闪存的可靠性测试方法与流程

本发明涉及一种半导体集成电路测试方法，特别是涉及一种闪存(flash)的可靠性测试方法。

背景技术：

1、可靠性为非易失存储芯片非常重要的能力指标，当下或非(nor)闪存(flash)广泛应用于物联网、tws耳机、5g等领域，新兴领域的发展正为nor flash带来新的机遇，市场规模逐渐扩大，对各方面的要求也越来越高。

2、由于闪存产品的参考电压(vref)离散度较大，体现在低温干扰(disturb)验证失效，以及低温dc验证参数例如擦除和编程(erase&program)功耗偏大且分布拖尾，通过验证不同容量间产品vref偏差程度不一致。vref通常由带隙基准电路(bgr)提供。

3、如图1所示，是现有闪存的可靠性测试方法的流程图；现有闪存的可靠性测试方法包括如下步骤：

4、步骤s101、进行常温vref修调(trim)。vref修调中，主要是根据vref修调目标值(target)即vref trim target，选择修调参数进行修调，修调参数为数字信号，通过修改修调参数能选择不同档位的vref，从实现vref修调。本技术中，常温是指室温，约25℃左右。

5、步骤s102、进行常温电荷泵(pump)trim。闪存的存储单元在进行编程或擦除时所需要的大于电源电压的正电压或者负电压都需要通过电荷泵进行提供。

6、电荷泵的输出电压会通过分压电路进行分压，分压和vref进行比较形成控制信号对输入到电荷泵中的时钟信号进行控制，从而实现对电荷泵的输出电压的控制。电荷泵中，包括多级电荷泵单元，各级电荷泵单元包括电容，通过开关电路控制电容的充电和放电，从而实现电压的逐级升高或降低。

7、电荷泵的修调同样用于对电荷泵的参数进行控制并从而调节电荷泵的输出电压。

8、上述步骤s101和s102通过晶圆测试(chip probing)流程中一部分实现，如大括号101所示。

9、步骤s103、进行可靠性三温disturb验证。三温是指高温、常温和低温，用于模拟闪存在各种温度条件小的性能。在闪存中，进行擦写时，会采用对应的高电压如正高压或负高压，这些会加到选定的存储单元的字线或位线上；但是，由于闪存中的存储单元会排列成阵列结构，故在选定的存储单元的周围存在多个非选定的存储单元也且共用对应的字线或共用位线，这样，非选定的存储单元也有可能受到高电压的影响并从而产生干扰，即非选定的存储单元的存储信息有可能发生翻转，三温disturb验证则用于对这些干扰产生的翻转进行验证。

10、步骤s103a、得到可靠性三温disturb验证的结果；可以看出，现有可靠性三温disturb验证容易出现低温disturb验证失败(disturb fail)即低温disturb fail，例如会发生“1”至“0”的翻转即“1”—>“0”。

11、步骤s104、进行dc验证。dc验证是在对擦除和编程的功耗(e/p功耗)进行验证。

12、步骤s104a、得到dc验证结果，结果为：dc参数偏大且拖尾。如图2所示，是现有闪存的可靠性测试方法中dc验证得到的编程电流和擦除电流分布曲线；曲线102表示测试得到的编程电流(ipp)的分布曲线，曲线103为测试得到的擦除电流(ice)的分布曲线。可以看出，曲线102的拖尾明显，曲线103的中位值较大。所以，现有方法得到的dc参数偏大且拖尾。

13、现有方法出现问题的原因包括：

14、步骤s101中，电路保持原尺寸(size)不变；bgr温度系数中心档位调整。

15、步骤s103中，低温下vnegp-vneg2压差较常温增大，vnegp和vneg2为编程中的采用的两个负电压，如低温下可靠性disturb，“1”->“0”，与差压趋势吻合。

