述第二部分第一pd管的栅极的宽度小于或等于所述第一部分第一pd管的栅极的宽度。

13、可选的，在所述的静态随机存储器的版图结构中，所述第二部分第二pd管的栅极的宽度小于或等于所述第一部分第二pd管的栅极的宽度。

14、可选的，在所述的静态随机存储器的版图结构中，所述第一pd管的栅极为若干个，所有所述第一pd管的栅极之间均具有一定的距离。

15、可选的，在所述的静态随机存储器的版图结构中，所述第二pd管的栅极为若干个，所有所述第二pd管的栅极之间均具有一定的距离。

16、在本发明提供的静态随机存储器的版图结构中，包括：第一有源区和第二有源区，第一有源区和第二有源区之间通过浅沟槽隔离结构隔开，第一有源区和第二有源区的延伸方向均垂直于水平方向；位于第一有源区上的第一pd管的栅极，第一pd管的栅极分为两部分，第一部分第一pd管的栅极垂直于第一有源区的延伸方向，第二部分第一pd管的栅极连接第一部分第一pd管的栅极并且与第一部分第一pd管的栅极的顺时针角度小于180°；位于第二有源区上的第二pd管的栅极，第二pd管的栅极分为两部分，第一部分第二pd管的栅极垂直于第二有源区的延伸方向，第二部分第二pd管的栅极连接第一部分第二pd管的栅极并且与第一部分第二pd管的栅极的顺时针角度小于180°；第二部分第二pd管的栅极与第二部分第一pd管的栅极相对并且两者之间在水平方向上的最短距离满足光刻要求。本发明将第一pd管的栅极和第二pd管的栅极均分为两部分，两部分之间的角度小于180°，即使得第一pd管的栅极和第二pd管的栅极均是弯曲状态，没有减小栅极水平方向上的延伸长度的情况下且第一pd管的栅极和第二pd管的栅极的相对距离满足光刻条件的要求下，还能缩小第一pd管的栅极和第二pd管的栅极之间在水平方向上的距离。从而，在不减小第一pd管的栅极和/或第二pd管的栅极的长度且满足光刻要求的条件下，减小了静态随机存储器的版图面积。

技术特征：

1.一种静态随机存储器的版图结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的静态随机存储器的版图结构，其特征在于，还包括pg管的栅极，所述pg管的栅极跨接在所述第一有源区和第二有源区上。

3.如权利要求2所述的静态随机存储器的版图结构，其特征在于，所述第一pd管的栅极以及第二pd管的栅极与所述pg管的栅极之间的最短距离均满足光刻要求。

4.如权利要求1所述的静态随机存储器的版图结构，其特征在于，所述第二部分第一pd管的栅极与所述第一部分第一pd管的栅极的顺时针角度为90°～165°。

5.如权利要求1所述的静态随机存储器的版图结构，其特征在于，所述第二部分第二pd管的栅极与所述第一部分第二pd管的栅极的顺时针角度为90°～165°。

6.如权利要求1所述的静态随机存储器的版图结构，其特征在于，所述第二部分第一pd管的栅极与所述第一部分第一pd管的栅极的顺时针角度和所述第二部分第二pd管的栅极与所述第一部分第二pd管的栅极的顺时针角度相同或者不相同。

7.如权利要求1所述的静态随机存储器的版图结构，其特征在于，所述第二部分第一pd管的栅极的宽度小于或等于所述第一部分第一pd管的栅极的宽度。

8.如权利要求1所述的静态随机存储器的版图结构，其特征在于，所述第二部分第二pd管的栅极的宽度小于或等于所述第一部分第二pd管的栅极的宽度。

9.如权利要求1所述的静态随机存储器的版图结构，其特征在于，所述第一pd管的栅极为若干个，所有所述第一pd管的栅极之间均具有一定的距离。

10.如权利要求1所述的静态随机存储器的版图结构，其特征在于，所述第二pd管的栅极为若干个，所有所述第二pd管的栅极之间均具有一定的距离。

技术总结本发明提供了一种静态随机存储器的版图结构，包括：第一有源区和第二有源区的延伸方向均垂直于水平方向；位于第一有源区上的第一PD管的栅极，第一部分第一PD管的栅极垂直于第一有源区的延伸方向，第二部分第一PD管的栅极与第一部分第一PD管的栅极的顺时针角度小于180°；位于第二有源区上的第二PD管的栅极，第一部分第二PD管的栅极垂直于第二有源区的延伸方向，第二部分第二PD管的栅极与第一部分第二PD管的栅极的顺时针角度小于180°；第二部分第二PD管的栅极与第二部分第一PD管的栅极相对并且相对距离满足光刻要求。本发明在不减小栅极长度且满足光刻要求的条件下，减小了静态随机存储器的面积。技术研发人员：于涛,孔蔚然受保护的技术使用者：上海华虹宏力半导体制造有限公司技术研发日：技术公布日：2024/1/22