存储器装置及其操作方法与流程

本公开总体上涉及电子装置，更具体地，涉及一种存储器装置及其操作方法。

背景技术：

1、半导体装置是利用半导体的特性来存储数据的装置。半导体装置可以是用于在诸如计算机或智能电话的主机装置的控制下存储数据的存储器系统的一部分。存储器系统可包括存储数据的存储器装置以及用于控制存储器装置的存储控制器。存储器装置可被分类为易失性存储器装置或非易失性存储器装置。

2、非易失性存储器装置是即使当供电中断时数据也不消失的存储器装置。非易失性存储器装置可包括只读存储器(rom)、可编程rom(prom)、电可编程rom(eprom)、电可擦除rom(eerom)、闪存等。

3、非易失性存储器装置执行存储数据的编程操作。可通过将位线和源极线中的每一条的电压增加至目标电压并且将编程电压施加到字线来执行编程操作。当电压要增加至目标电压的位线的数量较大时或者当源极线的电压要增加至的目标电压的大小较大时，在非易失性存储器装置内同时生成大电流，因此，可调节位线和源极线中的每一条的电压增加至目标电压的时间以调节所生成的电流的量。

技术实现思路

1、一些实施方式提供了一种存储器装置和该存储器装置的操作方法，其可调节在编程操作中生成的电流的大小。

2、根据本公开的实施方式，一种存储器装置包括：预充电时间信息存储部，其被配置为存储关于根据执行编程操作的程度确定的施加位线控制信号的第一预充电时间和施加源极线控制信号的第二预充电时间的信息；以及预充电电压控制器，其被配置为在编程操作中在从第一预充电时间和第二预充电时间中选择的较长预充电时间内将位线控制信号和源极线控制信号分别提供给页缓冲器和源极线驱动器。

3、根据本公开的另一实施方式，一种存储器装置包括：预充电时间信息存储部，其被配置为存储关于根据执行编程操作的程度确定的位线的电压增加至第一预充电电压的第一预充电时间和源极线的电压增加至第二预充电电压的第二预充电时间的信息；以及编程操作控制器，其被配置为控制编程操作，使得在编程操作中位线的电压和源极线的电压在从第一预充电时间和第二预充电时间中选择的任一个预充电时间内分别增加至第一预充电电压和第二预充电电压。

4、根据本公开，一种操作存储器装置的方法包括以下步骤：存储关于根据执行编程操作的程度确定的位线的电压增加至第一预充电电压的第一预充电时间和源极线的电压增加至第二预充电电压的第二预充电时间的信息；使位线的电压和源极线的电压在从第一预充电时间和第二预充电时间中选择的任一个预充电时间内分别增加至第一预充电电压和第二预充电电压；以及将编程电压施加到与存储器单元连接的字线。

技术特征：

1.一种存储器装置，该存储器装置包括：

2.根据权利要求1所述的存储器装置，该存储器装置还包括：

3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，所述位线控制信号的大小在所述较长预充电时间内以恒定斜率增加。

4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，执行所述编程操作的程度是执行所述多个编程循环的次数。

5.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，执行所述编程操作的程度是所述存储器单元当中的被编程为具有与目标编程状态对应的阈值电压的存储器单元的数量。

6.根据权利要求4所述的存储器装置，其中，所述预充电电压控制器还包括预充电时间比较器，该预充电时间比较器基于通过将所述第一预充电时间和所述第二预充电时间彼此比较而获得的结果来确定所述较长预充电时间。

7.根据权利要求6所述的存储器装置，其中，所述多个编程循环包括初始时段、中间时段和结束时段，并且

8.根据权利要求7所述的存储器装置，其中，所述预充电时间比较器在所述中间时段和所述结束时段中将所述较长预充电时间确定为所述第二预充电时间。

9.根据权利要求7所述的存储器装置，其中，所述源极线控制信号的大小基于执行所述多个编程循环的次数而增加。

10.根据权利要求9所述的存储器装置，其中，所述预充电时间比较器：

11.一种存储器装置，该存储器装置包括：

12.根据权利要求11所述的存储器装置，该存储器装置还包括：

13.根据权利要求12所述的存储器装置，其中，所述编程操作包括多个编程循环，并且

14.根据权利要求13所述的存储器装置，其中，所述编程操作控制器控制所述外围电路，使得所述位线的电压和所述源极线的电压在所述第二预充电时间内分别增加至所述第一预充电电压和所述第二预充电电压。

15.根据权利要求13所述的存储器装置，其中，所述第二预充电电压的大小基于执行所述多个编程循环的次数而增加。

16.根据权利要求15所述的存储器装置，其中，所述多个编程循环包括初始时段、中间时段和结束时段，并且

17.一种操作存储器装置的方法，该方法包括以下步骤：

18.根据权利要求17所述的方法，其中，执行所述编程操作的程度是执行包括在所述编程操作中的多个编程循环的次数。

19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述位线的电压和所述源极线的电压在所述第二预充电时间内分别增加至所述第一预充电电压和所述第二预充电电压。

20.根据权利要求18所述的方法，其中，所述第二预充电电压的大小基于执行所述多个编程循环的次数而增加。

21.根据权利要求20所述的方法，其中，所述多个编程循环包括初始时段、中间时段和结束时段，并且

技术总结本申请涉及存储器装置及其操作方法。一种存储器装置包括预充电时间信息存储部，其用于存储关于根据执行编程操作的程度确定的施加位线控制信号的第一预充电时间和施加源极线控制信号的第二预充电时间的信息。该存储器装置还包括预充电电压控制器，其用于在编程操作中在从第一预充电时间和第二预充电时间中选择的较长预充电时间内将位线控制信号和源极线控制信号分别提供给页缓冲器和源极线驱动器。技术研发人员：郑赞熙,郭东勋,朴世泉受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司技术研发日：技术公布日：2024/1/22