执行刷新操作的存储器件的制作方法

本文描述的本发明的实施例涉及一种存储器件，并且更具体地，涉及一种考虑到导致存储单元中的漏电流的各种事件而执行刷新操作的存储器件。

背景技术：

1、半导体存储器件可以被分类为易失性半导体存储器件或非易失性半导体存储器件。易失性半导体存储器件的读取和写入速度很快，但是当电源关闭时会丢失存储在其中的数据。相反，即使电源被关闭，非易失性半导体存储器件仍保留存储在其中的信息(例如，数据)。因此，非易失性半导体存储器件用于存储无论是否供电都必须保留的信息(例如，数据)。

2、通常，易失性半导体存储器件(例如，动态随机存取存储器件(dram))的存储单元可以包括起到开关的作用的一个nmos晶体管、以及存储数据(例如，电荷)的一个电容器(例如，单元电容器)。根据存储单元的电容器中是否存在一定量的电荷(即，电容器的端电压是高还是低)，可以存储二进制信息(例如，数据)“1”或“0”。可以通过将与二进制信息(例如，数据)相对应的电压施加到存储单元来执行写入操作，并且可以通过根据电容中是否存在一定数量的电荷检测电压变化来读取存储单元的二进制信息(例如，数据)。由于电容器中累积的电荷，二进制数据得以保留。这意味着保留存储的二进制数据在原则上没有功耗。然而，由于各种事件导致nmos晶体管的pn结中存在漏电流，因此电容器中存储的初始电荷量可能会减少；在这种情况下，所存储的二进制数据可能会因漏电流而丢失。因此，在所存储的二进制数据丢失之前，可以执行刷新操作，在该刷新操作中读取存储单元的存储数据，并且存储单元中的电容器基于读取数据以初始电荷量进行重新充电。因此，可以通过周期性地重复刷新操作来保持存储单元中存储的二进制数据。然而，在过度重复刷新操作的情况下，易失性半导体存储器件的整体性能劣化；相反，在刷新操作之间的时间段过长的情况下，存在数据丢失的风险。

技术实现思路

1、本发明的实施例提供了一种考虑到导致存储单元中的漏电流的各种事件而执行刷新操作的存储器件。

2、根据本发明的一个实施例，一种存储器件包括：存储体，包括多个存储单元；以及控制逻辑，被配置为控制多个存储单元的数据输入/输出操作，其中，控制逻辑被配置为：部分地测量刷新计数，该刷新计数与导致多个存储单元中的漏电流的事件的发生次数相关联；以及基于刷新计数对存储体部分地执行刷新操作。

3、根据本发明的另一实施例，一种存储器件包括：存储体，包括多个存储块，该存储体包括多个存储单元；以及控制逻辑，被配置为控制多个存储单元的数据输入/输出操作，其中，控制逻辑被配置为：测量基于第一计数和第二计数计算的刷新计数；以及基于刷新计数对多个存储块中的存储块执行刷新操作。

4、根据本发明的另一实施例，一种存储器件包括：存储体，包括多个存储块，该存储体包括多个存储单元；以及控制逻辑，被配置为控制多个存储单元的数据输入/输出操作，其中，控制逻辑被配置为：基于从控制器接收到的激活请求和行地址，生成用于从多个存储块中选择第一存储块的块信号；当激活请求和块信号被激活时，增加第一存储块的第一计数，或者当周期性生成的振荡信号被激活时，增加多个存储块中的每个存储块的第二计数；以及基于根据第一计数和第二计数计算的刷新计数对第一存储块执行刷新操作。

技术特征：

1.一种存储器件，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述事件包括接收到用于激活所述存储体的一部分中包括的存储行的激活请求。

3.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述事件包括至少在指定时间期间将所述存储体的一部分保持在激活状态。

4.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述事件包括由所述控制逻辑生成振荡信号，并且所述振荡信号包括指定周期的信息。

5.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述控制逻辑被配置为根据所述事件的原因对所述事件施加不同的权重。

6.一种存储器件，包括：

7.根据权利要求6所述的存储器件，其中，所述第一计数是基于所述存储块的访问历史来确定的，并且所述第二计数是基于所述多个存储单元的特性来确定的。

8.根据权利要求7所述的存储器件，其中，所述控制逻辑被配置为对所述第一计数和所述第二计数施加不同的权重。

9.根据权利要求7所述的存储器件，其中，所述控制逻辑包括：

10.根据权利要求9所述的存储器件，其中，所述计数管理器包括：

11.根据权利要求9所述的存储器件，其中，所述计数管理器包括：

12.根据权利要求9所述的存储器件，其中，所述计数管理器包括：

13.根据权利要求9所述的存储器件，其中，所述刷新管理器被配置为：

14.根据权利要求9所述的存储器件，其中，所述刷新管理器被配置为：在所述刷新计数达到刷新参考值时，向所述刷新计数器发送用于初始化所述刷新计数的复位信号。

15.根据权利要求6所述的存储器件，其中，所述存储块包括由读出放大器识别的一组存储行。

16.根据权利要求6所述的存储器件，其中，所述存储块包括由多个读出放大器识别的一组存储行。

17.一种存储器件，包括：

18.根据权利要求17所述的存储器件，其中，控制逻辑被配置为对所述多个存储块中的第二存储块执行所述刷新操作，在所述第二存储块中，所述刷新计数达到刷新参考值。

19.根据权利要求18所述的存储器件，其中，所述控制逻辑被配置为：在执行所述刷新操作时，初始化所述第二存储块的所述刷新计数。

20.根据权利要求17所述的存储器件，其中，基于从所述控制器接收到的或由所述控制逻辑生成的刷新命令，所述控制逻辑被配置为对所述多个存储块中的第三存储块执行所述刷新操作，在所述第三存储块中，所述刷新计数达到刷新参考值。

技术总结公开了一种存储器件，其包括存储体和控制逻辑，存储体包括多个存储单元，控制逻辑控制多个存储单元的数据输入/输出操作。控制逻辑测量关于存储体的刷新计数，并基于该刷新计数对存储体执行刷新操作，该刷新计数与导致多个存储单元中的漏电流的至少一个事件的发生次数相关联。技术研发人员：鲁光塾受保护的技术使用者：三星电子株式会社技术研发日：技术公布日：2024/1/22