具有镁捕获层的热辅助磁记录（HAMR）介质的制作方法

在一些方面中，本公开涉及用于热辅助磁记录(hamr)的磁记录介质，并且更具体地涉及具有镁捕获层以减少镁迁移到附近滑块的hamr介质。

背景技术：

1、诸如硬盘驱动器(hdd)之类的磁存储系统用于静止和移动计算环境两者中的各种设备中。并有磁存储系统的设备的示例包括台式计算机、便携式笔记本电脑、便携式硬盘驱动器、数字多功能光盘(dvd)播放器、高清电视(hdtv)接收器、车辆控制系统、蜂窝电话或移动电话、电视机顶盒、数字照相机、数字视频照相机、视频游戏控制台和便携式媒体播放器。

2、典型的磁盘驱动器包括呈一个或多个平盘形式的磁存储介质。磁盘通常由两个主要物质形成，即形成其结构和刚性的基板材料，以及保持在涂层内记录层中表示数据的磁脉冲或磁矩的磁介质涂层。典型的磁盘驱动器还包括通常呈磁换能器形式的读取头和写入头，该磁换能器可以感测和/或改变存储在磁盘的记录层上的磁场。

3、能量/热辅助磁记录(eamr/hamr)系统可以增加在各种磁介质上以磁方式记录的信息的面密度。为了实现更高的磁存储面密度，可能需要磁晶粒尺寸更小(例如，小于6nm)的介质。在hamr中，在写入期间将高温施加于介质以便于到小晶粒的记录。然而，这些高温的使用可能带来操作挑战和不期望的效果，诸如hamr部件(包括介质和磁头/滑块)的可靠性问题。

技术实现思路

1、下文呈现了对本公开的一些方面的简要概述，以提供对这些方面的基本理解。该概述并不是对本公开的所有设想特征的广泛概述，并且既不旨在标识本公开的所有方面的关键或重要元素，也不旨在描绘本公开的任何或所有方面的范围。其唯一目的是以简化形式呈现本公开的一些方面的各种概念，以作为稍后呈现的更详细描述的序言。

2、在一个实施方案中，被配置用于热辅助磁记录(hamr)的介质包括基板、在基板上并且包括mgo的晶种层、在晶种层上的磁记录层和在基板上的mg捕获层。mg捕获层被配置为减轻mg从晶种层向磁记录层上方的hamr介质的表面的迁移。mg捕获层包含选自tio、tio2、sio、bao、hfo、zro、mgtio、mgtio2、mgsio、mgbao、mghfo、mgzro及它们的组合的氧化物。

3、在一个实施方案中，热辅助磁记录(hamr)介质包括基板、在基板上并且包括mgo的晶种层、在晶种层上的磁记录层和在基板上的mg捕获层。mg捕获层被配置为减轻mg从晶种层向磁记录层上方的hamr介质的表面的迁移。mg捕获层包含第一化合物，该第一化合物具有比sio2的第二键解离能低的第一键解离能，并且该第一化合物包含原子百分比小于90的mg。

4、在一个实施方案中，公开了一种用于制造热辅助磁记录(hamr)介质的方法。该方法包括：提供基板；在基板上提供晶种层，该晶种层包含mgo；在晶种层上提供磁记录层；以及在基板上提供mg捕获层，该mg捕获层被配置为减轻mg从晶种层向磁记录层上方的hamr介质的表面的迁移。mg捕获层包含选自tio、tio2、sio、bao、hfo、zro、mgtio、mgtio2、mgsio、mgbao、mghfo、mgzro及它们的组合的氧化物。

5、在一个实施方案中，公开了一种用于制造热辅助磁记录(hamr)介质的方法。该方法包括：提供基板；在基板上提供晶种层，该晶种层包含mgo；在晶种层上提供磁记录层；以及在基板上提供mg捕获层，该mg捕获层被配置为减轻mg从晶种层向磁记录层上方的hamr介质的表面的迁移。mg捕获层包含第一化合物，该第一化合物具有比sio2的第二键解离能低的第一键解离能，并且该第一化合物包含小于90％的mg。

6、通过阅读随后的详细描述，将更全面地理解本公开的这些和其他方面。通过阅读以下结合附图对本公开的具体实施方式的描述，本公开的其他方面、特征和具体实施对于本领域普通技术人员而言将变得显而易见。尽管可以相对于下文的某些具体实施和附图来讨论本公开的特征，但本公开的所有具体实施可以包括本文所讨论的有利特征中的一者或多者。换句话讲，尽管可以将一个或多个具体实施讨论为具有某些有利特征，但也可以根据本文所讨论的本公开的各种具体实施使用这些特征中的一者或多者。类似地，尽管某些具体实施在下文可以作为设备具体实施、系统具体实施或方法具体实施来讨论，但应当理解，此类具体实施可以在各种设备、系统和方法中实现。

