存储器装置及其操作方法与流程

本公开的各种实施方式总体上涉及半导体装置和操作该半导体装置的方法，更具体地，涉及一种存储器装置和操作该存储器装置的方法。

背景技术：

1、存储器系统可包括存储数据的存储装置和控制存储装置的控制器。

2、存储装置可包括一个或更多个存储器装置，并且控制器可输出用于控制存储器装置的命令。例如，当从主机接收到请求时，控制器可生成与请求对应的命令并将命令发送到对应存储器装置。命令可用于执行编程操作、读操作、擦除操作、用于暂停正对存储器装置执行的操作的暂停命令、用于恢复对存储器装置暂停的操作的恢复命令等。例如，当控制器向存储器装置发送针对擦除操作的命令时，存储器装置可作为响应执行擦除操作。

3、另外，一些操作可被暂停。例如，在正对存储器装置执行擦除操作时，可能需要响应于来自主机的读请求执行读操作。控制器可向存储器装置发送暂停命令以暂时暂停正对存储器装置执行的擦除操作。然后，控制器可向存储器装置发送读命令，并且存储器装置可响应于操作命令执行读操作。当读操作完成时，控制器可向存储器装置发送恢复命令以恢复暂停的擦除操作。然后，存储器装置可响应于恢复命令恢复擦除操作。

4、当响应于恢复命令对存储器装置执行暂停的擦除操作时，存储器装置的字线可被放电。在此过程中，存储块的沟道电压可能过度减小。发生这种情况可能是因为需要减小字线的电压以恢复擦除操作，并且沟道电压可能由于字线和沟道之间的沟道联接而减小。当沟道电压过度减小时，存储器装置的可靠性可能受到影响。

技术实现思路

1、本公开的各种实施方式涉及一种改进恢复的操作的可靠性的存储器装置和操作该存储器装置的方法。

2、本公开的实施方式可提供一种存储器装置。该存储器装置可包括：串，其包括串联联接在位线和源极线之间的选择晶体管和存储器单元；电压发生电路，其被配置为向联接到选择晶体管的选择线提供导通电压或截止电压，并且向联接到存储器单元的字线提供至少一个操作电压，或者对选择线或字线进行放电；页缓冲器，其被配置为对位线进行预充电或放电；以及沟道初始化电路，其被配置为在对存储器单元执行的操作完成或者在完成之前被暂停时控制电压发生电路和页缓冲器将串的沟道初始化。

3、本公开的实施方式可提供一种操作存储器装置的方法。该方法可包括以下步骤：对存储块执行作为编程操作、读操作或擦除操作之一的操作；在操作完成之后增加存储块的沟道的电压；在沟道电压增加之后允许沟道浮置；以及当沟道浮置时，对联接到存储块的字线进行放电。

4、本公开的实施方式可提供一种操作存储器装置的方法。该方法可包括以下步骤：响应于接收的操作命令而执行操作，其中，操作命令是对存储块执行编程操作、读操作或擦除操作之一的命令；响应于接收到暂停命令，暂停操作；响应于接收到恢复命令，将包括在存储块中的串的沟道初始化；以及当串的沟道被初始化时，恢复编程操作。

技术特征：

1.一种存储器装置，该存储器装置包括：

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述存储器单元联接在所述选择晶体管之间。

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述沟道初始化电路：

4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述预充电电压是大于0v的正电压。

5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述页缓冲器向所述位线施加预充电电压以将所述串的所述沟道初始化。

6.根据权利要求5所述的存储器装置，其中，所述预充电电压是大于0v的正电压。

7.根据权利要求5所述的存储器装置，其中，为了将所述串的所述沟道初始化，所述电压发生电路向所述选择线施加所述导通电压。

8.根据权利要求7所述的存储器装置，其中，为了将所述串的所述沟道初始化，所述电压发生电路向所述字线施加通过电压。

9.根据权利要求8所述的存储器装置，其中，所述通过电压是大于0v的正电压。

10.根据权利要求7所述的存储器装置，其中，当所述导通电压被施加达预定时间时，所述电压发生电路向所述选择线施加所述截止电压。

11.根据权利要求10所述的存储器装置，其中，当所述选择晶体管响应于所述截止电压而截止时，所述电压发生电路对所述字线进行放电。

12.根据权利要求10所述的存储器装置，其中，当所述选择晶体管响应于所述截止电压而截止时，所述页缓冲器对所述位线进行放电。

13.根据权利要求5所述的存储器装置，该存储器装置还包括：

14.根据权利要求13所述的存储器装置，其中，所述源极线驱动器向所述源极线施加所述预充电电压以将所述串的所述沟道初始化。

15.根据权利要求1所述的存储器装置，该存储器装置还包括：

16.根据权利要求15所述的存储器装置，其中，为了将所述串的所述沟道初始化，在所述导通电压被施加到所述选择线时，所述电压发生电路向联接到所述存储器单元的所述字线和联接到所述虚设单元的虚设线施加通过电压。

17.一种操作存储器装置的方法，该方法包括以下步骤：

18.一种操作存储器装置的方法，该方法包括以下步骤：

19.根据权利要求18所述的方法，其中，在正对所述存储器装置执行所述操作时，接收所述暂停命令。

20.根据权利要求18所述的方法，其中，将所述沟道初始化的步骤包括以下步骤：

21.根据权利要求20所述的方法，其中，当所述预充电电压被施加到联接到所述串的所述位线和所述源极线时，使联接在所述位线和所述存储器单元之间的漏极选择晶体管以及联接在所述存储器单元和所述源极线之间的源极选择晶体管截止。

22.根据权利要求20所述的方法，其中，向所述沟道供应所述预充电电压的步骤包括以下步骤：

23.根据权利要求22所述的方法，其中，使所述漏极选择晶体管和所述源极选择晶体管导通的步骤包括以下步骤：

24.根据权利要求22所述的方法，其中，在所述漏极选择晶体管和所述源极选择晶体管导通之后，所述通过电压被施加到所述字线。

25.根据权利要求22所述的方法，其中，当虚设单元联接在所述漏极选择晶体管和所述存储器单元以及所述存储器单元和所述源极选择晶体管中的一者或二者之间时，当所述通过电压被施加到所述字线时，所述通过电压被施加到与所述虚设单元联接的虚设线。

26.根据权利要求20所述的方法，其中，在从所述预充电电压被供应给所述沟道起经过了预定时间之后，执行允许所述沟道浮置的步骤。

27.根据权利要求20所述的方法，其中，允许所述沟道浮置的步骤包括以下步骤：

28.根据权利要求20所述的方法，该方法还包括以下步骤：

技术总结本申请涉及存储器装置及其操作方法。本文提供了一种存储器装置，该存储器装置可包括串、电压发生电路、页缓冲器和沟道初始化电路。串可包括串联联接在位线和源极线之间的选择晶体管和存储器单元。页缓冲器可被配置为对位线进行预充电或放电。电压发生电路可被配置为向联接到选择晶体管的选择线施加导通电压或截止电压，向联接到存储器单元的字线施加至少一个操作电压，或者对选择线或字线进行放电。当对存储器单元执行的操作完成或在完成之前被暂停时，沟道初始化电路可被配置为控制电压发生电路和页缓冲器，以将串的沟道初始化。技术研发人员：金东晙,梁海宗,金钟旭,金平和,张庸桓受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司技术研发日：技术公布日：2024/1/22