多级NAND闪存存储器的优化方法、装置、设备及介质

本发明涉及闪存存储器领域，具体而言，涉及一种多级nand闪存存储器的优化方法、装置、设备及介质。

背景技术：

1、在现有nand闪存存储器中，通常会在出厂时将步进脉冲编程过所需要的验证电压固定，该验证电压对闪存胞元中阈值电压分布有着直接的影响。在现有方案中验证电压与存储信息之间不存在逻辑关系，是一种没有理论依据的选择；此外，现有方案中的验证电压在nand闪存存储器使用的整个过程中始终固定，不具备根据闪存磨损程度而自适应调整验证电压的功能。因此，亟需一种多级nand闪存存储器的优化方法，一方面需建立验证电压与用户信息之间的关系，另一方面需根据闪存磨损程度，自适应地优化验证电压，以达到最优的存储效率。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种多级nand闪存存储器的优化方法、装置、设备及介质，以改善上述问题。为了实现上述目的，本发明采取的技术方案如下：

2、第一方面，本申请提供了一种多级nand闪存存储器的优化方法，包括：

3、获取当前擦除次数值和每个存储胞元中的页数；

4、根据所述页数，计算得到初始权重系数；

5、根据所述初始权重系数和第一预设公式，计算得到验证电压值，所述验证电压值用于对用户数据进行存储；

6、根据所述当前擦除次数值与预设擦除次数基数值进行计算，得到判断值；

7、根据所述判断值与预设标准值进行比对：当所述判断值等于所述预设标准值时，根据预设测试数据的电压信息，计算得到电压偏移量均值，所述电压偏移量均值用于与预设电压偏移量进行信道磨损程度判定；

8、当所述电压偏移量均值大于预设电压偏移量时，对所述初始权重系数进行优化计算，得到优化权重系数；

9、根据所述优化权重系数和所述第一预设公式，计算得到验证电压优化值，所述验证电压优化值用于对用户数据进行优化存储。

10、第二方面，本申请还提供了一种多级nand闪存存储器的优化装置，包括：

11、获取模块，用于获取当前擦除次数值和每个存储胞元中的页数；

12、第一计算模块，用于根据所述页数，计算得到初始权重系数；

13、第二计算模块，用于根据所述初始权重系数和第一预设公式，计算得到验证电压值，所述验证电压值用于对用户数据进行存储；

14、第三计算模块，用于根据所述当前擦除次数值与预设擦除次数基数值进行计算，得到判断值；

15、第四计算模块，用于根据所述判断值与预设标准值进行比对：当所述判断值等于所述预设标准值时，根据预设测试数据的电压信息，计算得到电压偏移量均值，所述电压偏移量均值用于与预设电压偏移量进行信道磨损程度判定；

16、第五计算模块，用于当所述电压偏移量均值大于预设电压偏移量时，对所述初始权重系数进行优化计算，得到优化权重系数；

17、第六计算模块，用于根据所述优化权重系数和所述第一预设公式，计算得到验证电压优化值，所述验证电压优化值用于对用户数据进行优化存储。

18、第三方面，本申请还提供了一种多级nand闪存存储器的优化设备，包括：

19、存储器，用于存储计算机程序；

20、处理器，用于执行所述计算机程序时，实现所述多级nand闪存存储器的优化方法的步骤。

21、第四方面，本申请还提供了一种介质，所述介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时，实现上述基于多级nand闪存存储器的优化方法的步骤。

22、本发明的有益效果为：

23、本发明采用非正交多用户中星座图的设计思想，根据叠加调制的方法构建nand闪存的验证电压与原始信息的线性映射关系，通过数值优化算法，找到使得信道输入输出互信息最大化的权重系数，从根本上有效地提升了存储容量；本方法在使用过程中，可根据信道磨损程度，对闪存的验证电压进行自适应地调整，使得在闪存的整个生命周期内始终保持高水平的存储容量。本方法通用性好，实现过程不涉及硬件电路的改变，因此可用于现有任意多级nand闪存存储器。

24、本发明的其他特征和优点将在随后的说明书阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明实施例了解。本发明的目的和其他优点可通过在所写的说明书、权利要求书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

技术特征：

1.多级nand闪存存储器的优化方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的多级nand闪存存储器的优化方法，其特征在于，当所述电压偏移量均值大于预设电压偏移量时，对所述初始权重系数进行优化计算，得到优化权重系数，包括：

3.根据权利要求2所述的多级nand闪存存储器的优化方法，其特征在于，根据所述输入电压和所述输出电压，计算得到输入电压与输出电压的互信息值，包括：

4.根据权利要求1所述的多级nand闪存存储器的优化方法，其特征在于，根据所述初始权重系数和第一预设公式，计算得到验证电压值，所述验证电压值用于对用户数据进行存储，包括：

5.一种多级nand闪存存储器的优化装置，其特征在于，包括：

6.根据权利要求5所述的多级nand闪存存储器的优化装置，其特征在于，所述第六计算模块包括：

7.根据权利要求6所述的多级nand闪存存储器的优化装置，其特征在于，所述第四计算单元包括：

8.根据权利要求5所述的多级nand闪存存储器的优化装置，其特征在于，所述第二计算模块包括：

9.一种多级nand闪存存储器的优化设备，其特征在于，包括：

10.一种介质，其特征在于：所述介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时，实现如权利要求1至4任一项所述多级nand闪存存储器的优化方法的步骤。

技术总结本发明提供了一种多级NAND闪存存储器的优化方法、装置、设备及介质，涉及闪存存储器领域，包括：获取当前擦除次数值和每个存储胞元中的页数；根据页数，计算得到初始权重系数；根据初始权重系数和第一预设公式，计算得到验证电压值；根据当前擦除次数值与预设擦除次数基数值进行计算，得到判断值；当判断值等于预设标准值时，根据预设测试数据的电压信息，计算得到电压偏移量均值；对初始权重系数进行优化计算，得到优化权重系数；根据优化权重系数和第一预设公式，计算得到验证电压优化值。本方法一方面建立了验证电压与原始用户信息之间的关系，另一方面根据闪存磨损程度，能够自适应地优化验证电压。技术研发人员：马征,周璇受保护的技术使用者：西南交通大学技术研发日：技术公布日：2024/1/13