技术特征：

1.一种被配置用于热辅助磁记录(hamr)的介质，所述hamr介质包括：

2.根据权利要求1所述的hamr介质，其中所述mg捕获层设置在所述磁记录层和所述晶种层之间。

3.根据权利要求1所述的hamr介质，其中所述mg捕获层和所述磁记录层之间的晶格失配小于预定量。

4.根据权利要求1所述的hamr介质，其中所述mg捕获层设置在所述晶种层和所述基板之间。

5.根据权利要求1所述的hamr介质，其中所述mg捕获层设置在所述磁记录层和所述hamr介质的所述表面之间。

6.根据权利要求5所述的hamr介质，所述hamr介质进一步包括在所述磁记录层上方的覆盖层，其中所述mg捕获层设置在所述磁记录层和所述覆盖层之间。

7.根据权利要求1所述的hamr介质，其中所述mg捕获层的原子尺度厚度在1和3之间，包括端值在内。

8.根据权利要求1所述的hamr介质，其中所述mg捕获层的厚度在和之间，包括端值在内。

9.一种数据存储器，所述数据存储器包括根据权利要求1所述的hamr介质。

10.一种热辅助磁记录(hamr)介质，所述hamr介质包括：

11.根据权利要求10所述的磁记录介质，其中所述第一键解离能对应于包含在所述mg捕获层中的氧化物的键解离能。

12.根据权利要求11所述的磁记录介质，其中所述氧化物的键解离能低于798kj/mol。

13.根据权利要求11所述的磁记录介质，其中所述第一化合物选自mgtio、mgtio2、mgsio、mgbao、mghfo、mgzro以及它们的组合。

14.根据权利要求10所述的磁记录介质，其中所述mg捕获层设置在所述磁记录层和所述晶种层之间。

15.根据权利要求10所述的磁记录介质，其中所述mg捕获层设置在所述晶种层和所述基板之间。

16.根据权利要求10所述的磁记录介质，其中所述mg捕获层设置在所述磁记录层和所述hamr介质的所述表面之间。

17.根据权利要求16所述的磁记录介质，所述磁记录介质进一步包括在所述磁记录层上方的覆盖层，其中所述mg捕获层设置在所述磁记录层和所述覆盖层之间。

18.一种数据存储设备，所述数据存储设备包括：

19.一种用于制造热辅助磁记录(hamr)介质的方法，所述方法包括：

20.根据权利要求19所述的方法，其中所述提供所述mg捕获层包括：

21.根据权利要求19所述的方法，其中所述提供所述mg捕获层包括：

22.根据权利要求19所述的方法，其中所述提供所述mg捕获层包括：

23.根据权利要求22所述的方法，所述方法进一步包括在所述磁记录层上方提供覆盖层，其中所述mg捕获层设置在所述磁记录层和所述覆盖层之间。

24.一种用于制造热辅助磁记录(hamr)介质的方法，所述方法包括：

25.根据权利要求24所述的方法，其中所述提供所述mg捕获层包括：

26.根据权利要求24所述的方法，其中所述提供所述mg捕获层包括：

27.根据权利要求24所述的方法，其中所述提供所述mg捕获层包括：

28.根据权利要求27所述的方法，所述方法进一步包括在所述磁记录层上方提供覆盖层，其中所述mg捕获层设置在所述磁记录层和所述覆盖层之间。

技术总结公开了用于提供具有镁(Mg)捕获层的热辅助磁记录(HAMR)介质的各种装置、系统、方法和介质，该Mg捕获层被配置为减轻HAMR介质中的Mg迁移，从而防止由解离的Mg与近场换能器(NFT)中使用的化合物反应所引起的NFT损坏。在一个示例中，HAMR介质可以包括基板、在基板上并且包括MgO的晶种层、在晶种层上的磁记录层、以及Mg捕获层，该Mg捕获层在基板上并且被配置为减轻Mg从晶种层向磁记录层上方的HAMR介质的表面的迁移。技术研发人员：岩并贤,K·松田,J·徐,田坂健司,H·C·何,关智孔,P·C·多尔西,霜越正义受保护的技术使用者：西部数据技术公司技术研发日：技术公布日：2024/1/15