存储器系统中的读取窗口管理的制作方法

涉及存储器系统中的读取窗口管理。

背景技术：

1、存储器装置广泛用于在各种电子装置(例如计算机、用户装置、无线通信装置、照相机、数字显示器及类似者)中存储信息。通过将存储器装置内的存储器单元编程为各种状态来存储信息。举例来说，二进制存储器单元可被编程为两个支持的状态中的一者，通常对应于逻辑1或逻辑0。在一些实例中，单个存储器单元可支持多于两个可能状态，可由存储器单元存储其中的任一者。为存取由存储器装置存储的信息，组件可读取(例如，感测、检测、检索、识别、确定、评估)存储器装置内的一或多个存储器单元的状态。为存储信息，组件可将存储器装置内的一或多个存储器单元写入(例如，编程、设置、指派)到对应状态。

2、存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态ram(dram)、同步动态ram(sdram)、静态ram(sram)、铁电ram(feram)、磁性ram(mram)、电阻式ram(rram)、快闪存储器、相变存储器(pcm)、三维交叉点存储器(3d交叉点)、或非(nor)及与非(nand)存储器装置等。可根据易失性配置或非易失性配置来描述存储器装置。易失性存储器单元(例如，dram)可能随着时间的推移失去其编程状态，除非其由外部电源周期性地刷新。即使在不存在外部电源的情况下，非易失性存储器单元(例如，nand)也可长时间维持其编程状态。

技术实现思路

1、描述一种方法。所述方法可包含：针对一组存储器单元确定与各自表示不同多位值的一组一或多个阈值电压相关联的读取窗口的第一值；针对所述一组存储器单元至少部分基于所述第一值来预测所述读取窗口的第二值；至少部分基于所述读取窗口的所述第二值来预测所述一组存储器单元的错误率；以及至少部分基于所述错误率来设置所述一组一或多个阈值电压中的阈值电压的偏移的值。

2、描述一种方法。所述方法可包含：使用各自表示不同多位值的一组阈值电压中的阈值电压的偏移的初始值来写入一组存储器单元；在写入到所述一组存储器单元之后针对所述一组存储器单元，确定与所述一组阈值电压的子集相关联的读取窗口的值；至少部分基于所述读取窗口的所述值来确定所述阈值电压的所述偏移的更新值；及至少部分基于确定所述更新值而使用所述阈值电压的所述偏移的所述更新值来写入所述一组存储器单元。

3、描述一种设备。描述一种设备。所述设备可包含：存储器，其包括一组存储器单元；及控制器，其与所述存储器耦合且经配置以致使所述设备：针对所述一组存储器单元确定与各自表示不同多位值的一组一或多个阈值电压相关联的读取窗口的第一值；针对所述一组存储器单元至少部分基于所述第一值来预测所述读取窗口的第二值；至少部分基于所述读取窗口的所述第二值来预测所述一组存储器单元的错误率；以及至少部分基于所述错误率来设置所述一组一或多个阈值电压中的阈值电压的偏移的值。

4、描述一种设备。所述设备可包含：存储器，其包括一组存储器单元；及控制器，其与所述存储器耦合且经配置以致使所述设备：使用各自表示不同多位值的一组阈值电压中的阈值电压的偏移的初始值来写入一组存储器单元；在写入到所述一组存储器单元之后针对所述一组存储器单元，确定与所述一组阈值电压的子集相关联的读取窗口的值；至少部分基于所述读取窗口的所述值来确定所述阈值电压的所述偏移的更新值；及至少部分基于确定所述更新值而使用所述阈值电压的所述偏移的所述更新值来写入所述一组存储器单元。

技术特征：

1.一种方法，其包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

3.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

4.根据权利要求3所述的方法，其中设置所述偏移的所述值包括：

5.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

6.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

7.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

8.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

9.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括：

10.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

11.一种方法，其包括：

12.根据权利要求11所述的方法，其进一步包括：

13.根据权利要求11所述的方法，其进一步包括：

14.根据权利要求13所述的方法，其进一步包括：

15.根据权利要求13所述的方法，其中所述偏移的所述更新值包括所述初始值加上至少部分基于所述错误率的调整值。

16.根据权利要求13所述的方法，其进一步包括：

17.根据权利要求11所述的方法，其进一步包括：

18.根据权利要求11所述的方法，其进一步包括：

19.根据权利要求11所述的方法，其进一步包括：

20.一种设备，其包括：

技术总结本申请案涉及存储器系统中的读取窗口管理。一种存储器系统可针对一组存储器单元确定与各自表示不同多位值的一组一或多个阈值电压相关联的读取窗口的第一值。所述存储器系统可接着使用所述读取窗口的所述第一值来预测所述读取窗口的第二值。基于所述读取窗口的所述第二值，所述存储器系统可预测所述一组存储器单元的错误率。所述存储器系统可接着基于所述错误率为所述一组一或多个阈值电压中的阈值电压的偏移设置值。技术研发人员：张立德,郎慕蓉,周振明,罗婷受保护的技术使用者：美光科技公司技术研发日：技术公布日：2024/1/22