16、常温vref trim及pump完成后，低温下vref中位值偏大造成pump的输出电压变大，最终导致e/p功耗变大。

技术实现思路

1、本发明所要解决的技术问题是提供一种闪存的可靠性测试方法，能有效的对产品进行可靠性能力的改善，将有效改善产品参考电压波动的影响，保证产品应有的可靠性能力。

2、为此，本发明提供的闪存的可靠性测试方法包括：

3、步骤一、提供参考电压修调目标值，将所述参考电压修调目标值下调，之后在常温下进行参考电压修调。

4、步骤二、配置参考电压温度系数。

5、步骤三、提供电荷泵电压目标值，将所述电荷泵电压目标值下调，之后在常温下进行电荷泵修调。

6、步骤四、进行可靠性三温干扰验证测试；在低温干扰验证测试时，根据所述参考电压温度系数的配置信息对所述参考电压进行动态调整，以减少低温下参考电压的值并从而减少所述参考电压在高温和低温下的差异。

7、进一步的改进是，所述参考电压由带隙基准电路提供；所述带隙基准电路包括多个档位，通过所述参考电压修调选定所述带隙基准电路的档位。

8、进一步的改进是，所述参考电压修调目标值为闪存在测试中的对所述参考电压的需求值。

9、进一步的改进是，步骤二中，所配置的所述参考电压温度系数包括多个。

10、进一步的改进是，步骤三中，电荷泵电压为电荷泵的输出电压，所述参考电压输入到所述电荷泵中并用于和所述电荷泵电压的分压进行比较。

11、所述电荷泵电压为所述闪存在测试中所需要的正电压或负电压，所述正电压大于电源电压，所述负电压的绝对值大于所述电源电压。

12、进一步的改进是，步骤四中，所述可靠性三温干扰验证测试的三温环境分别为：高温、常温和低温。

13、进一步的改进是，步骤一中，将所述参考电压修调目标值下调的大小保证：

14、步骤四中，低温下的所述参考电压的中位值恢复到所述参考电压修调目标值。

15、进一步的改进是，步骤一中，将所述参考电压修调目标值下调1％。

16、进一步的改进是，步骤三中，将所述电荷泵电压目标值下调的大小保证：

17、步骤四中，低温下的所述电荷泵电压的值恢复到所述电荷泵电压目标值。

18、进一步的改进是，步骤三中，将所述电荷泵电压目标值下调1％。

19、进一步的改进是，步骤四之后，还包括：

20、步骤五、进行dc验证，用以验证擦除或编程功耗。

21、进一步的改进是，步骤五中，所述dc验证的参数包括：编程电流和擦除电流。

22、进一步的改进是，闪存包括nor闪存。

23、根据参考电压离散度大，特别是在低温时容易偏大的特点，本发明预先对参考电压修调目标值进行了下调，然后再进行常温下的参考电压修调，以及预先对电荷泵电压目标值下调，之后在常温下进行电荷泵修调，而且间参考电压温度系数的配置，这样在低温下就能根据参考电压温度系数的配置信息对参考电压进行动态调整，由于参考电压修调目标值已经进行了下调，故在参考电压温度系数不变的条件下，低温的参考电压也仅会在下调后的参考电压修调目标值的基础上增加，所以，通过对参考电压修调目标值的下调，低温参考电压的中位值会下降，能补偿低温参考电压的增加；同时，由于本发明还对低温下的参考电压温度系数进行动态调整从而实现对低温的参考电压进行动态调整，这样就能进一步降低低温下的参考电压，二者的综合作用，能减少参考电压在高温和低温下的差异，从而能平衡不同温度下的参考电压的值，这样就能有效改善不同温度导致的闪存如nor闪存产品的可靠性问题。

24、本发明中，低温下的参考电压的中位值的降低以及电荷泵电压目标值的下调，最后能使低温时的电荷泵电压下调，使低温时的电荷泵电压得到有效的控制，能减少dc验证中的擦除功耗和编程功耗，改善dc验证结果。

25、所以，本发明能有效的对产品进行可靠性能力的改善，将有效改善产品参考电压波动的影响，保证产品应有的可靠性能力。