用于存储器系统的自适应耗损均衡的制作方法

涉及用于存储器系统的自适应耗损均衡。

背景技术：

1、存储器装置广泛地用于将信息存储在例如计算机、用户装置、无线通信装置、相机、数字显示器等各种电子装置中。通过将存储器装置内的存储器单元编程为各种状态来存储信息。举例来说，二进制存储器单元可经编程为两个支持状态中的一个，通常对应于逻辑1或逻辑0。在一些实例中，单个存储器单元可支持多于两个可能的状态，所述状态中的任一个可由存储器单元存储。为了存取由存储器装置存储的信息，组件可读取(例如，感测、检测、检索、标识、确定、评估)存储器装置内的一或多个存储器单元的状态。为了存储信息，组件可将存储器装置内的一或多个存储器单元写入(例如，编程、设置、分配)到对应状态。

2、存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态ram(dram)、同步动态ram(sdram)、静态ram(sram)、铁电ram(feram)、磁性ram(mram)、电阻式ram(rram)、快闪存储器、相变存储器(pcm)、3维交叉点存储器(3d交叉点)、“或非”(nor)及“与非”(nand)存储器装置等。可在易失性配置或非易失性配置方面描述存储器装置。易失性存储器单元(例如，dram)除非被外部电源定期刷新，否则可能随着时间推移丢失其编程状态。非易失性存储器单元(例如，nand)即使在不存在外部电源的情况下仍可维持其编程状态很长一段时间。

技术实现思路

1、描述一种方法。所述方法可包含：至少部分地基于在存储器系统处执行第一数量的写入操作而在所述存储器系统处执行第一耗损均衡操作；至少部分地基于执行所述第一耗损均衡操作而确定第二数量的写入操作；及至少部分地基于在所述存储器系统处执行所述第二数量的写入操作而确定是否在所述存储器系统处执行第二耗损均衡操作。

2、描述一种设备。所述设备可包含：多个存储器单元；及电路系统，其经配置以使所述设备：至少部分地基于对多个存储器单元执行第一数量的写入操作而对所述多个存储器单元执行第一耗损均衡操作；至少部分地基于执行所述第一耗损均衡操作而确定第二数量的写入操作；及至少部分地基于对所述多个存储器单元执行所述第二数量的写入操作而确定是否对所述多个存储器单元执行第二耗损均衡操作。

3、描述另一方法。所述方法可包含：在存储器系统处执行第一数量的写入操作；至少部分地基于在所述存储器系统处执行所述第一数量的写入操作而确定阻止在所述存储器系统处执行第一耗损均衡操作；在所述存储器系统处执行第二数量的写入操作；及至少部分地基于确定阻止执行所述第一耗损均衡操作及在所述存储器系统处执行所述第二数量的写入操作而确定是否在所述存储器系统处执行第二耗损均衡操作。

4、描述另一设备。所述设备可包含：多个存储器单元；及电路系统，其经配置以使所述设备：在存储器系统处执行第一数量的写入操作；至少部分地基于在所述存储器系统处执行所述第一数量的写入操作而确定阻止在所述存储器系统处执行第一耗损均衡操作；在所述存储器系统处执行第二数量的写入操作；及至少部分地基于确定阻止执行所述第一耗损均衡操作及在所述存储器系统处执行所述第二数量的写入操作而确定是否在所述存储器系统处执行第二耗损均衡操作。

5、描述另一方法。所述方法可包含：根据执行耗损均衡操作的第一速率在存储器系统处执行耗损均衡；确定所述存储器系统的耗损特征满足阈值；及至少部分地基于确定所述耗损特征满足所述阈值而根据执行耗损均衡操作的第二速率在所述存储器系统处执行所述耗损均衡。

技术特征：

1.一种方法，其包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中写入操作的所述第二数量小于写入操作的所述第一数量。

3.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一数量的写入操作中的写入操作及所述第二数量的写入操作中的写入操作与将数据从所述存储器系统的与第一存储密度相关联的存储器单元迁移到所述存储器系统的与第二存储密度相关联的存储器单元相关联。

6.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

7.根据权利要求1所述的方法，其中执行所述第一耗损均衡操作包括：

8.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

9.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

10.一种设备，其包括：

11.一种方法，其包括：

12.根据权利要求11所述的方法，其中写入操作的所述第二数量大于写入操作的所述第一数量。

13.根据权利要求11所述的方法，其进一步包括：

14.根据权利要求11所述的方法，其进一步包括：

15.根据权利要求11所述的方法，其中所述第一数量的写入操作中的写入操作及所述第二数量的写入操作中的写入操作与将数据从所述存储器系统的与第一存储密度相关联的存储器单元迁移到所述存储器系统的与第二存储密度相关联的存储器单元相关联。

16.根据权利要求11所述的方法，其进一步包括：

17.根据权利要求11所述的方法，其中执行所述第一耗损均衡操作包括：

18.根据权利要求11所述的方法，其进一步包括：

19.根据权利要求11所述的方法，其进一步包括：

20.一种设备，其包括：

21.一种方法，其包括：

22.根据权利要求21所述的方法，其中：

23.根据权利要求21所述的方法，其中：

24.根据权利要求21所述的方法，其中确定所述存储器系统的所述耗损特征满足阈值包括：

25.根据权利要求21所述的方法，其中确定所述存储器系统的所述耗损特征满足阈值包括：

26.根据权利要求25所述的方法，其中耗损均衡操作的所述第二速率大于耗损均衡操作的所述第一速率。

27.根据权利要求21所述的方法，其中确定所述存储器系统的所述耗损特征满足阈值包括：

28.根据权利要求21所述的方法，其中确定所述存储器系统的所述耗损特征满足阈值包括：

29.根据权利要求28所述的方法，其中耗损均衡操作的所述第二速率小于耗损均衡操作的所述第一速率。

30.根据权利要求21所述的方法，其中：

技术总结本申请涉及用于存储器系统的自适应耗损均衡。存储器系统可实施用于执行各种耗损均衡操作的自适应速率，例如用于执行耗损均衡评估的自适应速率，或用于执行耗损均衡数据传送的自适应速率，以及其它实例。举例来说，存储器系统可根据相对较慢的速率开始或默认执行耗损均衡操作，并且可基于检测到执行耗损均衡操作的相对较大需求来调整(例如，加速)耗损均衡操作。在一些此类实例中，可以某一速率(例如，最大速率)限制耗损均衡操作，所述速率可在执行耗损均衡操作时限制存储器系统性能的退化。随着耗损分布改进，所述存储器系统可调整(例如，减速)耗损均衡操作。技术研发人员：J·J·凯恩,B·D·哈里斯,V·希夫哈雷受保护的技术使用者：美光科技公司技术研发日：技术公布日：2024/1/22